公开(公告)号：CN105209405A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201580000713.0

申请日：2015-01-22

申请人： 吉坤日矿日石金属株式会社

发明人： 角田浩二 ,  长田幸三

IPC分类号： C04B35/00 ,  C23C14/34

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C04B35/453 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6583 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08

摘要： 一种氧化物烧结体，其为包含铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、氧(O)和不可避免的杂质的氧化物烧结体，其特征在于，所述氧化物烧结体具有以In、Ga和Zn的原子比计In：Ga：Zn＝1：1：1的IGZO(111)相和比IGZO(111)相含有更多Zn的IGZO相；比IGZO(111)相含有更多Zn的IGZO相的面积比率为1～10％；该氧化物烧结体的In、Ga和Zn的原子数比为In：Ga：Zn＝1：1：(1.02～1.10)。本发明的课题在于提供可以降低为了得到具有所期望的载流子浓度的膜而需要的溅射时的氧浓度的IGZO氧化物烧结体。

公开(公告)号：CN103518004B

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201280022417.7

申请日：2012-04-27

申请人： 出光兴产株式会社

发明人： 砂川美佐 ,  糸濑将之 ,  西村麻美 ,  笠见雅司

IPC分类号： C23C14/34 ,  C04B35/00 ,  H01B5/14 ,  H01L21/363

CPC分类号： C23C14/086 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/44 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/763 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  H01B1/08 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/24

摘要： 一种溅射靶，其含有氧化物A和InGaZnO4，所述氧化物A在2θ=7.0°～8.4°、30.6°～32.0°、33.8°～35.8°、53.5°～56.5°、56.5°～59.5°、14.8°～16.2°、22.3°～24.3°、32.2°～34.2°、43.1°～46.1°、46.2°～49.2°和62.7°～66.7°的区域A～K具有衍射峰。

公开(公告)号：CN105143931A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201480021026.2

申请日：2014-04-03

申请人： 贺利氏德国有限及两合公司

发明人： 马丁·施洛特 ,  阿尔伯特·卡斯特纳 ,  马库斯·舒尔特海斯 ,  詹斯·瓦格纳 ,  李在锡 ,  本·卡尔

IPC分类号： G02B5/22 ,  C23C14/34 ,  G02B5/00 ,  F24J2/46

CPC分类号： G02B5/003 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/35 ,  F24S70/25 ,  F24S70/30 ,  G02B1/11 ,  Y02E10/40

摘要： 光吸收的层系统使用于不同的应用，例如为了太阳热能应用或者与液晶显示屏相关的所谓“黑矩阵”层。该层或这些层应该表现出在可见光谱范围内的高吸收和低反射作用并且这些层应该能够不产生有毒物质地蚀刻并且在使用简单的稀释酸的条件下不会有颗粒残留。为了确保这点，根据本发明建议，该吸收层具有氧化的基质，该基质基于由氧化锌、氧化锡和/或氧化铟组成的基础成分K1和附加成分K3，该附加成分能够以最多75重量％的含量替代基础成分K1并且该附加成分由氧化铌、氧化铪、氧化钛、氧化钽、氧化钒、氧化钇、氧化锆、氧化铝及其混合物组成，其中由钼、钨及其合金以及其混合物组成的黑化成分K2在基质中分布并且作为金属或作为金属的亚化学计量氧化的化合物而这样存在，即，层材料具有通过最多为化学计量的最大氧含量的65％所限定的还原度，并且黑化成分K2的含量“x”(由其元素含量的重量与层材料重量的比得出)在20至50重量％之间的范围内。

公开(公告)号：CN105132877A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510590007.8

申请日：2015-09-16

申请人： 深圳大学

发明人： 张东平 ,  朱茂东 ,  杨凯 ,  范平 ,  蔡兴民 ,  罗景庭 ,  钟爱华 ,  林思敏

IPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/08

CPC分类号： C23C14/08 ,  C23C14/35

摘要： 本发明公开了一种低温沉积二氧化钒薄膜的方法，采用磁控溅射技术，以金属钒或钒合金为靶材，以氧气为反应气体，氩气为溅射气体；制备薄膜前，先将真空室抽至低于1×10-3Pa本底真空，然后通入氧气和氩气混合气体，氧分压保持为0.01—0.06Pa，在沉积薄膜过程中，控制沉积温度为240～260℃，并在基底添加负偏压，靶表面溅射功率密度为2-3W/cm2，在基底表面得到高性能的VO2薄膜。本发明的低温沉积方法将VO2薄膜的沉积温度低，并配合适当的负偏压及其他工艺参数制备出的薄膜均匀致密、二氧化钒相变温度低，具有良好相变性能的高性能VO2薄膜；大大降低了生产成本。

公开(公告)号：CN105121694A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201480020520.7

申请日：2014-04-10

申请人： 日立金属株式会社

发明人： 内山博幸 ,  福岛英子

IPC分类号： C23C14/34 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/7869 ,  C23C14/08 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

摘要： 本发明提供一种氧化物半导体靶材，其由氧化物烧结体形成，所述氧化物烧结体包含锌、锡、氧、以及相对于氧化物烧结体的总质量的含有比为0.005质量％～0.2质量％的铝，且硅相对于所述氧化物烧结体的总质量的含有比小于0.03质量％。

公开(公告)号：CN105051955A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201480015284.X

申请日：2014-03-14

申请人： 野猫技术开发公司

发明人： 史蒂文·凯 ,  戴维·基奥 ,  科里·奥尼尔

IPC分类号： H01M4/58 ,  H01M4/485 ,  H01M4/525 ,  H01M10/05

CPC分类号： H01M4/0471 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/0694 ,  C23C14/08 ,  H01M4/0423 ,  H01M4/136 ,  H01M4/366 ,  H01M4/485 ,  H01M4/525 ,  H01M4/58 ,  H01M4/5825 ,  H01M10/052

