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公开(公告)号：CN117766554A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311493258.5
申请日：2023-11-10
申请人： 北京镓和半导体有限公司 , 广州海创产业技术研究院
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明提供了一种基于氧化镓的非对称肖特基结自供电探测器阵列及其制备方法，包括由下到上依次为底部电极(1)、Sn掺杂Ga2O3衬底(2)、Ga2O3外延薄膜(3)、绝缘层薄膜(4)以及顶部电极(5)。本发明通过绝缘层的插入，增大了两端肖特基接触的势垒差，能够实现高性能的自供电探测；制备方法简单，可实现大规模阵列化，具备深紫外成像的潜力；制备工艺成熟，可重复性高，适用于大规模制备，可满足实际生产和应用的需求。
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公开(公告)号：CN117727151A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311470492.6
申请日：2023-11-07
申请人： 北京镓和半导体有限公司 , 广州海创产业技术研究院
摘要： 本发明公开了一种基于氧化镓日盲探测器的火灾及电晕检测两用预警系统和方法，包括控制模块、数据采集模块、数据处理模块、声光报警模块、GPS定位模块、存储模块、无线传输模块和供电模块。本发明通过将设备放置在需要监测的位置，不需考虑太阳光对监测信号带来的强烈干扰，可全天候在户外进行实时的远程监测，一旦发生火灾或电晕放电时，系统会发出警报及时地通知相关人员赶往事发地，从而将损失降到最低。
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公开(公告)号：CN117497620A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311470826.X
申请日：2023-11-07
申请人： 北京镓和半导体有限公司 , 广州海创产业技术研究院
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/101 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种通过电场调控响应波段的氧化镓基深紫外探测器及其制备方法，包括：由上而下依次设置的金属电极(1)、修饰层(2)、光吸收层(3)和衬底(4)，所述金属电极(1)与所述光吸收层(3)之间形成欧姆接触，所述光吸收层(3)为Ga2O3薄膜，所述修饰层(2)采用分散的NiO纳米颗粒，所述衬底(4)为蓝宝石衬底。本发明探测器，不仅在深紫外区域具备优异的光电性能，而且通过简单的电场调控即可实现对深紫外区域内不同波段的区分检测。
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公开(公告)号：CN114086249A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111460474.0
申请日：2021-12-02
申请人： 北京镓和半导体有限公司
摘要： 一种氧化镓单晶制备中抑制原料分解和铱金坩埚氧化的方法。所述方法包括：在控制温度条件下生长氧化镓晶体，且将氧化镓的生长温度划分成至少两个的温度区间，对每一个温度区间设置不同的生长气氛。本发明的方法将氧化镓单晶制备过程中的温度细分为多个区间，通过不同温区气氛比例的精确控制，达到抑制原料分解挥发和铱金坩埚氧化挥发的目的，从而降低设备损耗，提高单晶质量，降低生产成本。本发明操作简单有效，成本低廉，有利于氧化镓单晶的工业化生产和科研探索。
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公开(公告)号：CN117790615A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311658017.1
申请日：2023-12-06
申请人： 北京镓和半导体有限公司 , 广州海创产业技术研究院
IPC分类号： H01L31/109 , H01L31/18 , H01L31/032
摘要： 本发明属于半导体光子器件领域，具体涉及一种异质结深紫外自供电探测器阵列，所述探测器阵列由以设定阵列结构的Ga2O3‑Co3O4异质结单元构成；每个所述异质结单元包括：第一金属电极、Co3O4薄膜、第二金属电极和Ga2O3薄膜；所述第一金属电极与所述Co3O4薄膜形成欧姆接触；所述第二金属电极与所述Ga2O3薄膜形成欧姆接触。本发明所述探测器阵列表现出良好的均一性，并且每个异质结探测器单元均具有优异的响应度和探测率以及超快的响应速度。此外，该异质结探测器阵列可以在自供电的模式下实现深紫外成像，且成像效果良好。
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公开(公告)号：CN117661104A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311658218.1
申请日：2023-12-06
申请人： 北京镓和半导体有限公司 , 广州海创产业技术研究院
摘要： 本发明属于半导体材料制备技术领域，具体涉及一种梳状籽晶及其应用。该梳状籽晶包括：籽晶杆、籽晶主体和籽晶齿，籽晶主体一端设有籽晶杆，另一端设有籽晶齿，籽晶齿的数量≥2。将本发明提供的梳状籽晶作为氧化镓导模法生长氧化镓晶体中的引晶材料，可以通过梳状籽晶的籽晶齿实现多点并行引晶、缩颈、放肩，缩短关键生长过程时间，避免挥发物在固‑液界面影响放肩生长，降低晶体生长缺陷发生概率，提高了晶体生长质量和效率。
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公开(公告)号：CN118117018A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410061492.9
申请日：2024-01-16
申请人： 北京镓和半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种图形化氧化镓衬底及其制备方法，所述图形化氧化镓衬底表面由相同的呈规则排列的图形组成，每个图形为n+2个棱台(0≤n≤10)和一个棱台或者棱锥构成的多层塔状结构，每层结构按底面面积从大到小逐层向上排列。本发明通过微纳加工技术对氧化镓衬底表面进行图形化，图形化的衬底可以缓解氮化镓薄膜在氧化镓衬底上外延生长过程中的应力，减小氧化镓衬底与氮化镓薄膜之间的晶格失配率，使氧化镓衬底可以外延生长更高质量的氮化镓薄膜，以此提高氮化镓发光器件的性能。
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公开(公告)号：CN118073448A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410063437.3
申请日：2024-01-16
申请人： 北京镓和半导体有限公司
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/0392 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种蜂窝状氧化镓薄膜及其制备方法，该氧化镓薄膜(2)由若干个呈规则排列的正六边形孔洞组成；该制备方法包含如下步骤：步骤1：在衬底(1)上制备二氧化硅薄膜(3)；步骤2：旋涂光刻胶(4)并光刻出图案；步骤3：刻蚀二氧化硅薄膜(3)；步骤4：去除光刻胶(4)并进行清洗；步骤5：沉积氧化镓薄膜(2)；步骤6：去除二氧化硅模板。本发明使用微纳加工技术预先制备二氧化硅柱状阵列模板，通过在模板上沉积氧化镓薄膜，制备了蜂窝状氧化镓薄膜，蜂窝状孔洞增大了薄膜的比表面积，减弱了光线在薄膜表面的反射，增加深紫外光的传播路径，增强薄膜对深紫外光的吸收，本发明工艺可控，重复性强，所制得的薄膜结晶性好、质量高。
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公开(公告)号：CN118073298A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410063136.0
申请日：2024-01-16
申请人： 北京镓和半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/02 , H01L21/48
摘要： 本发明公开了一种多层齿状凹槽增强散热的氧化镓衬底及其制备方法，所述氧化镓衬底(1)结构为背部有若干等距排列的多层齿状凹槽，每个凹槽有N层，每层结构的宽度和高度随刻蚀深度的增加而减小，凹槽内部填充有高热导率材料(2)。本发明通过多次光刻与刻蚀在氧化镓衬底背部加工出多层齿状凹槽，这种结构能够有效改善氧化镓衬底的散热特性，减少热量集中并提高热量的传导，有助于提高其在热管理方面的效率和性能。
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