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公开(公告)号：CN112593283A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011460099.5
申请日：2020-12-11
申请人： 中国科学院长春应用化学研究所
摘要： 本发明提供了一种用于微下拉法生长可弯曲柔性稀土单晶光纤的坩埚，所述坩埚的底部通过锥形孔与毛细管相连通；所述锥形孔的大孔位于所述坩埚底部，所述锥形孔的小孔与毛细管相连通；所述坩埚的底部为斜面；所述稀土单晶包括钆镓石榴石单晶或掺杂钆镓石榴石单晶。本发明设计的具有特殊结构的坩埚，靠近底端开孔的坩埚内壁和毛细孔采用锥形管连接设计，保障熔体流动性，实现了可弯曲单晶光纤的可控生长。本发明还提供了微下拉法中稀土单晶光纤生长速率的计算方法，利用该坩埚配套温度场结构结合理论计算，实现了可弯曲单晶光纤的微下拉法生长，最终得到了高品质的柔性单晶光纤。
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公开(公告)号：CN112341232A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011173057.3
申请日：2020-10-28
申请人： 西安超码科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种炭/炭坩埚，由坩埚内层以及覆盖在坩埚内层外表面上的坩埚外层组成，坩埚内层由多块埚瓣拼装组成，或者坩埚内层由坩埚埚底与多块埚瓣拼装组成，坩埚内层和坩埚外层的材质均为炭/炭复合材料；本发明还公开了一种炭/炭坩埚的制造方法。本发明炭/炭坩埚的坩埚内层全部或部分为分瓣式结构，大幅提高了坩埚制备所需设备的利用率，避免了原料浪费，提高了坩埚的生产效率，降低坩埚制造成本，同时在坩埚内层的外表面覆盖设置快速制备成型的坩埚外层作为强化层，增加了坩埚的环向结构强度力学性能，提高了坩埚的耐侵蚀性，延长了坩埚的使用寿命；本发明的制造方法简单，易于实现。
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公开(公告)号：CN112195509A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202011130589.9
申请日：2020-10-21
申请人： 上海骐杰碳素材料有限公司
发明人： 申富强
摘要： 本发明提供一种整体螺旋编织坩埚预制体，所述坩埚预制体由一根或多根碳纤维绳螺旋编织而成的网状体，所述坩埚为上端开口下端网状镂空编织。本申请的坩埚采用一根碳纤维绳或多根碳纤维绳编织而成，不需要针刺预制体，节省工时；采用直的碳纤维绳编织，不需要制作胚体，其形状的可塑性强，不受胚体的限制，可以灵活设计，批量生产缩短交货周期，材料加工浪费少。
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公开(公告)号：CN112176403A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202011129237.1
申请日：2020-10-21
申请人： 上海骐杰碳素材料有限公司
发明人： 申富强
摘要： 本发明提供一种整体编织坩埚预制体，所述坩埚预制体由一根或多根碳纤维绳编织而成的网状体，所述坩埚预制体为上端开口下端密实状编织。本申请的坩埚采用一根碳纤维绳或多根碳纤维绳编织而成，不需要针刺预制体，节省工时；采用直的碳纤维绳编织，不需要制作胚体，其形状的可塑性强，不受胚体的限制，可以灵活设计，批量生产缩短交货周期，材料加工浪费少。
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公开(公告)号：CN108531978B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201810312679.6
申请日：2018-04-09
申请人： 江阴龙源石英制品有限公司
摘要： 本发明公开了一种大规模集成电路用5层复合石英坩埚及其制备方法和表面处理方法，属于石英坩埚加工处理技术领域，由5层石英组成，由外至内的厚度依次递减，依次包括外层天然石英、内层天然石英、半晶态石英、微晶态合成石英和内层合成石英，外层天然石英和内层天然石英均为高气泡天然石英，半晶态石英为少气泡石英，微晶态合成石英和内层合成石英中无气泡，微晶态合成石英中含有0.15％的混合稀土，混合稀土为镧铈混合稀土，内层合成石英内含有0.11％的双相增韧共聚物，双相增韧共聚物包括如下组成成分：Ni、Mn、N、Cu、Ag、Co和Fe。本发明解决现有技术中石英坩埚存在的内应力大、耐温性能差及使用寿命低的问题。
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公开(公告)号：CN112064112A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010969509.2
