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公开(公告)号：CN114582981B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202210454383.4
申请日：2022-04-24
申请人： 深圳芯能半导体技术有限公司
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/06
摘要： 本发明属于功率器件技术领域，提供了一种多沟槽型碳化硅JBS器件及其制备方法，多沟槽型碳化硅JBS器件包括：碳化硅衬底、碳化硅外延层、肖特基沟槽、注入沟槽、PN结注入掺杂区以及金属层，其中，注入沟槽和肖特基沟槽设置于碳化硅外延层上，肖特基沟槽设于相邻的注入沟槽之间，且注入沟槽的深度大于肖特基沟槽的深度；PN结注入掺杂区设于注入沟槽内，金属层在肖特基沟槽内与碳化硅外延层之间形成肖特基接触，该多沟槽型碳化硅JBS器件在横向尺寸不变的情况下提升肖特基结面积，有效提升了电流密度，同时降低了器件的漏电流，解决现有的沟槽结构多沟槽型碳化硅JBS器件存在的稳定性较差的问题。
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公开(公告)号：CN114678834A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210584267.4
申请日：2022-05-27
申请人： 深圳芯能半导体技术有限公司
摘要： 本发明涉及一种三相异步电机过载保护电路及方法，该方法包括：通过所述控制电路采集三相异步电机的任一相电流，通过定时器时间，每隔预设时间判断当前相电流是否有大于过载电流阈值；若大于，则过载保护计数值加1；若小于，则过载保护计数值减1；实时监测所述过载保护计数值是否超过设定计数阈值；若超过，则发出停机指令驱动所述三相异步电机停机，若不超过，则继续监测所述过载保护计数值。本发明通过仅需采集一路相电流，通过单片机的基本外设定时器进行简单的判断就可以实现三相异步电机过载保护，无需复杂的运算和外部电路，易实现，低成本，可移植性强，可有效应用在三相异步电机过载保护中。
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公开(公告)号：CN111538365B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202010365838.6
申请日：2020-04-30
申请人： 深圳芯能半导体技术有限公司
摘要： 本发明提供一种高压集成电路及其温度检测电路，包括反馈模块、第一电流镜模块、第二电流镜模块、第一采集电阻、第二采集电阻、第一开关、第二开关、第一分压电阻、第二分压电阻、第三分压电阻以及第四分压电阻，通过设置反馈模块进行负反馈，使流进反馈模块中的第一电流和第二电流相等，再通过第一分压电阻上的电压和反馈模块中的电压相减，得到正温度系数的电压，再通过电阻分压网络放大，在第二开关的一端输出正温度系数电压，从而实现温度检测电路的功能，并且不需要基准电压源来调节电压偏置，也不需要通过很大的电流和很大的电阻来获取高灵敏度，减少了器件设备，简化了电路结构，占用面积减小，而且灵敏度更高，电压偏置更低。
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公开(公告)号：CN113270328A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110483268.5
申请日：2021-04-30
申请人： 深圳芯能半导体技术有限公司
IPC分类号： H01L21/52 , H01L23/043 , H01L23/14 , H01L23/488 , H01L29/739
摘要： 本发明属于电力电子技术领域，尤其涉及一种IGBT功率器件的封装工艺。具体地，该IGBT功率器件的封装工艺包括以下步骤：步骤S10：将多个焊接段焊接端正对于对应的各个焊接区域进行放置；步骤S20：将多个条状连接片的两端分别正对于第一焊接区域和第二焊接区域的相应位置进行放置；步骤S30：通过超声波焊接设备将全部焊接段焊接端与全部条状连接片的焊接端一次性地焊接固定在陶瓷覆铜板的相应位置上。应用本发明提供的IGBT功率器件的封装工艺解决了应用现有设计的封装工艺装配生产IGBT功率器件的生产效率低，无法满足批量生产需求的问题。
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公开(公告)号：CN112468119A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201910844358.5
申请日：2019-09-06
申请人： 深圳芯能半导体技术有限公司
摘要： 本发明提供了一种P型氮化镓器件的驱动装置，包括：驱动IC、稳定电路、驱动电路、稳压电路、导通电路，所述稳压电路包括串联连接的第一二极管和稳压电阻，所述第一二极管的阳极指向P型氮化镓器件的栅极；其中，所述驱动IC的输出端口分别与所述稳压电路的第一端口和所述导通电路的第一端口连接，所述稳压电路的第二端口分别与所述稳定电路的第一端口和所述驱动电路的第一端口连接，所述导通电路的第二端口分别与所述稳定电路的第一端口和所述驱动电路的第一端口连接，所述稳定电路的第二端口和所述驱动电路的第二端口均与所述P型氮化镓器件的栅极连接，所述驱动IC的接地端口和所述P型氮化镓器件的源极均接地。本发明能提升P‑GaN的可靠性。
