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公开(公告)号：CN101719509B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200910110065.0
申请日：2009-11-10
申请人： 深圳深爱半导体有限公司
发明人： 谭咸宁
摘要： 本发明涉及一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管，其终端结构包括：硅基衬底，设于硅基衬底上的外延层，在外延层上部设置的至少一个分压环，位于外延层上的氧化层，设于氧化层上的多晶硅场板，多晶硅场板表面的玻璃层，以及设于玻璃层上的金属场板，所述分压环、以及依次覆盖其上的氧化层、多晶硅场板、玻璃层、金属场板构成至少一个场板分压环复合结构，场板分压环复合结构的分压环上设置有第一通孔，金属场板通过第一通孔与该分压环接触。本发明改进了终端结构，在获得同样耐压值的情况下，减小了终端面积，提高了芯片的利用率，节省了生产成本。此外，硅片表面覆盖有多晶硅场板和金属场板，将硅片与外界隔离，增加了产品的稳定和可靠性。
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公开(公告)号：CN101503650B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200810067515.8
申请日：2008-05-29
申请人： 深圳深爱半导体有限公司
发明人： 李杰
IPC分类号： C11D7/26 , H01L21/306 , H01L21/311 , C11D7/08
摘要： 本发明公开了一种硅片清洗液，主要由乙醇和氢氟酸经混合配成，所述乙醇与氢氟酸的体积比为35～45∶1，所述乙醇的质量百分比浓度为18％～100％，所述氢氟酸由氟化氢和去离子水配成，其质量百分比浓度为48％～50％。本发明还公开了一种清洗硅片的方法，包括步骤：用去离子水清洗硅片；采用上述硅片清洗液清洗硅片。本发明的硅片清洗液及其清洗方法，能有效去除有机物沾污，提高氢氟酸清洗液的背面清洗效果。
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公开(公告)号：CN101521223B
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200810217386.6
申请日：2008-11-19
申请人： 深圳深爱半导体有限公司
发明人： 汪德文
IPC分类号： H01L29/73 , H01L21/331
摘要： 本发明公开了一种双极晶体管的表面钝化结构的制造方法，包括如下步骤：(1)在磷主扩的过程中生长二氧化硅层；(2)通过光刻和刻蚀去除二氧化硅层，并保留位于基区和发射区交界区域的二氧化硅层；(3)在保留的二氧化硅层上及终端区的硅片上生长SIPOS层；(4)蒸发沉积金属铝层，并对该铝层的部分区域通过铝布线光刻去除；(5)生长氮化硅层。本发明能使双极晶体管对小电流的放大倍数显著增加，且该放大倍数的线性得到明显改善。
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公开(公告)号：CN101514442A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200810066653.4
申请日：2008-04-16
申请人： 深圳深爱半导体有限公司
发明人： 邹建和
摘要： 本发明公开了一种磁控溅射的方法，该磁控溅射方法包括以下步骤，送片装置将待溅射的晶片送入装卸腔，由装卸腔里设置的旋转盘上的弹簧夹皮夹住所述晶片；所述旋转盘将所述晶片旋转到溅射腔里溅射；在溅射过程中，往所述溅射腔里通入冷却气体，冷却所述晶片；所述旋转盘将溅射完的晶片送出装卸腔卸载。本发明的磁控溅射的方法，通过在溅射晶片的过程中，往所述溅射腔里通入冷却气体，用于冷却所述晶片，可以使晶片的温度降低，晶片的温度比较低就不会出现晶片各处热应力不均匀，使晶片出现碎片的几率降低，使得产品的质量提高，溅射设备的正常使用时间也会变长，特别是对于生产200－300u的薄片效果更明显。
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公开(公告)号：CN101503791A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200810066975.9
申请日：2008-05-09
申请人： 深圳深爱半导体有限公司
发明人： 侯海峰
摘要： 本发明公开了一种半导体芯片金硅焊料的合金工艺，包括步骤：S1将待合金的硅片进行表面处理；S2在真空条件下，在表面处理后的硅片背面蒸镀一层或多层金属层；S3将蒸镀有金属层的硅片送入快速退火炉进行合金处理，温度490－550℃，时间10－50秒。本发明采用快速退火炉替代了传统的管式合金炉，在工艺中具有是温度控制精确、升温降温速度快、处理时间短的特点；而且快速退火炉的应用可以实现硅片的单片进单片出，取代了使用管式合金炉时每次数百片的批量进出料，使得硅片受热均匀，故而大大提高了成品率。