申请日：2020-09-15
申请人： 晶科能源有限公司 , 浙江晶科能源有限公司
摘要： 本申请提供了一种坩埚及其制备方法和用于制备硅晶体的装置，涉及硅晶体的制备技术领域。该坩埚包括：坩埚本体和设于所述坩埚本体内壁的第一高纯层；其中，所述第一高纯层包括第一石英砂，所述第一石英砂的粒径为2μm～5μm，所述第一石英砂包括第一结晶型石英砂和第一非结晶型石英砂，其中所述第一结晶型石英砂的质量含量为60％～80％。本申请能够减少第一高纯层与坩埚本体的膨胀差异，保持第一高纯层的完整性、致密性，从而可以达到降低硅片中氧含量的效果。
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公开(公告)号：CN111960828A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010766412.1
申请日：2020-08-03
申请人： 武汉科技大学
IPC分类号： C04B35/597 , C04B35/622 , C04B35/626 , C30B15/10
摘要： 本发明涉及一种冶炼光伏级硅用氮氧化硅/石英复合陶瓷坩埚及其制备方法。其技术方案是：将70～85质量份的氮氧化硅前驱体和15～30质量份的熔融石英粉体混合，在混合气氛和1400～1700℃条件下保温2～10h，冷却，研磨，制得氮氧化硅粉体；将50～100质量份的氮氧化硅粉体、0～50质量份的熔融石英粉体、0.3～1质量份的分散剂、0.1～2质量份的胶凝剂和30～70质量份的去离子水置入球磨罐中混合，再注入模具，在30～90℃水浴条件下保温0.5～3h，脱模，在80～110℃条件下烘干，于1100～1400℃条件下保温2～10h，制得冶炼光伏级硅用氮氧化硅/石英复合陶瓷坩埚。本发明制备的所述复合陶瓷坩埚具有不开裂和与硅锭不粘连的特点，使用性能良好。
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公开(公告)号：CN111936677A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201980014589.1
申请日：2019-02-13
申请人： 胜高股份有限公司
摘要： 本发明的课题在于提供一种即便在晶体提拉工序中的高温下耐久性也较高，并且能够降低单晶硅中的针孔的产生率的石英玻璃坩埚。本发明的石英玻璃坩埚(1)具备：石英玻璃坩埚主体(10)，具有圆筒状的侧壁部(10a)、弯曲的底部(10b)及具有比底部(10b)高的曲率且将侧壁部(10a)与底部(10b)连接的角部(10c)；及内表面涂膜(13A)，包含结晶化促进剂，并且形成于石英玻璃坩埚主体(10)的内表面(10i)，石英玻璃坩埚主体(10)的内表面(10i)处于压缩应力下。
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公开(公告)号：CN109056055B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201811139478.7
申请日：2018-09-28
申请人： 包头美科硅能源有限公司
摘要： 本发明涉及一种单晶硅棒的生产方法，属于太阳能电池技术领域。一种单晶硅棒的生产方法，包括：㈠向石英坩埚内共装入原料；㈡将石英坩埚送入单晶炉；㈢进行熔料；㈣进行晶棒拉制，制得第一根晶棒；㈤加入原料；进行晶棒拉制，制得第二根晶棒㈥加入原料；进行晶棒拉制，制得第三根晶棒；㈦加入原料；进行晶棒拉制，制得第四根晶棒；㈧加入原料；进行晶棒拉制，制得第五根晶棒；㈨步骤㈧中收尾工艺完成后将第五根晶棒冷却提出后进行停炉操作。本发明的单晶硅棒的生产方法中，装料和加料时都加入钡粉，实现了一边熔料一边对石英坩埚进行多次自动喷涂，可以延长石英坩埚整体使用寿命。
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公开(公告)号：CN111394784A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010162411.6
申请日：2020-03-10
申请人： 徐州鑫晶半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种单晶硅生长装置及单晶硅生长方法，单晶硅生长装置包括：容器，容器为二氧化硅件，容器内限定出用于容纳硅熔体的容纳腔，在沿容器的径向向内的方向上，容器的壁厚增大。根据本发明实施例的单晶硅生长装置，通过将用于容纳硅熔体的容器设置呈在容器的径向向内的方向上，容器的壁厚增大，可以增强容器的保温作用，使得容器内的硅熔体的温度增加，从而可以增加氧的溶解度，从而可以增加硅熔体的氧含量，进而可以增加生长出的单晶硅的氧含量。
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