纳米结构及相应的制造方法

    公开(公告)号:CN1755938A

    公开(公告)日:2006-04-05

    申请号:CN200510096675.1

    申请日:2005-08-31

    申请人: ST微电子公司

    IPC分类号: H01L29/06 H01L21/00

    摘要: 一种纳米组件的接纳结构,其有益地包括:基片(1);所述基片(1)上的n个阵列层(20,30,40),n≥2,其在增长且平行的平面上连续地布置,每个阵列层包括和多个绝缘间隔物(12,42)交替出现且基本上垂直于所述基片(1)的多个导电间隔物(11,41),以在连续的导电间隔物(11,41)之间限定至少一个间隙(13),连续的阵列层(20,30,40)的导电间隔物位于不同且平行的平面上,不同阵列层的所述间隙(13)至少部分地沿着基本上垂直于所述基片(1)的方向排列,以限定沿着所述方向延伸且适合于接纳至少一个纳米组件的多个横向接纳座(13a,130a)。同样说明了包含这样的接纳结构的纳米电子器件以及用于实现它的方法。