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公开(公告)号：CN105075113B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201380075255.8
申请日：2013-07-19
申请人： 马维尔国际贸易有限公司
CPC分类号： H03F1/083 , H03F1/34 , H03F1/56 , H03F3/193 , H03F3/245 , H03F2200/121 , H03F2200/138 , H03F2200/147 , H03F2200/153 , H03F2200/168 , H03F2200/541
摘要： 一种放大器电路(1000)放大信号用于无线传输。包括电容器的反馈电路(208)耦合到所述放大器电路。基于反馈因数选择反馈电路(208)的组件，从而使得放大器电路(1000)的输入阻抗具有与反馈电路(208)的反馈电路阻抗相同的阻抗特性。
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公开(公告)号：CN105580283A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201480053087.7
申请日：2014-06-30
申请人： 株式会社村田制作所
CPC分类号： H04B1/0475 , H03F3/195 , H03F3/211 , H03F3/245 , H03F2200/111 , H03F2200/165 , H03F2200/168 , H03F2200/171 , H03F2200/294 , H03F2200/408 , H03F2200/411 , H03F2200/451 , H03F2203/21157 , H04B1/525
摘要： 高频功率放大器(10)包括第1高频放大器(11)、末级高频放大器(12)、及可调滤波器(13)。可调滤波器(13)连接在第1高频放大器(11)和末级高频放大器(12)之间。第1高频放大器(11)和末级高频放大器(12)是多模式/多频段功率放大器。可调滤波器(13)进行调整，使得进行收发的通信频段的发送信号的频带在通频带内，接收信号的频带在衰减频带内。可调滤波器(13)通过收发的通信频段来切换通频带和衰减频带。
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公开(公告)号：CN105580271A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201480052550.6
申请日：2014-09-19
申请人： 高通股份有限公司
CPC分类号： H03H11/0466 , H03F1/0277 , H03F1/08 , H03F1/223 , H03F3/193 , H03F3/45183 , H03F3/45475 , H03F3/45932 , H03F3/72 , H03F2200/06 , H03F2200/09 , H03F2200/165 , H03F2200/168 , H03F2200/171 , H03F2200/294 , H03F2200/336 , H03F2200/411 , H03F2200/429 , H03F2200/432 , H03F2200/534 , H03F2200/541 , H03F2200/543 , H03F2203/45352 , H03F2203/45396 , H03F2203/45506 , H03F2203/45511 , H03F2203/45512 , H03F2203/45516 , H03F2203/45521 , H03F2203/45522 , H03F2203/45526 , H03F2203/45528 , H03F2203/45594 , H03F2203/45618 , H03F2203/45702 , H03F2203/45728 , H03F2203/7215 , H03F2203/7221 , H03F2203/7236 , H03H2210/021 , H03H2250/00
摘要： 用于针对无线电IC设计基带处理电路装置的技术。在一方面，公开了用于IC的基带部分中的差分到单端转换的技术以降低RF IC的管脚数量和封装尺寸。在另一方面，转换器包括可选择的窄带放大器和宽带放大器，其中可以使用具有比窄带放大器的对应的晶体管器件更小面积的晶体管器件实施宽带放大器。描述了用于旁路一个或多个元件以及用于使用R-C滤波器网络实施转换器的低通滤波器的另外的技术。
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公开(公告)号：CN101877537B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201010199598.3
申请日：2010-04-29
申请人： 美国亚德诺半导体公司
IPC分类号： H02M3/315
CPC分类号： H03F3/505 , H03F3/211 , H03F3/45206 , H03F3/45304 , H03F2200/168 , H03F2200/171 , H03F2200/36 , H03F2200/39 , H03F2200/429 , H03F2200/451 , H03F2203/21142 , H03F2203/21157 , H03F2203/45468 , H03F2203/45631 , H03F2203/45638 , H03F2203/45656 , H03F2203/45701 , H03F2203/45702 , H03F2203/5033
摘要： 本发明公开了一种宽带电压转换器。在本发明的各实施例中，通过在两个并行级中分别处理输入信号的高频和低频分量，而不使用大的无源元件或低速器件，解决了常规电压转换器中差的低频响应、低速、高成本以及高功率消耗的问题。在输出端，被处理过的高频和低频分量在组合级中被无缝地合并，该组合级保持频率响应在整个转换器带宽上的完整性。
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公开(公告)号：CN102652392A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201180004698.9
申请日：2011-01-07
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H03F3/505 , H03F1/0277 , H03F1/3205 , H03F3/195 , H03F3/211 , H03F3/72 , H03F2200/165 , H03F2200/168 , H03F2200/171 , H03F2200/294 , H03F2200/513 , H03F2203/5031 , H03G3/3063 , H03J2200/10 , H04B1/1638
摘要： 本发明公开了一种半导体集成电路及包括该半导体集成电路的调谐系统。半导体集成电路包括衰减器(10)、源极输出器(20)和放大单元(30)，该衰减器(10)使已输入的信号以可变衰减量衰减，该源极输出器(20)接收衰减器(10)的输出，该放大单元(30)先对源极输出器(20)的输出进行滤波处理，然后以可变增益将该滤波处理后的输出放大。因此，在已被集成电路化的RF信号处理电路中，能够实现即使是在进行低电压工作时也良好的失真特性。
