用于晶片重叠测量的片上传感器

    公开(公告)号:CN114303100A

    公开(公告)日:2022-04-08

    申请号:CN202080060542.1

    申请日:2020-08-05

    摘要: 一种传感器装置包括传感器芯片、照射系统、第一光学系统、第二光学系统和检测器系统。照射系统耦合到传感器芯片并且沿着照射路径透射照射光束。第一光学系统耦合到传感器芯片并且包括第一集成光学配置以配置照射光束并且将其朝向衬底上的衍射目标透射,与传感器芯片相邻设置,并且生成信号光束,该信号光束包括由衍射目标生成的衍射级子光束。第二光学系统耦合到传感器芯片并且包括第二集成光学配置以收集信号光束并且将其从传感器芯片的第一侧朝向第二侧透射。检测器系统被配置为基于由第二光学系统透射的信号光束来测量衍射目标的特点。

    用于确定关于目标结构的信息的方法和系统

    公开(公告)号:CN114144732A

    公开(公告)日:2022-03-04

    申请号:CN202080053489.2

    申请日:2020-07-17

    IPC分类号: G03F7/20

    摘要: 公开了用于确定关于目标结构的信息的方法和系统。在一种布置中,获得针对目标结构的不对称指示符的值。不对称指示符的值表示目标结构中套刻无关不对称的量。估计在先前时间对目标结构执行的初始套刻测量中的误差。使用所获得的不对称指示符的值和以下项之间的关系来执行该估计:不对称指示符的值与至少部分地由套刻无关不对称引起的套刻测量误差。使用初始套刻测量和估计误差来确定目标结构中的套刻。

    结构的不对称性监视
    86.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110462523B

    公开(公告)日:2022-02-11

    申请号:CN201880020363.8

    申请日:2018-02-28

    发明人: A·J·登博夫

    IPC分类号: G03F7/20

    摘要: 一种方法,包括:获得针对在测量辐射的第一波长处测量的衬底的蚀刻轮廓确定的光学特性的第一值,获得针对在测量辐射的第二波长处测量的衬底的蚀刻轮廓确定的光学特性的第二值,并获得表示第一值和第二值之间的差异的导出值;以及基于第一值和第二值或基于导出值,确定在蚀刻中的倾斜的发生以形成蚀刻轮廓。

    度量方法、计算机产品和系统

    公开(公告)号:CN110553602B

    公开(公告)日:2021-10-26

    申请号:CN201910871671.8

    申请日:2015-10-30

    IPC分类号: G01B11/24 G01B11/27 G03F7/20

    摘要: 一种度量方法、计算机产品和系统,包括根据目标的测量值来确定目标的结构不对称的类型,以及执行目标的光学测量的模拟以确定与不对称类型相关联的不对称参数的值。一种方法包括执行目标的光学测量的模拟以确定与根据目标的测量值确定的目标的结构不对称的类型相关联的不对称参数的值,以及分析不对称参数对于与目标相关联的目标形成参数的变化的敏感度。一种方法包括使用被目标衍射的辐射的测量参数来确定目标的结构不对称参数,以及基于对于与目标相关联的目标形成参数的变化最不敏感的结构不对称参数来确定目标的测量光束的属性。

    量测方法、目标和衬底
    88.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108604065B

    公开(公告)日:2021-10-26

    申请号:CN201680081072.0

    申请日:2016-12-07

    摘要: 一种方法,包括:利用具有第一偏振的第一辐射束(940)照射量测目标(T)的至少第一周期结构(1010),利用具有不同的第二偏振的第二辐射束(950)照射量测目标(T)的至少第二周期结构(1000),将从第一周期结构(1010)衍射的辐射与从第二周期结构(1000)衍射的辐射进行组合以引起干涉,以及根据检测的组合辐射确定感兴趣的参数。

    堆叠差异的确定和使用堆叠差异的校正

    公开(公告)号:CN109073992B

    公开(公告)日:2021-09-28

    申请号:CN201780025162.2

    申请日:2017-03-28

    IPC分类号: G03F7/20

    摘要: 一种方法,包括:获得使用图案化工艺处理的衬底上的量测目标的测量,该测量是使用测量辐射获得的;以及从测量导出图案化工艺的感兴趣参数,其中感兴趣参数由堆叠差异参数校正,堆叠差异参数表示目标的相邻周期性结构之间或量测目标与衬底上的另一相邻目标之间的物理配置中的非设计差异。

    位置传感器
    90.
    发明公开
    位置传感器 审中-实审

    公开(公告)号:CN112368647A

    公开(公告)日:2021-02-12

    申请号:CN201980045196.7

    申请日:2019-06-05

    IPC分类号: G03F9/00

    摘要: 本发明提供了一种位置传感器(300),包括被配置为向衬底(307)提供测量辐射(304)的光学系统(305,306)。光学系统被布置为接收由设置在衬底上的标记(308)衍射的辐射(309)的至少一部分。应用处理器(313)以从接收到的辐射中得出至少一个位置敏感信号(312)。测量辐射包括至少第一选定辐射波长和第二选定辐射波长。至少第一辐射波长和第二辐射波长的选择基于位置误差摆动曲线模型。