公开(公告)号：CN109037186A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201811090176.5

申请日：2018-09-18

申请人： 绍兴联同电子科技有限公司

发明人： 窦鑫

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L29/861 ,  H01L21/329

CPC分类号： H01L23/49586 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/861

摘要： 本发明公开了一种PCB型TVS二极管封装及其制备工艺，包括BT树脂PCB板和环氧树脂，所述BT树脂PCB板的外表面设置有TVS管，所述环氧树脂安置在TVS管的上表面。该PCB型TVS二极管封装及其制备工艺主要采用BT树脂（以双马来酰亚胺（BMI）和三嗪为主树脂成份）为基板的PCB正负面均采用蚀刻线路作为导通，以此基板替代金属框架，之后工艺流程为固晶，焊线，压模，切割，测试，编带，入库；BT树脂与压模时的外封胶（环氧树脂）的结合性非常高，远高于与金属框架的结合，进而使产品的气密性更高，同时因都为树脂类材料，在受热膨胀时的膨胀系数也是接近的，会有更小的内部应力，从而避免金属框架在客户端焊接时出现的断路问题，产品的信赖性及品质更高。

公开(公告)号：CN103887190B

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201310464601.3

申请日：2013-10-08

申请人： 英特赛尔美国有限公司

发明人： R·克鲁兹 ,  L·M·小卡朋特

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L24/32 ,  H01L21/4828 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49586 ,  H01L24/29 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/2731 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/29007 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83121 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1425 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 本文描述的实施方案涉及制造装置。所述方法包括在引线框架的内表面中蚀刻至少个凹部图案,所述至少个凹部图案包括限定安装区域的周边的周边凹部。所述方法还包括将组件附接至引线框架的内表面,使得所述组件的单个端子附接在安装区域中且单个端子覆盖周边凹部,其中周边凹部具有使得凹部接近单个端子的周边的尺寸和形状。

公开(公告)号：CN107527890A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710452209.5

申请日：2017-06-15

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 李彗华 ,  邱俊豪 ,  谢慧英 ,  陈国华 ,  邱基综

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L23/49575 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49517 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/00 ,  H01L25/00 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/24247 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/15153 ,  H01L23/49541 ,  H01L21/4821 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49586

摘要： 一种半导体装置封装包含第一导电基底、第一绝缘层以及第二绝缘层。所述第一导电基底具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面以及在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的横向表面。所述横向表面包含邻近于所述第一表面的第一部分以及邻近于所述第二表面的第二部分。所述第一绝缘层包括第一绝缘材料。所述第一绝缘层具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述第一绝缘层覆盖所述第一导电基底的所述横向表面的所述第一部分。所述第二绝缘层包括第二绝缘材料且覆盖所述第一导电基底的所述横向表面的所述第二部分。所述第一绝缘材料不同于所述第二绝缘材料。

公开(公告)号：CN106876360A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201710127635.1

申请日：2017-03-06

申请人： 江阴芯智联电子科技有限公司

发明人： 陈灵芝 ,  邹晓春 ,  刘凯 ,  郁科锋 ,  邹建安

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L23/49586 ,  H01L21/4821

摘要： 本发明涉及一种预包封多侧边可浸润引线框架结构及其制造方法，所述结构第一金属层（1），所述第一金属层（1）正面设置有基岛（2）和引脚（3），所述第一金属层（1）、基岛（2）和引脚（3）外围填充有预包封绝缘材料（4），所述预包封绝缘材料（4）正面与基岛（2）和引脚（3）正面齐平，所述预包封绝缘材料（4）背面与第一金属层（1）背面齐平，所述引脚（3）正面四周边缘部位均开设有凹槽（5）。本发明采用预包封的方法制备可浸润引线框架结构，具有更大的可浸润面积，更强的结合力，优越的爬锡能力、绕线能力，同时可进行单颗测试，易于在封装过程中快速测试性能，从而节省芯片浪费，大幅降低测试费用。

公开(公告)号：CN106328604A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201610191287.X

申请日：2016-03-29

申请人： 珠海越亚封装基板技术股份有限公司

发明人： 卓尔·赫尔维茨 ,  黄士辅

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L21/0273 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L23/13 ,  H01L23/142 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49586 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49861 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/544 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/37001 ,  H01L23/3121 ,  H01L21/50 ,  H01L23/488 ,  H01L24/09 ,  H01L24/27 ,  H01L24/33 ,  H01L2224/26125 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/331

摘要： 一种嵌入式芯片封装，其包括芯片，所述芯片具有在钝化层中的芯片接触焊盘，所述芯片接触焊盘通过粘附/阻挡层连接至特征层的第一面，从所述特征层的第二面延伸出通孔柱层，所述芯片、特征层和通孔柱层被介电材料包封。

