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公开(公告)号：CN111334772B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202010325254.6
申请日：2020-04-23
申请人： 苏州迈正科技有限公司
IPC分类号： C23C14/50 , C23C14/22 , C23C16/458 , C23C16/44
摘要： 本发明提供了一种真空载片装置及真空镀膜设备，涉及真空镀膜设备技术领域，所述真空载片装置包括：腔体、载片架和分气模组，所述载片架和所述分气模组均位于所述腔体内部，且所述载片架和所述分气模组沿第一方向依次设置；所述分气模组包括进气口和出气口，以及连通进气口和出气口的通道，所述进气口与外界气源连通，以使外界的气体能够通过所述分气模组进入到所述腔体内部，所述出气口设置在所述分气模组的侧壁上，所述出气口朝向所述载片架的周向外侧。
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公开(公告)号：CN111304594B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202010325253.1
申请日：2020-04-23
申请人： 苏州迈正科技有限公司
IPC分类号： C23C14/22
摘要： 本发明提供了一种真空装置及真空镀膜设备，涉及真空镀膜设备技术领域，所述真空装置包括：真空腔室、载板和进气机构和阻风板，所述载板用于支撑晶体片，所述进气机构设置在所述真空腔室的腔盖上，用于向所述真空腔室内充气，所述载板和阻风板均位于所述真空腔室内部，且所述阻风板位于所述进气机构的出风口和载板之间，用于阻挡所述出风口吹出的气流吹向所述载板。所述载板和阻风板均位于所述真空腔室内部，且所述阻风板位于所述进气机构的出风口和载板之间，由出风口吹出气流直接冲击到阻风板上，而不会直接吹向晶体片，从而减少气流对晶体片的冲击，降低气流对晶体片的损伤。
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公开(公告)号：CN118281113A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410377767.X
申请日：2024-03-29
申请人： 苏州迈为科技股份有限公司 , 苏州迈正科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216 , C23C16/50 , C23C16/24 , C23C16/56
摘要： 本发明提供了一种本征硅钝化层及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤：在硅衬底表面沉积第一子钝化层，在第一子钝化层表面沉积第二子钝化层，得到本征硅钝化层；其中，所述第一子钝化层的沉积工艺气体包括氩气和硅烷，所述第二子钝化层的沉积工艺气体包括硅烷和氢气。本发明提供的制备方法，制备过程中掺入氩气，可解决制备过程中镀膜缺角及放电不稳定现象，同时可提高镀膜均匀性，提升镀膜沉积速率，并且降低了硅烷气体用量，并且改善了钝化层膜层的质量。
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公开(公告)号：CN117410380A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311510262.8
申请日：2023-11-14
申请人： 苏州迈为科技股份有限公司 , 苏州迈正科技有限公司
摘要： 本申请公开了一种用于制备异质结太阳能电池的设备、系统及方法，属于太阳能电池制备技术领域。用于制备异质结太阳能电池的设备，异质结太阳能电池包括硅衬底，设于硅衬底第一表面的第一本征钝化层，及设于硅衬底第二表面的第二本征钝化层，第一本征钝化层包括第一子本征层和第二子本征层，第二本征钝化层包括第三子本征层和第四子本征层；设备包括：第一工艺腔体，用于制备第一子本征层或第三子本征层；第二工艺腔体，所述第二工艺腔体与第一工艺腔体相连通，用于制备第二子本征层或第四子本征层；第一工艺腔体内的工艺温度与第二工艺腔体内的工艺温度不同。本申请能满足异质结电池对本征非晶硅基薄膜的多重要求，有助于提升电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN117403186A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311484330.8
申请日：2023-11-09
申请人： 苏州迈为科技股份有限公司 , 苏州迈正科技有限公司
摘要： 本申请公开了一种真空镀膜设备的加热装置、方法及镀膜设备，属于真空镀膜领域。一种真空镀膜设备的加热装置，包括加热板，所述加热板包括四周区域和中间区域；所述四周区域和所述中间区域具有不同的热辐射率，来实现对镀膜基板各对应区域的加热以使所述镀膜基板各处温差在预设的范围内；所述四周区域和所述中间区域经过表面处理后获得不同的热辐射率；所述表面处理方式为氧化、湿法处理、涂层覆盖、镀膜、喷砂粗糙化、拉丝、熔喷和抛光中的至少一种。本申请可以对大尺寸镀膜基板各位置进行差异性加热，有效缩小同一基板上硅片之间存在的温差，提高镀膜均匀性。
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公开(公告)号：CN116297401A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310330648.4
