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公开(公告)号：CN116752136A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310530488.8
申请日：2023-05-10
申请人： 广东芯华镁半导体技术有限公司
发明人： 吴攀
摘要： 本发明属于电镀工艺技术领域，尤其涉及一种半导体晶圆自动化学镍钯金化镀工艺及化镀设备，包括以下步骤：(1)采用酸性除油剂对晶圆的表面进行清洗；(2)采用过硫酸钠与硫酸对晶圆的表面进行微蚀处理；(3)利用酸性液体对晶圆的表面进行酸洗；(4)浸锌，使晶圆的表面涂覆有锌金属层；(5)化学镀镍，于所述晶圆的铜层上形成镍层；(6)化学镀钯，于晶圆上的镍层上化学沉淀钯层；(7)化学浸金，于晶圆的铜层上形成镍钯金镀层。(8)超声波冲洗，下料；本发明提供的晶圆化镀工艺中，通过控制每种镀层的电镀成型时间，多次电镀，进而确保晶圆镀层的均匀性，保证每个晶圆化镀工艺的作业模式相近，产品质量水平稳定，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN116695204A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310989286.X
申请日：2023-08-08
申请人： 宁波德洲精密电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种IC框架镀锡加工方法，涉及电镀技术领域，包括如下步骤：步骤S1、热处理，步骤S2、脱脂处理，步骤S3、电镀，步骤S4、后处理。电镀采用的电镀液是以去离子水为溶剂，包括：锡盐、苯甲酸、水溶性壳聚糖、双(羟甲基)咪唑烷基脲、1‑苄基吡啶‑3‑羧酸盐、茶多酚、3,3'‑二磺酸基‑4,4'‑二氟苯基砜二钠盐、抗氧化剂、光亮剂、表面活性剂、络合剂、稳定剂。该IC框架镀锡加工方法工艺简单，操作方便，镀锡效率高、效果好，形成的镀层与IC引线框架结合力强，抗氧化性、焊接性和焊接可靠性优异。
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公开(公告)号：CN116682895A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310596175.2
申请日：2023-05-24
申请人： 通威太阳能(成都)有限公司
发明人： 朱万宇
IPC分类号： H01L31/20 , C25D5/02 , C25D7/12 , H01L31/0224
摘要： 本发明提供了一种改善太阳电池电镀时渗镀的方法，包括以下步骤：提供太阳电池前驱体，所述太阳电池前驱体上具有铜种子层，所述铜种子层的表面具有氧化铜层；去除所述氧化铜层；在去除所述氧化铜层后的所述铜种子层上制备感光胶层；对所述感光胶层依次进行曝光、显影，得到图形化感光胶层，其中，所述图形化感光胶层具有开槽，且部分所述铜种子层暴露于所述开槽，将暴露于所述开槽的所述铜种子层定义为第一铜种子部，并将未暴露于所述开槽的所述铜种子层定义为第二铜种子部；在所述第一铜种子部上电镀铜，得到铜栅线；以及去除所述图形化感光胶层和所述第二铜种子部。本发明能够提高太阳电池的转换效率和外观。
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公开(公告)号：CN116682785A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310969347.6
申请日：2023-08-03
申请人： 泉州市颖秀科技发展有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , C25D3/38 , C25D5/20 , C25D7/12
摘要： 本公开涉及芯片封装技术领域，具体公开一种采用葡萄糖实现TSV完全填充方法，包括进行预处理、浸润TSV芯片、进行电镀填充处理和磨样抛光观察处理。本公开摒弃了传统的高分子材料的有机添加剂作为抑制剂的情况，使用对环境更加友好，不会畏寒人体且价格低廉的葡萄糖作为抑制剂对TSV芯片进行电镀填充操作，同时保护了环境，避免出现形成“夹断”现象，及铜层出现微裂缝或微孔洞的问题，不会影响产品质量。并且本公开的方法简单，对设备要求较低。
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公开(公告)号：CN112397422B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202011306377.1
申请日：2020-11-19
申请人： 苏州尊恒半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种晶圆深孔电镀前处理润湿方法，首先将晶圆放置于载具内，并将载具搬运到密闭的装置内；进而将密闭的装置内的气体全部抽走；进一步的向装置内通一定量的水；进而振动装置工作带动密闭装置与其内的水和晶圆一起振动；保持一段时间后开始破真空工序：抽气装置打开使外部的气体进入密闭装置内，保持一段时间后再次进行抽真空工序：将密闭的装置内的气体全部抽走；再然后振动装置再次工作带动密闭装置与其内的水和晶圆一起振动；当振动工序再次结束后再次进行破真空工序：抽气装置打开使外部的气体进入密闭装置内。本发明提供一种晶圆深孔电镀前处理润湿方法，提高了硅晶圆的润湿效果，提高了后段电镀的品质。
