量测标记结构和确定量测标记结构的方法

    公开(公告)号:CN114556223A

    公开(公告)日:2022-05-27

    申请号:CN202080071855.7

    申请日:2020-09-25

    IPC分类号: G03F7/20 G03F9/00

    摘要: 本文描述具有子分段光栅结构作为量测标记的半导体器件的结构和用于配置所述量测标记的方法。用于配置量测标记的方法可以用于光刻过程中。所述方法包括确定设置于叠置层内的初始量测标记的初始特性函数。所述方法还包括使所述量测标记的多个子分段的一个或更多个变量(例如所述多个子分段的节距、占空比和/或线宽)扰动以及另外使所述叠置层内的一个或更多个层的厚度扰动。所述方法还包括迭代地执行扰动,直到确定初始量测标记的最小化特性函数以设置用于所述多个子分段的配置为止。

    用于晶片重叠测量的片上传感器
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118732413A

    公开(公告)日:2024-10-01

    申请号:CN202410766698.1

    申请日:2020-08-05

    摘要: 一种传感器装置包括传感器芯片、照射系统、第一光学系统、第二光学系统和检测器系统。照射系统耦合到传感器芯片并且沿着照射路径透射照射光束。第一光学系统耦合到传感器芯片并且包括第一集成光学配置以配置照射光束并且将其朝向衬底上的衍射目标透射,与传感器芯片相邻设置,并且生成信号光束,该信号光束包括由衍射目标生成的衍射级子光束。第二光学系统耦合到传感器芯片并且包括第二集成光学配置以收集信号光束并且将其从传感器芯片的第一侧朝向第二侧透射。检测器系统被配置为基于由第二光学系统透射的信号光束来测量衍射目标的特点。

    用于晶片重叠测量的片上传感器

    公开(公告)号:CN114303100B

    公开(公告)日:2024-07-26

    申请号:CN202080060542.1

    申请日:2020-08-05

    摘要: 一种传感器装置包括传感器芯片、照射系统、第一光学系统、第二光学系统和检测器系统。照射系统耦合到传感器芯片并且沿着照射路径透射照射光束。第一光学系统耦合到传感器芯片并且包括第一集成光学配置以配置照射光束并且将其朝向衬底上的衍射目标透射,与传感器芯片相邻设置,并且生成信号光束,该信号光束包括由衍射目标生成的衍射级子光束。第二光学系统耦合到传感器芯片并且包括第二集成光学配置以收集信号光束并且将其从传感器芯片的第一侧朝向第二侧透射。检测器系统被配置为基于由第二光学系统透射的信号光束来测量衍射目标的特点。

    用于晶片重叠测量的片上传感器

    公开(公告)号:CN114303100A

    公开(公告)日:2022-04-08

    申请号:CN202080060542.1

    申请日:2020-08-05

    摘要: 一种传感器装置包括传感器芯片、照射系统、第一光学系统、第二光学系统和检测器系统。照射系统耦合到传感器芯片并且沿着照射路径透射照射光束。第一光学系统耦合到传感器芯片并且包括第一集成光学配置以配置照射光束并且将其朝向衬底上的衍射目标透射,与传感器芯片相邻设置,并且生成信号光束,该信号光束包括由衍射目标生成的衍射级子光束。第二光学系统耦合到传感器芯片并且包括第二集成光学配置以收集信号光束并且将其从传感器芯片的第一侧朝向第二侧透射。检测器系统被配置为基于由第二光学系统透射的信号光束来测量衍射目标的特点。