申请日：2023-03-30
申请人： 苏州迈为科技股份有限公司 , 苏州迈正科技有限公司
IPC分类号： G01N21/65 , H01L31/072 , H01L31/0745 , H01L31/18 , H01L21/02
摘要： 本发明提供了一种微晶硅薄膜沉积工艺的研究方法，采用微晶硅薄膜晶化率测试样品作为拉曼基底进行拉曼光谱测试，所述微晶硅薄膜晶化率测试样品按照待研究的微晶工艺条件沉积在测试基底上的。所述微晶硅薄膜晶化率测试样品包括衬底和层叠于衬底上的本征氢化非晶硅膜。区别于传统衬底，本发明微晶硅薄膜晶化率测试基底具有本征氢化非晶硅膜，能够有效解决传统衬底影响微晶硅薄膜生长或诱导微晶硅薄膜结晶的缺点。从而本发明微晶硅薄膜晶化率测试样品能够准确地测定微晶硅薄膜的晶化率，进而监控微晶太阳电池硅薄膜的晶化率，为工艺调试中提供数据支撑，从而制备出高光电转化效率的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN114525498B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210223385.2
申请日：2022-03-07
申请人： 苏州迈为科技股份有限公司 , 苏州迈正科技有限公司
IPC分类号： C23C16/513 , C23C16/455
摘要： 本发明公开了一种下垂罩板及带有该下垂罩板的PECVD设备，属于PECVD设备技术领域。本发明的下垂罩板，第一绝缘框设置在底板框上，第二绝缘框设置在第一绝缘框上；底板框由若干个底板连接形成，底板的下侧面设置有延伸部，延伸部与底板的下侧面相互垂直，第一绝缘框由若干个第一绝缘板拼合形成，第二绝缘框由若干个第二绝缘板拼合形成；底板的上侧面与第一绝缘板的下侧面之间，以及第一绝缘板的上侧面与第二绝缘板的下侧面之间，形成有若干个连通底板框内外两侧的条形孔，条形孔在底板框厚度方向上的高度为1‑20mm；本实施方式的下垂罩板能够极大程度地提高真空镀膜工艺的加工效率和良品率。
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公开(公告)号：CN112210759A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202011102437.8
申请日：2020-10-15
申请人： 苏州迈正科技有限公司
IPC分类号： C23C14/26
摘要： 本发明涉及一种加热器及真空镀膜装置，加热器包括加热丝、第一壳体及第二壳体，其中：第二壳体包覆在第一壳体的外侧，且第二壳体背离第一壳体的外表面为氟原子复合损失率小于5×10‑3的材料；第一壳体包覆在加热丝的外侧，且第一壳体的热膨胀系数与第二壳体的热膨胀系数的比值为0.5‑2，在空气中，第二壳体背离第一壳体的外表面对氟离子的耐腐蚀性能优秀，以避免氟离子与加热丝相接触，实现对加热丝的保护，杜绝了加热丝保护套被腐蚀后产生粉末掉落在腔体内部和工件上的情况发生，延长了加热丝的寿命，提高了设备的开动率和产量，提高了产品良率；并且方便加热丝的弯折，从而使得加热器的强度、韧性和延展性较好，便于实现多种弯折形状。
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公开(公告)号：CN111029286A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911146058.6
申请日：2019-11-20
申请人： 苏州迈正科技有限公司
IPC分类号： H01L21/677 , H01L31/18
摘要： 本发明提供了一种传输装置及太阳能电池生产系统，涉及太阳能电池制备技术领域，所述传输装置包括：保温腔体和传送带机构，所述传送带机构位于所述保温腔体内；所述保温腔体靠近所述传送带机构的上料端和下料端的位置处均设置有开口，所述保温腔体通过所述开口与外界连通；所述开口均设置有可开闭的密闭门。只有当物品进入或者离开保温腔体时，对应开口的密闭门才会开启，其余情况密闭门都是关闭的，这样可以尽量减少保温腔体内的待运输物品与外界的热交换，从而缓解了运输过程中物品温度降低过多的问题。
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公开(公告)号：CN110512183A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910897466.9
申请日：2019-09-23
申请人： 苏州迈正科技有限公司
IPC分类号： C23C14/50 , C23C16/46 , C23C16/458
摘要： 本发明公开了一种真空镀膜设备，包括从左向右依次设置的快速预加热装载腔、用于对托盘进行加热的加热缓冲腔、用于对托盘上的产品进行镀膜的镀膜腔、用于托盘缓慢降温的降温缓冲腔、用于冷却托盘的冷却腔、卸载腔，在装载腔、加热缓冲腔、镀膜腔、降温缓冲腔中至少有一个腔设计连接在中高频电源上的感应线圈，感应线圈四周产生的极性瞬间变化的交变磁场，当导电导磁托盘位于上述交变磁场中时，产生涡流效应和磁滞现象被加热，实现快速加热托盘的技术效果；及使用上述设备对导电导磁托盘进行快速加热的方法，采用中高频电源连接感应线圈，使托盘经过由感应线圈产生极性瞬间变化的交变磁场而升温的方式，加热速度快，腔体设计简单，托盘温度稳定。
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