-
-
-
公开(公告)号：CN115652423A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211364100.3
申请日：2022-11-02
申请人： 四川晶科能源有限公司
摘要： 本申请实施例提供一种单晶炉及单晶硅晶棒的制造方法，单晶炉的底板与侧板围成容纳腔，底板上有电极安装槽，第一底保温层位于容纳腔内且具有贯穿第一底保温层与电极安装槽正对的第一通孔，护盘压片位于第一底保温层上方的容纳腔内且具有贯穿护盘压片且与第一通孔正对的第二通孔，底加热器位于护盘压片上方的容纳腔内且与护盘压片间的间距在预设间距范围之内，环形保温部位于第一底保温层表面且环绕护盘压片，第二底保温层位于第一底保温层与底板间且有贯穿第二底保温层且与第二通孔正对的第三通孔，电极位于电极安装槽内且穿过第三通孔、第二通孔以及第一通孔与底加热器连接。本申请实施例至少可以提高单晶硅晶棒的品质。
-
公开(公告)号：CN115058772B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202210853980.4
申请日：2022-07-13
申请人： 昆明理工大学 , 曲靖阳光新能源股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种导流筒装置，包括导流筒装置本体，导流筒装置本体的第一导流件、第二导流件，第一导流件位于第二导流件上方，第二导流件与第一导流件连接，第二导流件上表面设置有嵌位件，嵌位件位于第二导流件与第一导流件连接处。第二导流件上表面设置的嵌位件设置于第二导流件与第一导流件连接处，使得对晶棒降温的惰性气体从第一导流件的通孔进入，遇到第二导流件上的通孔被堵的情况下，从第一导流件与第二导流件之间的连接处流走，第二导流件对固液界面处的熔体起到保温作用，解决了现有拉晶炉的导流筒装置会使得对晶棒降温的惰性气体接触固液界面处的熔体，使得固液界面处的熔体的温度降低，影响晶棒的生长的问题。
-
公开(公告)号：CN115584554A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211215517.3
申请日：2022-09-30
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司
摘要： 本申请涉及一种单晶炉，包括：主炉室，所述主炉室的外壁具有挂接槽；驱动机构，所述驱动机构包括：悬臂组件，所述悬臂组件上具有挂接部，所述挂接部用于与所述挂接槽插接配合；所述悬臂组件具有竖直升降的移动自由度和水平旋转的转动自由度，所述悬臂组件挂接于所述主炉室后，使得所述主炉室能够随所述悬臂组件升降和旋转。解决了炉体的旋转、升降结构占据的空间较大的技术问题，达到减小炉体的旋转、升降结构占据的空间的技术效果。
-
公开(公告)号：CN115467020A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211003699.8
申请日：2022-08-22
申请人： 包头美科硅能源有限公司 , 江苏美科太阳能科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种有效抑制颗粒硅溅硅跳硅的加料方法，包括对颗粒硅装料方式及现场工艺进行调整，颗粒硅装料方式的调整包括颗粒硅投入阶段的调整及颗粒硅在料筒中加料位置的调整，现场工艺调整包括氩气流量及干泵频率调整、加料埚位调整、加料间隔时间控制和加热器功率调整。本发明的优点是有效避免颗粒硅在使用过程中出现溅硅、跳硅现象，降低单晶生长中断线的概率，提高单晶硅棒产量。
-
公开(公告)号：CN115446671A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211401543.5
申请日：2022-11-10
申请人： 天通控股股份有限公司 , 徐州凯成科技有限公司
摘要： 本发明属于蓝宝石球面晶体技术领域，具体涉及一种蓝宝石球面晶体的制备方法，包括蓝宝石晶体生长步骤、蓝宝石晶体抛光成型步骤，其中引晶和生长的过程包括：下放籽晶，将籽晶按照1.5‑3mm/min的速度碰触液面，碰触到液面后观察籽晶的重量变化，通过调节生长或者融化的功率和调整上方通入的氩气冲入量在2‑20L/min，直到维持籽晶重量稳定，在稳定1‑3h后开始下降功率，开始长晶，在所述长晶过程完成后降温，晶体的位错密度≤1100ps/cm2，单晶性≤14弧秒；蓝宝石晶体抛光成型步骤包括：S4、球面一次粗抛，S5、球面二次粗抛，S6、球面精抛。本发明能够显著减少加工时间，降低加工成本，满足成品技术指标。
-
公开(公告)号：CN115263719A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210912138.3
申请日：2022-07-29
申请人： 西安奕斯伟材料科技有限公司 , 西安奕斯伟硅片技术有限公司
发明人： 吴超
摘要： 本发明实施例公开了一种用于调节拉晶炉内真空状态的系统和方法，所述系统包括：至少一组拉晶炉模块，所述拉晶炉模块包括设备腔室、主真空泵和切换单元，所述主真空泵与所述设备腔室连接，所述切换单元包括第一阀门和第二阀门，所述第一阀门设置在所述主真空泵与所述设备腔室之间；备用模块，所述备用模块包括至少一个备用真空泵，所述备用模块与所述设备腔室连接，所述第二阀门设置在所述备用模块与所述设备腔室之间，所述切换单元经配置为能够打开或关闭所述第一阀门和或所述第二阀门。解决了拉晶炉运行中真空泵工作异常时对产品和设备造成损坏的问题。
-
公开(公告)号：CN115074827A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210740650.4
申请日：2022-06-28
申请人： 乌海市京运通新材料科技有限公司
发明人： 段俊飞
摘要： 本发明具体涉及一种降低单晶头氧含量的方法，属于直拉单晶硅技术领域，所要解决的技术问题是直拉法单晶硅的生长过程中头部的氧含量高的问题，采用的技术方案包括如下步骤：安装热场，装有原料的石英坩埚使用吊料车吊入炉内，进行合炉拆炉后调整干泵频率进行抽真空；熔料，将坩埚中的硅晶体原料加热熔化，形成稳定流动的熔体；将籽晶将至液面使用余热熔接并开始引晶；晶体呈纵向生长等径生长，生长完成后进行收尾；将晶体冷却后取出，进行二次加料，完成后再次熔料；循环上述步骤拉直多段晶体，最后一段将坩埚内晶体熔料消耗剩余5‑7kg停炉。本发明用于直拉法单晶硅生长，可以降低单晶硅头氧含量0.8‑1.5ppma。
-
公开(公告)号：CN115044965A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210846425.9
申请日：2022-07-19
申请人： 宁夏中晶半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于CZ法拉晶的加掺装置及其使用方法，包括重锤和吊绳，所述吊绳安装于重锤的顶部，所述重锤的表面固定套设有套环，所述套环的表面固定连接有连杆，所述连杆的一端固定安装有加掺杯，所述加掺杯的内壁活动连接有硅片，所述加掺杯的底部固定连接有支撑架，所述支撑架表面分别活动套设有第一下料板和第二下料板，所述第一下料板的底部固定镶嵌有铁氧磁块，所述第二下料板的底部固定镶嵌有铁块。本发明具备加掺稳定的优点，解决了目前的加掺方法首先用时较长，耗费人工及电耗等生产成本，其次该方法加掺不稳定，结晶硅片受热容易炸裂，造成掺杂剂被氩气吹拂至炉筒内，无法有效补充掺杂剂的问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
474 条记录 (耗时 0.014 秒)
