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公开(公告)号：CN110979492A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN202010010520.6
申请日：2020-01-06
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B62D55/065 , B62D55/08 , B62D55/12 , B62D55/14
Abstract: 本发明公开了一种便于更换模块的模块化机器人，包括底盘模块、执行模块和行走模块，所述底盘模块包括底盘框、底板和螺纹柱，所述执行模块包括上甲板和第一倒梯形插键，所述行走模块包括履带板和第二倒梯形插键，所述上甲板与所述底板可拆卸连接，从而使得所述执行模块与所述底盘模块拆卸方便；所述履带板与所述底盘框可拆卸连接，当需要更换不同的行走模块时，只需要把行走模块向下推出即可将行走模块一体拆下，使得所述行走模块与所述底盘模块拆卸方便，从而解决了模块化机器人的模块拆卸不方便的问题。
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公开(公告)号：CN105070681B
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201510522304.9
申请日：2015-08-24
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/762 , H01L21/306 , H01L21/265 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开一种砷化镓衬底mHEMT有源区电学隔离方法，针对变组分高电子迁移率晶体管的有源区电学隔离，提出了湿法腐蚀和离子注入相结合的隔离方法，即首先去除表面高掺杂层，再进行离子注入隔离，有效提高了离子注入的注入效果，进而提高了有源区之间的隔离效果；在同等条件下，离子注入和台面腐蚀相结合的隔离方法，具有电学隔离效果好、工艺兼容性强、对后续工艺影响较小、具有良好的重复性和便于实现等特点，并有效地避免了单独采用台面腐蚀和离子注入的弊端，对半导体制造工艺有很好的使用价值。
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公开(公告)号：CN108573512A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810233579.4
申请日：2018-03-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06T9/00
Abstract: 本发明公开了一种基于深度编解码对偶模型的复杂视觉图像重构方法，属于生物医学图像脑解码中的视觉场景重构技术领域。本发明首先采集观看大量自然图像下的功能磁共振信号。然后分别建立四个网络模型：1、编码模型，即使用卷积神经网络将自然图像编码成视觉区的体素信号；2、解码模型，即是用卷积神经网络以及反卷积神经网络将视觉区体素信号解码成自然图像；3、判别自然图像模型，即判断真图像与假图像；4、判别视觉区响应模型，即判断真信号与假信号。通过训练设计好的四个模型，可实现从脑信号中还原出视觉场景图像。本发明首次解决了自然场景与脑信号之间直接相互转换的问题，可以实现脑机接口场景的实际应用。
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公开(公告)号：CN107718167A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201610659695.3
申请日：2016-08-12
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种泡沫切割机，包括横向运动机构，所述横向运动机构包括第一支架、第一电机、第一丝杆、第一光杆和横向运动架，所述第一电机驱动所述第一丝杆转动，所述横向运动架在所述第一丝杆带动下沿所述第一光杆轴向运动；纵向运动机构，包括第二电机、第二丝杆、第二光杆及滑板，所述第二电机驱动所述第二丝杆转动，所述滑板在所述第二丝杆带动下沿所述第二光杆轴向运动；夹持机构，安装在所述第一支架上用于夹持待加工泡沫件；切割装置，固定在所述滑板上用于切割加工待加工泡沫；控制装置，分别与所述第一电机、第二电机及切割装置电连接。本发明提供的泡沫切割机操作方便，可以实现全自动化控制，切割泡沫效率高，切割精度高。
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公开(公告)号：CN105798528B
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201610354621.9
申请日：2016-05-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B23K37/047 , B23K37/04 , B25H1/06 , B25H1/14 , B25B11/00
Abstract: 本发明公开了一种多自由度液压夹紧支架，包括负载夹紧机构、球关节液压锁死机构、单自由度转动碟簧液压锁死机构、液压加压与泄压机构和底座；所述负载夹紧机构、球关节转动液压锁死机构、单自由度转动碟簧液压锁死机构和液压加压与泄压控制机构之间均通过油管相连接；球关节转动液压锁死机构和单自由度转动碟簧液压锁死机构分别通过液压加压与泄压控制机构实现增压或减压；液压加压与泄压控制机构设于底座上；转动机构的多自由度转动功能与负载夹紧机构的夹紧功能相互配合，可根据工作需求对夹紧工件时的夹紧角度以及夹紧高度的进行调节。本发明的机构转动顺畅，锁死牢靠，操作方便，应用广泛，提高了工作效率，大大降低劳动强度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107254656A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201710705659.0