公开(公告)号：CN103339289B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201180066220.9

申请日：2011-12-14

申请人： 麦克德米德尖端有限公司

发明人： N·卡帕迪亚

IPC分类号： C23C22/82

CPC分类号： C09D5/00 ,  C09J5/02 ,  C09J2400/163 ,  C09J2400/166 ,  C09J2400/226 ,  C09K13/06 ,  C23F1/18 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/49586 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/383 ,  H05K2203/122 ,  H05K2203/124 ,  H01L2924/00

摘要： 一种增加聚合材料对金属表面黏着性的方法，此方法包含使金属表面与增黏组合物接触，该增黏组合物包含：1)氧化剂；2)无机酸；3)腐蚀抑制剂；和4)有机膦酸盐；并且之后b)将聚合材料与金属表面黏合。有机膦酸盐协助稳定浴液中所含的氧化剂及有机成分，并且防止所述成分的分解，因而提高了浴液的工作寿命，特别是当使用具有高铁含量的铜合金时。

公开(公告)号：CN104979300A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201410325274.8

申请日：2014-07-09

申请人： 南茂科技股份有限公司

发明人： 潘玉堂 ,  周世文

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L23/367

CPC分类号： H01L23/49568 ,  H01L21/4828 ,  H01L21/4871 ,  H01L21/4875 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49586 ,  H01L23/49861 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明提供一种芯片封装结构及其制作方法，该芯片封装结构包括导线架、芯片及封装胶体。导线架包括第一图案化金属层、第二图案化金属层及绝缘层。第一图案化金属层包括芯片座及多个焊垫。芯片座包括多个第一凹口。焊垫设置于第一凹口内。各焊垫与芯片座之间存在第一沟槽。第二图案化金属层连接第一图案化金属层且包括与芯片座热耦接的散热块以及多个接垫。散热块包括多个第二凹口。接垫设置于第二凹口内并电性连接相应的焊垫。各接垫与散热块之间存在第二沟槽。绝缘层设置于焊垫与接垫之间。芯片设置于芯片座上并电性连接焊垫。封装胶体覆盖第一图案化金属层及芯片。

公开(公告)号：CN103928448A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410019271.1

申请日：2014-01-16

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： K.侯赛尼 ,  F-P.卡尔茨 ,  J.马勒 ,  M.门格尔

IPC分类号： H01L25/04 ,  H01L23/15 ,  H01L23/373 ,  H01L21/58

CPC分类号： H01L21/4807 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/56 ,  H01L21/77 ,  H01L23/3731 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49586 ,  H01L24/27 ,  H01L24/743 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13034 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明涉及芯片装置和用于制造芯片装置的方法。提供了一种芯片装置，所述芯片装置包括：载体；电连接到载体的第一芯片；设置在载体之上的陶瓷层；以及设置在陶瓷层之上的第二芯片；其中所述陶瓷层具有处于从大约3%到大约70%的范围内的孔隙率。

公开(公告)号：CN103745931A

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201310655302.8

申请日：2013-12-05

申请人： 南通富士通微电子股份有限公司

发明人： 陶玉娟

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L2224/48091 ,  H01L21/4821 ,  H01L21/50 ,  H01L23/49544 ,  H01L23/49558 ,  H01L23/49586 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014

摘要： 一种引线框架和封装结构的形成方法，所述封装结构的形成方法，包括：提供引线框架，引线框架包括第一表面和与第一表面相对的第二表面，引线框架上具有若干呈矩阵排布的承载单元和固定承载单元的中筋，每个承载单元具有若干分立的引脚，相邻引脚之间具有第一开口；形成填充满第一开口的第一塑封层；在所述引线框架的第一表面和第一塑封层的表面上形成绝缘层，所述绝缘层中具有暴露引脚的表面的第二开口；提供若干半导体芯片，每个半导体芯片上具有若干焊盘，焊盘上形成有金属凸块；将若干半导体芯片倒装在引线框架上，将半导体芯片上的金属凸块与第二开口暴露的引脚的表面相焊接，形成若干矩阵排布的封装单元。本发明的方法提高了封装效率。

公开(公告)号：CN102593070A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210009559.1

申请日：2012-01-13

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： M.沃佩尔

IPC分类号： H01L23/00

CPC分类号： H01L23/49586 ,  H01L23/49513 ,  H01L24/26 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及半导体芯片和用于制造半导体芯片的方法。半导体芯片包括第一主面和与所述第一主面相对的第二主面。侧面连接第一和第二主面。所述侧面至少部分地用防EBO复合物和/或表面能量减少复合物覆盖。