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公开(公告)号：CN114351227B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202110290535.7
申请日：2021-03-18
申请人： 青岛惠芯微电子有限公司 , 青岛惠科微电子有限公司 , 北海惠科半导体科技有限公司
摘要： 本申请公开了电镀挂具和电镀装置，所述电镀挂具包括下载板、第一导电结构、第二导电结构、第一固定结构、第二固定结构和阴极接口，所述下载板上设有用于放置晶圆的晶圆槽，所述第一导电结构和第二导电结构尺寸不同，且设置在所述晶圆槽的底部；所述第一固定结构将大尺寸的第一晶圆固定在所述晶圆槽内，所述第二固定结构将小尺寸的第二晶圆固定在所述晶圆槽内。通过上述设计，使得本申请中的电镀挂具能够对不同尺寸的晶圆进行电镀，提高电镀装置的适用性。
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公开(公告)号：CN116377548B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310649101.0
申请日：2023-06-02
申请人： 苏州尊恒半导体科技有限公司
发明人： 肖锦成
摘要： 本发明公开了一种晶圆均匀电镀设备，涉及晶圆电镀技术领域，包括基座，所述基座的表面固定有电镀槽箱，且电镀槽箱靠近底部的一端开设有底腔，还包括靠板和混液组件，所述靠板设置在电镀槽箱的开口处，靠板的底端两侧均开设有预留通口，且靠板的一侧与电镀槽箱之间固定有一对撑板，所述靠板的另一侧固定有V状轨架，且V状轨架上开设有T形通槽，所述V状轨架上设置有挂具，所述T形通槽的一端内壁固定安装有多对等距离分布的棱柱块；本发明当从动转轴进行转动时，能够带动螺旋绞片进行转动，配合设置的阔头套筒，能够使得电镀液鼓向锥头端，并使电镀液经过锥头端进行分散；设置的多个分流弧片，能够提高阔头套筒中输出电镀液的分散均匀性。
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公开(公告)号：CN116575095A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310628393.X
申请日：2023-05-31
申请人： 晟盈半导体设备(江苏)有限公司
摘要： 本发明公开了阴阳极独立的晶圆电镀设备，其包括盛放有电镀液的电镀池、形成有电镀腔的电镀槽、分隔组件以及阳极组件，其中电镀槽自顶部形成敞开口；分隔组件插装在电镀腔内并将电镀腔分隔为自周向密封的阳极腔、与敞开口相连通的阴极腔，且分隔组件包括离子膜、分别设置在离子膜相对两侧的第一格栅板和第二格栅板，其中第一格栅板和第二格栅板上对应形成有多个第一格栅孔和多个第二格栅孔；阳极组件包括与阳极腔相连通的循环管道、插在阳极腔内并与电源正极相导通的导电柱。本发明能够维持整个阳极腔内金属离子的含量，从而保证在整个电镀过程中金属离子稳定供应，有效提升电镀质量；同时能够节约阳极板的消耗量，有效降低生产成本。
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公开(公告)号：CN116555848A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310655774.7
申请日：2023-06-05
申请人： 厦门大学
摘要： 本发明涉及半导体电子电镀技术领域，特别涉及一种用于硅通孔铜填充的酸性镀铜液添加剂、酸性镀铜液及硅通孔的铜金属填充方法。所述添加剂由运载剂、光亮剂和整平剂组成；所述运载剂、光亮剂和整平剂以(100～5000):(1～100):(5～200)的质量比组成。本发明提供的酸性镀铜液以水为溶剂，以甲基磺酸铜或五水硫酸铜为主盐，采用恒定阶梯电流密度进行电镀铜填充。本发明在适用条件范围内，能够实现孔径在2～10μm范围内，孔深在16～300μm范围内，深径比大于8:1的硅通孔致密完全填充，填充层无孔洞及缝隙，满足3D封装领域的应用需求。
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公开(公告)号：CN116254586B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310541563.0
申请日：2023-05-15
申请人： 苏州晶洲装备科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种电镀装置，涉及太阳能电池电镀技术领域。该电镀装置包括支架、闸门机构及阴极组件，支架上设置有电镀槽，电镀槽内设置有阳极板和电镀液，电镀槽沿第一方向的一端开设有第一开口；闸门机构包括沿第一方向间隔设置的第一闸门与第二闸门，第一闸门与第二闸门均活动连接于支架，第一闸门与第二闸门下降时均能够封堵第一开口；阴极组件包括横梁，横梁沿第二方向延伸并能够承载电池片，横梁能够沿第一方向通过闸门机构并移动至电镀槽内，电池片进入电镀液并与阳极板间隔设置，第一方向垂直于第二方向。电镀装置能够对水平移动的电池片进行电镀，从而保证了电池片的电镀质量，提高了电镀效率。
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