申请日：2017-08-17
Applicant: 桂林电子科技大学
CPC classification number: C23C4/134 , C23C4/08 , C23C4/11 , H01F41/026
Abstract: 本发明公开了一种能够避免钕铁硼永磁材料表面的防护层内部发生起泡，以及防护层剥落等失效现象的钕铁硼永磁材料表面等离子喷涂陶瓷层及其制备方法。该钕铁硼永磁材料表面等离子喷涂陶瓷层，包括钕铁硼机体、Al2O3‑TiO2复合陶瓷涂层以及Ni‑Al合金层过渡层。所述制备方法包括步骤：1)对钕铁硼基体进行预处理：2)将经过预处理之后的钕铁硼基体在真空环境下进行预热处理；3)在预热后的钕铁硼基体表面采用等离子喷涂制备一层Ni‑Al合金层过渡层；4)在Ni‑Al合金层过渡层表面采用等离子喷涂制备一层Al2O3‑TiO2复合陶瓷层。采用该钕铁硼永磁材料表面等离子喷涂陶瓷层及其制备方法可以实现钕铁硼永磁材料表面高质量防护层的快速制备；制备过程不存在副产品，绿色、清洁，无污染。
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公开(公告)号：CN106012025A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610582108.5
申请日：2016-07-22
Applicant: 桂林电子科技大学
CPC classification number: Y02P70/521 , C30B31/18 , H01L31/1804
Abstract: 本发明公开一种扩散炉气体浓度及扩散方式的自动控制装置，该装置包括顺序连接的压力控制部分、流量控制部分、气体扩散方式控制部分。在PLC控制器的控制下，实现将紊乱的涡流气体变成缓和的平流气体。本发明通过对气体浓度、扩散方式及压力的控制为反应提供了更加良好的环境，精确控制反应所需的气体浓度，减少原流量对反应的影响，稳定的气体环境充分提高了扩散方阻的均匀性，提高质量的成品率，更加符合目前产品要求。
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公开(公告)号：CN105877749A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610407597.0
申请日：2016-06-08
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: A61B5/08 , A61B5/0816 , A61B5/0826 , A61B5/6802 , A61B5/7225 , A61B5/746
Abstract: 本发明属于生命安全、生物医学工程以及可穿戴设备领域，具体涉及一种基于呼吸信号的自动报警求助设备及其检测方法。本发明通过检测呼吸状态，即用户事先把正常呼吸、急促呼吸和屏息三种呼吸状态进行n≥1个呼吸状态的排列组合，设定成一种特定呼吸状态顺序。当用户遇到紧急情况就按照这种事先设定的特定呼吸状态改变自身呼吸状况，进而使设备产生和发送报警求助信号。本发明装置通过检测用户的呼吸过程中是否出现设定的特定呼吸状态从而明确用户是否处于紧急状况。本发明的设备具有隐蔽、误报率低、安全有效的紧急求助、减少使用者紧急状况下负面情绪和求助条件的可控性设定等优点。
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公开(公告)号：CN105823514A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610291384.6
申请日：2016-05-05
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种冷却液检测装置，包括信号采集器和信号控制器，信号采集器和信号控制器通过线路连接；信号采集器包括耐热绝缘套管、不锈钢套管、探头、电极导体和接线盒，耐热绝缘套管置于不锈钢套管内的前端，探头置于耐热绝缘套管的前端，电极导体置于耐热绝缘套管内，电极导体的前端与探头连接，接线盒固定置于不锈钢套管的后端，所述电极导体的后端穿过所述不锈钢套管与所述接线盒连接，所述接线盒与所述信号控制器通过线路连接。相对现有技术，本发明结构简单、检测温度和水量速度快、可靠性强、适应环境强、使用寿命长。
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公开(公告)号：CN103077891B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310021186.4
申请日：2013-01-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十八研究所 , 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开一种基于超级结的氮化镓HEMT器件及制备方法，其能够在低导通电阻的情况下提高器件击穿电压。所述基于超级结的氮化镓HEMT器件包括蓝宝石HEMT外延片、不掺杂AlN层、不掺杂GaN层、不掺杂AlGaN层、源极、栅极、漏极、栅漏极之间基于F离子处理技术形成的超级结区。所述方法采用干法ICP刻蚀出Mesa隔离结构，分别蒸发源漏极金属和栅极金属形成源、漏和栅极；采用基于F离子处理技术在栅极-漏极区域形成的超级结。本发明相对于常规的氮化镓HEMT器件具有导通电阻低、击穿电压高、开关反应速度快、功耗低和缓冲层漏电小的特点，可用于大功率电力电子开关、汽车电子、太阳能模块、电动车、雷达和制导等方面。
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