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公开(公告)号:CN102714149A
公开(公告)日:2012-10-03
申请号:CN201080050013.X
申请日:2010-10-14
Applicant: 株式会社V技术
IPC: H01L21/268 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: C30B1/023 , C30B13/22 , C30B29/06 , G03F1/14 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/0268 , H01L21/268 , H01L27/1285
Abstract: 本发明公开了一种形成设备和形成方法,其能生产不经历晶粒尺寸波动并且具有均匀的晶粒尺寸的低温多晶硅膜。形成掩模,使得激光束阻断区域和激光束透射区域以网状图案排列,以便彼此不相邻。通过掩模,利用微透镜,使用激光束照射预定的通道区形成区域。使用透过透射区域的激光束照射a-Si:H膜,以引起经照射的部分退火,从而引起多晶化。随后,将掩模移除,并且使用激光束照射预定的通道区形成区域的整个表面。在其中已发生多晶化的区域,熔点升高,并且不发生熔融。在仍为非晶态的区域中,熔融并固化,从而引起多晶化。在这样生产的多晶硅膜中,晶粒的尺寸根据阻光区和透光区控制并落入具体范围内。
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公开(公告)号:CN102449740A
公开(公告)日:2012-05-09
申请号:CN201080022772.5
申请日:2010-05-25
Applicant: 株式会社V技术
IPC: H01L21/268 , B23K26/00 , B23K26/02 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: B23K26/352 , B23K26/0006 , B23K26/083 , B23K26/354 , B23K2103/56 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02675 , H01L21/02686 , H01L21/02691 , H01L21/268 , H01L21/67115 , H01L21/67259 , H01L27/1285 , H01L29/66765
Abstract: 本发明提供一种激光退火方法及激光退火装置。在沿着被设定成矩阵状的TFT形成区域的纵横方向的任一排列方向搬送基板的同时利用拍摄机构对基板表面进行拍摄,并基于该拍摄图像检测在基板表面预先设定的对准基准位置;将与多个TFT形成区域对应地沿着与基板的搬送方向交叉的方向配置有多个透镜的至少一列透镜阵列,沿着与基板的搬送方向交叉的方向移动,以对准基准位置为基准对透镜阵列的透镜和基板的TFT形成区域进行对位;当基板移动而使TFT形成区域到达透镜阵列的对应透镜的正下方时,向透镜阵列照射激光,从而利用多个透镜使激光聚光以对各TFT形成区域的非晶硅膜进行退火处理。由此,可以跟踪被搬送的基板的移动而使微透镜阵列移动,从而可以提高激光的照射位置精度。
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公开(公告)号:CN101990651A
公开(公告)日:2011-03-23
申请号:CN200980112848.0
申请日:2009-04-02
Applicant: 株式会社V技术
IPC: G02F1/1337
CPC classification number: G02F1/133788
Abstract: 本发明涉及一种液晶显示装置的制造方法,其在对在TFT基板和相对电极基板之间以矩阵状形成多个像素并密封有液晶的液晶显示用基板的所述各像素施加了电场的状态,对所述液晶显示用基板照射规定波长的光,使得所述液晶的分子定向于规定方向,包括:将所述液晶显示用基板和灯体以相互相对的状态浸入到具有规定值以上的电阻率并对所述光具有充分的高透过率的透明液体中的步骤;和在对所述各像素施加了规定量的电场的状态下点亮所述灯体并对所述液晶显示用基板照射规定光量的所述光的步骤。
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公开(公告)号:CN101268420A
公开(公告)日:2008-09-17
申请号:CN200680034934.0
申请日:2006-10-04
Applicant: 株式会社V技术
IPC: G03F7/20 , G02F1/1335
CPC classification number: G03F7/7035 , G02F1/133516 , G03F7/70058
Abstract: 本发明提供一种曝光装置,包括:承载并搬运滤色基板1的载物台5;以与滤色基板1邻接相对置的方式保持光掩膜14的掩膜载物台6;在曝光过程中持续点亮并对光掩膜14照射曝光用光的光源7;使照射在光掩膜14上的曝光用光的亮度分布均匀的光积分仪8;使照射在光掩膜14上的曝光用光成为平行光的聚光透镜9;在聚光透镜9的靠前侧形成光积分仪8的端面像的成像透镜10;设置在成像透镜10的成像位置附近,并与多个曝光区域2随着滤色基板1的移动而依次通过光掩膜14的下侧同步,进行曝光用光的照射及遮断切换的光闸11。由此,能够防止在被曝光体上沿其搬运方向设定的多个曝光区域的外部彼此邻接的曝光区域之间的部分被曝光。
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