公开(公告)号：CN115706169A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210397670.6

申请日：2022-04-15

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金台原 ,  金亨俊 ,  卓容奭 ,  金俞琳 ,  李公洙

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34

摘要： 公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括：氧化物半导体层，在基底上并且包括第一部分和跨第一部分彼此间隔开的一对第二部分；栅电极，在氧化物半导体层的第一部分上；以及一对电极，在氧化物半导体层的对应的第二部分上。氧化物半导体层的第一部分的第一厚度小于氧化物半导体层的每个第二部分的第二厚度。氧化物半导体层的第一部分中的氧空位的数量小于氧化物半导体层的每个第二部分中的氧空位的数量。

公开(公告)号：CN112349593B

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202011163303.7

申请日：2020-10-27

申请人： 华东师范大学

发明人： 李文武 ,  高彩芳 ,  聂倩帆 ,  李梦姣 ,  胡志高 ,  褚君浩

IPC分类号： H01L21/34 ,  H01L29/786 ,  H01L29/43 ,  H01L29/417 ,  H01L29/24

摘要： 本发明公开了一种石墨烯为源漏电极的二维薄膜晶体管及制备方法，所述二维晶体管属于底栅顶接触型晶体管。其制备方法首先使用机械剥离法用英格兰蓝色胶带从二维材料块材上剥离薄膜到Gelpak机械剥离专用PF凝胶膜，选择合适厚度且表面均匀的材料转移到硅/二氧化硅衬底上作为N型半导体沟道层。再剥离两块石墨烯薄膜分别转移到半导体层两端作为源、漏电极，最后利用掩模版通过热蒸发法蒸镀金电极，由此制备得到所述二维薄膜晶体管。本发明区别于其他二维器件制备工艺，无需复杂昂贵的电子束光刻，所用材料安全环保，成本低廉，不仅得到了以二维材料为源漏电极和沟道的微电子器件，而且从迁移率、开关比等方面优化了现有的二维晶体管。

公开(公告)号：CN112103177B

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN202011004709.0

申请日：2020-09-22

申请人： 山东大学

发明人： 冯先进 ,  徐伟东

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/24 ,  H01L29/786

摘要： 本发明涉及一种非晶铟铝锡氧化物半导体薄膜的制备方法，包括：(1)清洗衬底；(2)使用射频磁控溅射法以IATO陶瓷靶作为靶材，在衬底上沉积非晶IATO薄膜；IATO陶瓷靶中In原子所占原子比为10％‑70％，Al原子所占原子比为10％‑50％，Sn原子所占原子比为10％‑50％；(3)在空气中对非晶IATO薄膜进行热退火处理，即得。本发明通过探索和优化制备及热退火工艺参数，制备的非晶铟铝锡氧化物薄膜具有非晶结构，薄膜的表面平整、粗糙度低，具备高的可见光透过率和宽的带隙，同时表现出极高的霍尔迁移率、较低的电阻率以及合适的载流子浓度，在薄膜晶体管等器件领域具备了广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN115377224A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202211051196.8

申请日：2022-08-26

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 郑雪峰 ,  洪悦华 ,  张超 ,  张方 ,  何云龙 ,  马晓华 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L21/329

摘要： 本发明公开了一种高击穿双极场限环结构的氧化镓肖特基二极管及制备方法，主要解决现有同类器件击穿电压低的问题。其自下而上包括：阴极(1)、衬底(2)、外延层(3)和阳极(6)，所述衬底(2)和外延层(3)，均采用n型掺杂的氧化镓材料，该氧化镓外延层(3)上表面的阳极外部依次设有p型场限环(4)和n型场限环(5)，且n型场限环(5)位于p型场限环(4)的上部，两者采用不同的半导体材料，以与氧化镓外延层形成异质双极结构场限环。本发明相对现有的二极管极大的提高了器件的击穿电压性能，可用于高耐压大功率电力电子系统。

公开(公告)号：CN110246900B

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN201910168669.4

申请日：2019-03-06

申请人： 夏普株式会社

发明人： 菊池哲郎 ,  铃木正彦 ,  西宫节治 ,  上田辉幸 ,  山中昌光 ,  大东彻 ,  今井元 ,  原健吾

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/24

摘要： 提供具备能具有高迁移率和高可靠性的氧化物半导体TFT的半导体装置。半导体装置具备薄膜晶体管，薄膜晶体管的半导体层具有包括包含In、Ga、Zn及Sn的下部氧化物半导体层和配置于下部氧化物半导体层上且包含In、Ga及Zn的上部氧化物半导体层的层叠结构，下部氧化物半导体层的厚度是20nm以下，下部氧化物半导体层中的Sn相对于全部金属元素的原子数比是5％以上，上部氧化物半导体层不包含Sn，或者上部氧化物半导体层中的Sn相对于全部金属元素的原子数比小于下部氧化物半导体层中的Sn相对于全部金属元素的原子数比，下部氧化物半导体层的侧面与下表面之间的第1角度小于上部氧化物半导体层的侧面与下表面之间的第2角度。

公开(公告)号：CN115332358A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202210967917.3