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公开(公告)号：CN111538365A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010365838.6
申请日：2020-04-30
申请人： 深圳芯能半导体技术有限公司
摘要： 本发明提供一种高压集成电路及其温度检测电路，包括反馈模块、第一电流镜模块、第二电流镜模块、第一采集电阻、第二采集电阻、第一开关、第二开关、第一分压电阻、第二分压电阻、第三分压电阻以及第四分压电阻，通过设置反馈模块进行负反馈，使流进反馈模块中的第一电流和第二电流相等，再通过第一分压电阻上的电压和反馈模块中的电压相减，得到正温度系数的电压，再通过电阻分压网络放大，在第二开关的一端输出正温度系数电压，从而实现温度检测电路的功能，并且不需要基准电压源来调节电压偏置，也不需要通过很大的电流和很大的电阻来获取高灵敏度，减少了器件设备，简化了电路结构，占用面积减小，而且灵敏度更高，电压偏置更低。
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公开(公告)号：CN105846813A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610347671.4
申请日：2016-05-24
申请人： 深圳芯能半导体技术有限公司
IPC分类号： H03K19/0944 , H03K5/1252 , H03K3/013
CPC分类号： H03K19/0944 , H03K3/013 , H03K5/1252
摘要： 本发明公开一种高压驱动电路的滤波电路和高压驱动电路。该滤波电路包括：第一反相器，接收第一电平移位信号并输出第一反相信号；第二反相器，接收第二电平移位信号并输出第二反相信号；第一延时滤波电路，分别接收第一反相信号和第二反相信号，输出第一短延时信号和第二短延时信号；第二延时滤波电路，分别接收第二反相信号和第一反相信号，输出第一长延时信号和第二长延时信号；第一或非门接收第一短延时信号和第一长延时信号，输出第一或非信号；第二或非门接收第二短延时信号和第二长延时信号，输出第二或非信号。该滤波电路可在滤除共模噪声的同时改善差模噪声的滤除能力，提高噪声滤除效率。
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公开(公告)号：CN117747433A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311812906.9
申请日：2023-12-25
申请人： 深圳芯能半导体技术有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423
摘要： 本发明公开了一种沟槽栅型功率器件及其制备方法、元胞版图结构，属于半导体技术领域，该所述沟槽栅型功率器件包括：衬底层、沟槽、体区、源区、层间介质层、接触孔、离子注入区、金属。本发明通过在沟槽上形成栅极结构、通过刻蚀部分层间介质层、体区、源区，形成接触孔，进而在接触孔底部的体区中注入第二导电类型的离子，形成离子注入区。即考虑到层间介质层在拐弯区和非拐弯区由于产生厚度偏差导致的阈值电压的差异。通过控制接触孔到沟道的距离调整离子注入区到沟道的距离，实现阈值电压的调整，从而提高阈值电压的一致性。
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公开(公告)号：CN117594658A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311550132.7
申请日：2023-11-16
申请人： 深圳芯能半导体技术有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
摘要： 本发明公开了一种沟槽型场效应晶体管及制备方法，属于半导体技术领域，该所述沟槽型场效应晶体管包括：衬底层；外延层；第一体区；第二体区；第一沟槽；第二沟槽；第一源区；第二源区。本发明通过预设第一体区、第二体区的深度，使第二体区的深度小于所述第一体区的深度，得到相较于第一体区来说体区深度较浅的第二体区，降低了体区的长度，进而降低了二极管开启的阈值电压，从而以较低的阈值电压开启了体二极管，实现了降低反向续流功耗。
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公开(公告)号：CN116884996A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202311158576.6
申请日：2023-09-08
申请人： 深圳芯能半导体技术有限公司
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/739 , H01L21/331
摘要： 本发明提供了一种降低关断损耗的IGBT芯片及其制作方法，该IGBT芯片包括顶层金属层、P+发射极、N+发射极、P型体区、CS层、栅极多晶硅、栅极氧化层、N‑Sub、N型场终止区以及P+集电极；其中，所述由栅极多晶硅和栅极氧化层构成的沟槽栅极结构间增加有耗尽栅结构。本发明通过引入耗尽栅结构，当IGBT导通时，耗尽栅中间包围的区域表现为高阻态，在IGBT导通时不提供电流路径；当IGBT关断时，电流路径打开，快速提取器件的空穴，降低IGBT的关断损耗。
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