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公开(公告)号：CN101504917B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200810067461.5
申请日：2008-05-27
申请人： 深圳深爱半导体有限公司
发明人： 刘宗贺
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/308 , G03F7/42
摘要： 本发明公开了一种防止VDMOS管二次击穿的方法，包括步骤：在VDMOS管制造过程中，采用掩膜光刻胶在硅片表面进行干法刻蚀；在真空条件下通入气体，该气体在射频作用下形成对掩膜光刻胶具有轰击能力的等离子体，用该等离子体去除掩膜光刻胶。本发明防止VDMOS管二次击穿的方法，能有效解决因光刻胶残留导致的VDMOS管在大电流下测试VDS时出现的二次击穿现象。
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公开(公告)号：CN101515121B
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200810142415.7
申请日：2008-08-12
申请人： 深圳深爱半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种显影机，该显影机上设有控制装置，该控制装置对流入喷嘴的气体进行延时控制；该喷嘴用于喷射显影液或漂洗液其与硅片的距离是大于等于5cm。本发明延时一段时间后停下，在喷液同时，时间继电器动作，控制一电磁阀打开气体，喷液停止后延时关闭气体。同时，喷嘴与硅片的距离要大于等于5cm，不然雾状的液体会留在硅片上，形成杂质。由于时间继电器的延时可调，可以根据程序变化而变化，从而使喷头喷液效果达到最佳。不但投入成本不大，而且解决已有的问题，提高产品的质量及合格率。
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公开(公告)号：CN101503791B
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200810066975.9
申请日：2008-05-09
申请人： 深圳深爱半导体有限公司
发明人： 侯海峰
摘要： 本发明公开了一种半导体芯片金硅焊料的合金工艺，包括以下步骤：S1、将待合金的硅片进行表面处理；S2、在真空条件下，在表面处理后的硅片背面蒸镀一层或多层金层；S3、将蒸镀有金层的硅片送入快速退火炉进行合金处理，温度为490-550℃，时间为10-50秒。本发明采用快速退火炉替代了传统的管式合金炉，在工艺中具有温度控制精确、升温及降温速度快、处理时间短的特点；而且快速退火炉的应用可以实现硅片的单片进及单片出，取代了使用管式合金炉时每次数百片的批量进出料，使得硅片受热均匀，故而大大提高了成品率。
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公开(公告)号：CN101719509A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910110065.0
申请日：2009-11-10
申请人： 深圳深爱半导体有限公司
发明人： 谭咸宁
摘要： 本发明涉及一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管，其终端结构包括：硅基衬底，设于硅基衬底上的外延层，在外延层上部设置的至少一个分压环，位于外延层上的氧化层，设于氧化层上的多晶硅场板，多晶硅场板表面的玻璃层，以及设于玻璃层上的金属场板，所述分压环、以及依次覆盖其上的氧化层、多晶硅场板、玻璃层、金属场板构成至少一个场板分压环复合结构，场板分压环复合结构的分压环上设置有第一通孔，金属场板通过第一通孔与该分压环接触。本发明改进了终端结构，在获得同样耐压值的情况下，减小了终端面积，提高了芯片的利用率，节省了生产成本。此外，硅片表面覆盖有多晶硅场板和金属场板，将硅片与外界隔离，增加了产品的稳定和可靠性。
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公开(公告)号：CN102479678A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201010565252.0
申请日：2010-11-30
申请人： 深圳深爱半导体有限公司
发明人： 李国延
IPC分类号： H01L21/02 , C23C16/458 , H01L21/683
摘要： 本发明涉及一种芯片薄膜的生成方法，包括以下步骤：将芯片放置在半导体材料制成的衬片的承载面上，所述芯片与衬片相接触的面为接触面，且所述衬片的承载面的面积大于所述芯片的接触面的面积；采用等离子增强型化学气相沉积法对所述芯片进行处理生成芯片薄膜。此外，还提供一种生成芯片薄膜的载体。上述芯片薄膜的生成方法，采用将芯片放置在半导体材料制成的衬片上，且衬片的承载面的面积大于芯片的接触面的面积，使得采用等离子增强型化学气相沉积法处理芯片生成芯片薄膜时，芯片边缘不会出现明显的电场畸变，从而保证了芯片薄膜的厚度一致，不会出现色圈，影响芯片表面应力和可靠性。
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