申请日：2022-08-12

申请人： 上海集成电路制造创新中心有限公司

发明人： 杨雅芬 ,  朱颢 ,  张卫

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/24 ,  H01L29/417 ,  H01L29/47 ,  H01L21/336

摘要： 本发明公开了一种二维材料晶体管结构及其制备方法，通过在半导体衬底上形成二维材料层，形成覆盖于二维材料层沟道区上的保护层，并露出二维材料层上的源接触区和漏接触区，将源接触区和漏接触区浸入在用于Li插层的试剂中浸泡，使源接触区和漏接触区的二维材料层通过Li插层引发相变，由半导体态2H相被诱导形成金属态1T相，且与沟道区的2H相的二维材料层之间在界面上形成2H‑1T同质结，同时以2H相的二维材料作为沟道，从而增强了晶体管器件的导通性能。

公开(公告)号：CN112875655B

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202110124435.7

申请日：2021-01-29

申请人： 中南大学

发明人： 欧阳方平 ,  朱旭坤 ,  周喻 ,  敬玉梅

IPC分类号： C01B19/04 ,  H01L29/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明公开了一种非层状二维Cr2Se3纳米片的制备方法：(1)将铬源放入石英管中心的恒温区，硒源放入石英管的上游低温区，基片放入石英管的下游且靠近恒温区；(2)采用惰性气体排空石英管中的空气；(3)对石英管进行加热至700‑780℃，并通入载气，保温5‑15min，冷却，在基片上沉积有非层状二维Cr2Se3纳米片。本发明还公开了该制备方法制备获得的非层状二维Cr2Se3纳米片在电学器件中的应用。本发明制备了具有磁性的Cr2Se3纳米片，为自旋玻璃行为在维度降低效应中的研究提供了材料物质基础。

公开(公告)号：CN112820643B

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202011578764.0

申请日：2020-12-28

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 王元刚 ,  吕元杰 ,  孙肇峰 ,  敦少博 ,  刘宏宇 ,  周幸叶 ,  谭鑫 ,  韩婷婷 ,  梁士雄 ,  冯志红

IPC分类号： H01L21/329 ,  H01L29/872 ,  H01L29/40 ,  H01L29/24

摘要： 本发明公开了一种氧化镓SBD的制备方法及结构，属于半导体制造技术领域。所述氧化镓SBD的制备方法，包括N+高浓度衬底，生长在所述N+高浓度衬底上的N‑低浓度氧化镓外延层，通过在所述N‑低浓度氧化镓外延层上淀积介质掩膜层和金属掩膜层，干法刻蚀未被所述金属掩膜层覆盖的介质掩膜层，湿法腐蚀所述金属掩膜层下部预设宽度的介质掩膜层，去除所述金属掩膜层后，在所述N‑低浓度氧化镓外延层上生长P型异质层，最后制备阴极和阳极。本发明提供的制备氧化镓SBD的方法，采用双层掩膜，湿法腐蚀突破光刻尺寸限制，从而实现更小的P型异质层间距。

公开(公告)号：CN115274831A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210920080.7

申请日：2022-08-01

申请人： 复旦大学

发明人： 陈琳 ,  王思维 ,  孟佳琳 ,  王天宇 ,  孙清清 ,  张卫

IPC分类号： H01L29/24 ,  H01L29/792 ,  H01L21/34 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明公开一种基于超薄ITO薄膜的SONOS存储器及其制备方法。该基于超薄ITO薄膜的SONOS存储器包括：衬底，其为具有SiO2层的Si片，所述SiO2层中形成有凹槽，作为栅极区域；栅极，形成在所述栅极区域；阻挡层/电荷俘获层叠层结构，覆盖所述栅极；隧穿层，形成在所述电荷俘获层上；超薄ITO薄膜，形成在所述隧穿层上，作为沟道；源极和漏极，形成在所述ITO薄膜两侧。

公开(公告)号：CN115241071A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210873040.1

申请日：2022-07-21

申请人： 西安工业大学

发明人： 栗旭阳 ,  弥谦 ,  梁海锋 ,  裴旭乐 ,  赵元杰 ,  张维佳

IPC分类号： H01L21/34 ,  H01L29/24 ,  H01L29/786

摘要： 本发明关于一种金属氧化物薄膜及其制备方法、薄膜晶体管。其中，金属氧化物薄膜的制备方法包括：在设定相对湿度的制备环境中，使金属氧化物前驱液在基片上形成金属氧化物湿膜，并对金属氧化物湿膜进行预退火处理得到预固化金属氧化物薄膜；对预固化金属氧化物薄膜进行等离子处理得到等离子激活的金属氧化物薄膜；对等离子激活的金属氧化物薄膜进行后退火处理得到金属氧化物薄膜。本发明通过制备环境相对湿度与预退火处理温度的相互配合，实现对预固化金属氧化物薄膜毛细流动性和疏松程度的调控，从而在保证甚至进一步扩大等离子激活工艺可调谐范围以及等离子处理对预固化薄膜低温激活效果的基础上，提高金属氧化物薄膜的抗等离子刻蚀损伤能力。