公开(公告)号：CN100372639C

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200510082650.6

申请日：2005-07-06

Applicant: 三井化学株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 山崎正人 ,  光石健之 ,  原田功 ,  田中将夫 ,  春田浩一 ,  渡利广司 ,  邱进宇 ,  堀田裕司 ,  佐藤公泰

IPC: B22F9/22

Abstract: 本发明涉及制造在低于或等于1600℃的温度也可以制成烧结体的氮化铝粉末，获得密度和热传导率高、可以适用于基板材料的氮化铝烧结体。使用如图1所示气相反应装置，反应器(2)由加热带(1)进行加热并保持在300～500℃，一边由流量调节计(3)调节，一边通过供给管(4)向反应器(2)导入氨气，同时，一边通过流量调节计(5)调节，一边通过供应管(6)导入含有机铝化合物的氮气，从而得到氮化铝粉末。将其在还原性气体氛围和/或惰性气体氛围中在1100～1500℃进行热处理，对所得到氮化铝凝集粉末再经机械处理，成为比表面积值大于等于30m2/g、且平均粒子粒径与比表面积换算的粒子粒径的比率小于等于10的氮化铝粉末。

公开(公告)号：CN1718331A

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：CN200510082650.6

申请日：2005-07-06

Applicant: 三井化学株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 山崎正人 ,  光石健之 ,  原田功 ,  田中将夫 ,  春田浩一 ,  渡利广司 ,  邱进宇 ,  堀田裕司 ,  佐藤公泰

IPC: B22F9/22

Abstract: 本发明涉及制造在低于或等于1600℃的温度也可以制成烧结体的氮化铝粉末，获得密度和热传导率高、可以适用于基板材料的氮化铝烧结体。使用如图1所示气相反应装置，反应器(2)由加热带(1)进行加热并保持在300～500℃，一边由流量调节计(3)调节，一边通过供给管(4)向反应器(2)导入氨气，同时，一边通过流量调节计(5)调节，一边通过供应管(6)导入含有机铝化合物的氮气。从而得到氮化铝粉末。将其在还原性气体氛围和/或惰性气体氛围中在1100～1500℃进行热处理，对所得到氮化铝凝集粉末再经机械处理，成为比表面积值大于等于30m2/g、且平均粒子粒径与比表面积换算的粒子粒径的比率小于等于10的氮化铝粉末。

公开(公告)号：CN1134062C

公开(公告)日：2004-01-07

申请号：CN98109740.5

申请日：1998-03-24

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 春田浩一

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/564 ,  H01L23/10 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49586 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/85399

Abstract: 本发明涉及用于包容半导体芯片的树脂封装，提高耐潮性，降低制造成本。在树脂封装中，具有用于包容半导体芯片的树脂封装主体和与该半导体元件电连接的引线，在和所述的引线中间部分树脂紧密粘接的部分的表面形成氧化层。

公开(公告)号：CN1202731A

公开(公告)日：1998-12-23

申请号：CN98109740.5

申请日：1998-03-24

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 春田浩一

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/564 ,  H01L23/10 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49586 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/85399

Abstract: 本发明涉及用于包容半导体芯片的树脂封装,提高耐潮性,降低制造成本。在树脂封装中,具有用于包容半导体芯片的树脂封装主体和与该半导体元件电连接的引线,在和所述的引线中间部分树脂紧密粘接的部分的表面形成氧化层。