摘要： 本发明公开了一种通过将金属氟化物与反应物反应形成电极活性材料的方法。反应物可以是金属氧化物、金属磷酸盐、金属氟化物、或预期分解成氧化物的前体。所述方法包括研磨步骤和退火步骤。所述方法可以备选地包括溶液覆层步骤。还包括遵循该方法形成的组合物。

公开(公告)号：CN105008992A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201380049640.5

申请日：2013-08-07

申请人： SAGE电致变色显示有限公司 ,  可持续能源联盟有限责任公司 ,  道格拉斯·G·威尔 ,  查瓦特·恩特拉库尔 ,  F·林

发明人： 道格拉斯·G·威尔 ,  查瓦特·恩特拉库尔 ,  F·林

IPC分类号： G02F1/15 ,  G02F1/155 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01M4/38 ,  H01M4/48

CPC分类号： G02F1/155 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/3464 ,  G02F1/1523 ,  G02F2001/1502 ,  G02F2001/1555 ,  H01M4/0426 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M14/005 ,  Y02E60/122 ,  Y02P70/54 ,  G02F1/15 ,  C23C14/34 ,  H01M4/382 ,  H01M4/48

摘要： 本申请公开将用作用于电致变色器件的对电极(阳极)材料的具有式LiaEC1MlbM2cOx的金属氧化物，其中EC为从如下之中选择的第一金属物质：二价和三价镍(Ni)的混合物，二价和三价钴(Co)的混合物，四价和五价铱(Ir)的混合物，或二价、三价和四价锰(Mn)的混合物，M1为从如下之中选择的第二金属物质：四价锆、四价铪、五价钽(Ta)、五价铌(Nb)或六价钨(W)，M2在如下之中选择：五价钒(V)、五价钽(Ta)、五价铌(Nb)、四价锰(Mn、)、三价镧(La)或四价钸，且其中″a″范围从约0.5至约3，b+c范围从约0.1至约1，c/(b+c)范围从约0.1至约0.9，且x范围从约0.1至约50。还公开制造这些化合物的方法以及它们在薄膜材料和电致变色器件中的用途。

公开(公告)号：CN104976803A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201410145986.1

申请日：2014-04-11

申请人： 太浩科技有限公司

发明人： 刘静 ,  项晓东 ,  汪洪

IPC分类号： F24J2/48 ,  B32B15/04 ,  B32B15/20 ,  B32B15/00 ,  B32B9/04 ,  C23C14/35 ,  C23C14/14 ,  C23C14/08

CPC分类号： C23C14/08 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/021 ,  C23C14/022 ,  C23C14/165 ,  C23C14/185 ,  C23C14/35 ,  F24S70/20 ,  F24S70/30 ,  Y02E10/40

摘要： 本发明提出一种太阳光谱选择性吸收涂层，涂层结构从基底到空气界面依次为：基底1、红外反射层2、半导体吸收层3(锗)和高折射率介质层41和低折射率介质层42组成的减反层4；该太阳光谱选择性吸收涂层具有优异的光谱选择性，吸收-反射过渡区陡峭；在太阳能光谱范围（0.3-2微米）具有较高的吸收率α，在热辐射红外区域（2-50微米）具有极低的吸收率/辐射率ε，α/ε远高于现有的商业产品，适合于低倍光学聚焦的中温太阳能集热器；并且制备工艺简单、镀膜设备要求低，适用于大规模低成本生产。

公开(公告)号：CN104969093A

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201480006497.6

申请日：2014-01-27

申请人： 日东电工株式会社

发明人： 岸敦史 ,  上野友德 ,  仓本浩贵

IPC分类号： G02B1/11 ,  G02B1/115 ,  B32B7/02 ,  G02B5/30 ,  G02F1/1335 ,  G09F9/00

CPC分类号： G02B1/116 ,  B32B7/02 ,  B32B27/06 ,  B32B27/20 ,  B32B2255/10 ,  B32B2255/205 ,  B32B2264/10 ,  B32B2307/418 ,  B32B2457/20 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  G02B1/111 ,  G02B5/30 ,  G02B27/0012

摘要： 本发明提供一种可以高生产率且低成本制造、在宽带域中具有优异的反射特性(低反射性)、且具有接近中性的优异的反射色相的防反射膜。本发明的防反射膜具有基材和自基材侧起依次具有的中折射率层、高折射率层及低折射率层。基材的折射率nS、中折射率层的折射率nM及高折射率层的折射率nH满足下述式(1)。其中，基材的折射率nS、中折射率层的折射率nM及高折射率层的折射率nH具有nH＞nM＞nS的关系。

公开(公告)号：CN103764387B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201280042577.8

申请日：2012-09-04

申请人： 东丽株式会社

发明人： 上林浩行 ,  吉田实

IPC分类号： B32B9/00 ,  C23C14/06 ,  C23C14/20

CPC分类号： C09D1/00 ,  B32B9/00 ,  C23C14/06 ,  C23C14/0629 ,  C23C14/08 ,  C23C14/081 ,  C23C14/086 ,  C23C14/10 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/562 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45555 ,  Y10T428/24992

摘要： 本发明的目的是提供一种高气体阻隔性、并且气体阻隔性的反复再现性优异的气体阻隔性膜。本发明的气体阻隔性膜，其特征在于，是在高分子膜基材的至少一面依次配置有3个无机化合物层即［A］层、［B］层、［C］层的气体阻隔性膜，所述［B］层的厚度为0.2～20nm，且密度比［A］层和［C］层的任何一个的密度都高。