量测方法和装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111065970B

    公开(公告)日:2023-03-31

    申请号:CN201880057786.7

    申请日:2018-08-17

    Abstract: 一种方法,包括:针对一个或多个测量质量参数,评估与使用图案化过程所处理的衬底的量测目标的测量相关联的多个偏振特性;并且基于测量质量参数中的一个或多个测量质量参数,从多个偏振特性中选择一个或多个偏振特性。

    计量方法、目标和衬底
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108292103A

    公开(公告)日:2018-07-17

    申请号:CN201680067807.4

    申请日:2016-09-16

    Abstract: 一种测量光刻工艺的参数的方法,该方法包括:利用辐射照射衬底上的衍射测量目标,测量目标包括至少第一子目标、至少第二子目标和至少第三子目标,其中第一、第二和第三子目标均包括周期性结构,并且其中第一、第二和第三子目标均具有不同的设计,并且其中至少两个子目标分别被设计用于确定不同的光刻工艺参数;以及检测由至少两个子目标散射的辐射,以针对该目标获取表示光刻工艺的不同参数的测量值。

    量测方法和装置
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111065970A

    公开(公告)日:2020-04-24

    申请号:CN201880057786.7

    申请日:2018-08-17

    Abstract: 一种方法,包括:针对一个或多个测量质量参数,评估与使用图案化过程所处理的衬底的量测目标的测量相关联的多个偏振特性;并且基于测量质量参数中的一个或多个测量质量参数,从多个偏振特性中选择一个或多个偏振特性。

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