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公开(公告)号：CN102480272A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201110384941.6
申请日：2011-11-28
申请人： NXP股份有限公司
发明人： 伊戈尔·布莱德诺夫
CPC分类号： H03F3/195 , H01L23/64 , H01L23/66 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/0655 , H01L2223/6611 , H01L2223/6627 , H01L2223/6644 , H01L2223/6655 , H01L2224/04042 , H01L2224/48091 , H01L2224/4813 , H01L2224/48137 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13051 , H01L2924/1306 , H01L2924/13064 , H01L2924/14 , H01L2924/1421 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H01L2924/3025 , H03F1/0288 , H03F1/565 , H03F3/211 , H03F2200/15 , H03F2200/168 , H03F2200/451 , H03F2203/21112 , H03F2203/21157 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
摘要： 本发明涉及高功率射频放大器，特别涉及多赫蒂放大器电路，本发明的示例性实施例包括具有工作频率的集成射频放大器(1200)，该放大器包括第一和第二多赫蒂放大器(1201a，1201b)，每个多赫蒂放大器包括主器件和峰值器件，主器件和峰值器件通过相应的相移元件在各自的输入和输出处连接的主器件和峰值器件，相移元件配置为在工作频率下提供90度的相移，其中放大器(1200)的输入(1202)连接到第一多赫蒂放大器(1201a)的主器件的输入，放大器的输出(1205)连接到第一和第二多赫蒂放大器(1201a，1201b)的峰值器件的输出，第一多赫蒂放大器(1201a)的峰值器件输入通过相移元件(1204)连接到第二多赫蒂放大器(1201b)的主器件输入，该相移元件配置为在工作频率下提供90度的相移。
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公开(公告)号：CN101420203A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200810149987.8
申请日：2008-10-24
申请人： 财团法人工业技术研究院
CPC分类号： H03F3/193 , H03F1/56 , H03F2200/168 , H03F2200/294 , H03F2200/451 , H03H7/0115 , H03H7/1766 , H03H2007/013
摘要： 一种低噪声放大器电路，其包括MOS晶体管以及共振腔滤波器电路。MOS晶体管在共栅放大器结构内。MOS晶体管具有本体、栅极、源极、以及漏极。MOS晶体管的源极与漏极分别作为低噪声放大器电路的单一输入端及单一输出端。共振腔滤波器电路耦接MOS晶体管的栅极。
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公开(公告)号：CN1461520A
公开(公告)日：2003-12-10
申请号：CN02801151.1
申请日：2002-02-21
申请人： 新泻精密株式会社
发明人： 宫城弘
IPC分类号： H03F3/195
CPC分类号： H03F3/45645 , H03F3/16 , H03F3/193 , H03F3/195 , H03F2200/168 , H03F2200/54 , H03F2203/45051 , H03F2203/45458 , H03F2203/45526 , H03F2203/45631 , H03F2203/45652
摘要： 本发明的目的在于提供可获得高增益的FET频带放大器。AM接收机包含的FET频带放大器5由例如5级的放大器11～15和其间插入的BPF16构成。放大器11～15分别采用p沟道FET作为放大元件并作为差动放大器动作。BPF16使比整个FET频带放大器的放大频带宽的频带分量通过。通过除去由3级的放大器11～13放大的信号的低通分量，可以降低1/f噪声，通过除去高通分量可以降低热噪声。从而，BPF16的后级连接的放大器14、15不会因噪声分量引起饱和。
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公开(公告)号：CN1461519A
公开(公告)日：2003-12-10
申请号：CN02801150.3
申请日：2002-02-21
申请人： 新泻精密株式会社
发明人： 宫城弘
CPC分类号： H03F3/45645 , H03F3/16 , H03F3/193 , H03F3/195 , H03F2200/168 , H03F2200/54 , H03F2203/45051 , H03F2203/45458 , H03F2203/45526 , H03F2203/45631 , H03F2203/45652
摘要： 本发明的目的是提供可以降低增益控制时的残留噪声的FET带通放大器。在AM(调幅)收信机中所含的FET频带放大器5设有如图示的5级放大器11－15和插入在它们中间的BPF(带通滤波器)16以及AGC(自动增益控制)电路8。BPF 16在通过比FET带通放大器全部放大频带更宽的频带成分的同时，通过除去从第3级放大器输出的信号中的低频成分来降低1/f噪声，通过除去高频成分来降低热噪声。因而，从末级放大器15输出的信号中所含的增益控制时的残留噪声就得到了降低。
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公开(公告)号：CN108347227A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810071387.8
申请日：2018-01-25
申请人： 联发科技股份有限公司
CPC分类号： H03F1/3211 , H03F1/223 , H03F3/21 , H03F3/3023 , H03F3/45192 , H03F3/4521 , H03F3/45219 , H03F2200/165 , H03F2200/168 , H03F2203/45134 , H03F2203/45296 , H03F2203/45298 , H03F2203/45302
摘要： 本发明实施例提供一种AB类放大器，其包括：叠接级，具有滤波器，所述叠接级用于接收输入信号，以产生第一驱动信号和第二驱动信号；其中所述滤波器对所述输入信号滤波，以产生滤波的输入信号，并且所述第一驱动信号和所述第二驱动信号中至少一个是根据所述滤波的输入信号产生的；以及输出级，耦接到所述叠接级，用于根据所述第一驱动信号和所述第二驱动信号，产生输出信号。使用本发明的技术方案能够改善AB类放大器的失真/非线性。
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