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公开(公告)号：CN104124336B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201310515766.9
申请日：2013-10-28
申请人： 爱思开海力士有限公司
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/126 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/1691
摘要： 提供了一种阻变存储器件及其制造方法。所述阻变存储器件包括：底部结构，包括加热电极；数据储存材料，每个数据储存材料以垂直于底部结构的受限结构形成在底部结构上，并且具有小于上直径的下直径；上电极，形成在每个数据储存材料上；以及绝缘单元，形成在相邻的数据储存材料之间。
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公开(公告)号：CN104798201B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201380060739.5
申请日：2013-11-07
申请人： 美光科技公司
CPC分类号： H01L45/06 , H01L27/2427 , H01L27/2463 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1683 , H01L45/1691
摘要： 在一些实施例中，一种集成电路包含填充形成于所述集成电路中的开口的窄垂直延伸柱。在一些实施例中，所述开口可含有用以形成相变存储器单元的相变材料。由所述柱占据的所述开口可使用在不同垂直层级上形成的例如间隔物的交叉牺牲材料线来界定。所述材料线可通过允许形成极细线的沉积工艺来形成。所述线的相交点处的所暴露材料经选择性地移除以形成所述开口，所述开口具有由所述线的宽度确定的尺寸。举例来说，所述开口可填充有相变材料。
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公开(公告)号：CN104471703B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201380038024.X
申请日：2013-06-28
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L27/2463 , H01L27/2409 , H01L27/2445 , H01L29/02 , H01L45/06 , H01L45/12 , H01L45/124 , H01L45/141 , H01L45/144 , H01L45/145 , H01L45/1666 , H01L45/1691
摘要： 一些实施例包含一种直接在间隔开的节点上方具有氧敏感结构的构造。每一氧敏感结构包含成角度板，所述成角度板具有沿着节点的顶部表面的水平部分及从所述水平部分向上延伸的非水平部分。每一成角度板具有：内部侧壁，其中内侧拐角形成于所述非水平部分与所述水平部分之间；外部侧壁，其与所述内部侧壁呈相对关系；及若干横向边缘。位线是在所述氧敏感结构上方，且具有从所述氧敏感结构的所述横向边缘向上延伸的侧壁。不含氧结构是沿着所述内部侧壁、沿着所述外部侧壁、沿着所述横向边缘、在所述位线上方且沿着所述位线的所述侧壁。一些实施例包含存储器阵列及形成存储器单元的方法。
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公开(公告)号：CN105098070A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510401165.4
申请日：2015-07-07
申请人： 宁波时代全芯科技有限公司 , 英属维京群岛商时代全芯科技有限公司
发明人： 苏水金
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/126 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/16 , H01L45/1691
摘要： 一种相变化记忆体的制备方法，包含下列步骤。先形成一第一罩幕层于一介电层上，再形成一第二罩幕层于第一罩幕层上。之后图案化第一罩幕层与第二罩幕层，以暴露第一罩幕层的一侧面，并自第一罩幕层的侧面处移除部分的第一罩幕层，以形成一柱状突出物。接着移除第二罩幕层，并形成一加热材料层共形地覆盖柱状突出物的侧壁与上表面。最后移除柱状突出物的上表面的加热材料层，以自加热材料层形成一环状加热器环绕柱状突出物。
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公开(公告)号：CN104766874A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201410602273.3
申请日：2014-10-31
申请人： 爱思开海力士有限公司
发明人： 高永锡
IPC分类号： H01L27/24 , H01L45/00 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L45/1253 , G11C13/003 , G11C2213/71 , G11C2213/78 , H01L27/2409 , H01L27/249 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/146 , H01L45/1691
摘要： 一种包括半导体存储单元的电子器件，所述半导体存储单元包括单元结构，所述单元结构具有共享一个选择器的两个存储器单元，其中所述单元结构包括被对称地设置在选择器的两侧上的第一电极、可变电阻图案和第二电极。
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公开(公告)号：CN102760833B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201210223699.9
申请日：2006-05-26
申请人： 旺宏电子股份有限公司
CPC分类号： H01L45/06 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1675 , H01L45/1691
摘要： 一种薄膜板相变随机存取存储器电路及其制造方法。所述存储器电路包含存取电路，位于该存取电路上方的电极，位于该电极层之上的相变化存储桥阵列，以及位于该相变化存储桥阵列之上的多个位元线。该电极层包含电极对。电极对包含具有一上端的第一电极，具有一上端的第二电极以及介于该第一电极和该第二电极之间的的绝缘构件。存储材料桥横越该绝缘构件，并定义横越该绝缘构件、介于该第一和第二电极的电极间的通路。
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公开(公告)号：CN103811656A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310175513.1
申请日：2013-05-13
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H01L45/146 , H01L45/08 , H01L45/1226 , H01L45/1691
摘要： 本发明公开了可变电阻存储结构及其形成方法，其中一种半导体结构包括可变电阻存储结构。该半导体结构还包括介电层。可变电阻存储结构位于介电层上方。可变电阻存储结构包括设置在介电层上方的第一电极。第一电极具有侧面。可变电阻层具有设置在第一电极的侧面上方的第一部分和从第一部分延伸远离第一电极的第二部分。第二电极位于可变电阻层上方。
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公开(公告)号：CN103715216A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201210396732.8
申请日：2012-10-18
申请人： 力晶科技股份有限公司
CPC分类号： H01L45/1608 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2213/32 , G11C2213/72 , H01L27/2418 , H01L27/2463 , H01L29/6609 , H01L45/04 , H01L45/1226 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1691
摘要： 本发明公开一种电阻式存储器单元及其制作方法。电阻式存储器单元，包含有至少一位线，沿着第一方向延伸；至少一字线，设于一基底上，且沿着一第二方向延伸，与该位线交叉；一硬掩模层，位于该字线上，使该字线与该位线电性隔离；一第一记忆胞，设于该字线的一侧壁上；以及一第二记忆胞，设于该字线的另一侧壁上。
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公开(公告)号：CN103489827A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310451705.0
申请日：2013-09-27
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
CPC分类号： H01L29/66757 , H01L27/124 , H01L27/1259 , H01L27/1288 , H01L28/88 , H01L45/1691
摘要： 本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管驱动背板及其制作方法、显示面板。该制作方法包括制作设有多个有源器件结构的背板基体；在所述背板基体上设置电极层；通过一次构图工艺将所述电极层制成源极、漏极以及与漏极呈一体设置的像素电极。本发明的制作方法采用通过一次构图工艺将电极层制成多个源极、漏极以及与漏极呈一体设置的像素电极的设计；使源极、漏极和像素电极同处于同一电极层；将现有方法中需要通过两次构图工艺形成的源极、漏极和像素电极，简化为只需一次构图工艺即可完成；大大降低了薄膜晶体管驱动背板的厚度，简化了制作步骤，节约了制作成本。
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公开(公告)号：CN102760833A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210223699.9
申请日：2006-05-26
申请人： 旺宏电子股份有限公司
CPC分类号： H01L45/06 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1675 , H01L45/1691
摘要： 一种薄膜板相变随机存取存储器电路及其制造方法。所述存储器电路包含存取电路，位于该存取电路上方的电极，位于该电极层之上的相变化存储桥阵列，以及位于该相变化存储桥阵列之上的多个位元线。该电极层包含电极对。电极对包含具有一上端的第一电极，具有一上端的第二电极以及介于该第一电极和该第二电极之间的的绝缘构件。存储材料桥横越该绝缘构件，并定义横越该绝缘构件、介于该第一和第二电极的电极间的通路。
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