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公开(公告)号：CN104756257A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201380054436.2
申请日：2013-10-15
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/78606 , H01L29/7869 , H01L29/78693
摘要： 本发明提供在氧化物半导体层与保护膜的界面形成的突起的形态被适当地控制、发挥稳定的特性的薄膜晶体管。该薄膜晶体管在以下方面具有特征，即，具有由作为金属元素至少含有In、Zn和Sn的氧化物构成的氧化物半导体层和与该氧化物半导体层直接接触的保护膜，在所述氧化物半导体层的与所述保护膜直接接触的面上形成的突起的最大高度低于5nm。
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公开(公告)号：CN104756257B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201380054436.2
申请日：2013-10-15
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/78606 , H01L29/7869 , H01L29/78693
摘要： 本发明提供在氧化物半导体层与保护膜的界面形成的突起的形态被适当地控制、发挥稳定的特性的薄膜晶体管。该薄膜晶体管在以下方面具有特征，即，具有由作为金属元素至少含有In、Zn和Sn的氧化物构成的氧化物半导体层和与该氧化物半导体层直接接触的保护膜，在所述氧化物半导体层的与所述保护膜直接接触的面上形成的突起的最大高度低于5nm。
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公开(公告)号：CN103493209B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201280019557.9
申请日：2012-04-19
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7869 , G02F1/1368 , H01L27/1222 , H01L29/78693
摘要： 提供一种在有机EL显示器或液晶显示器等显示装置中，在形成保护膜等时无需氧化处理层，就能使薄膜晶体管的电特性稳定的氧化物半导体层。本发明的薄膜晶体管构造在基板上至少从基板侧依次具备氧化物半导体层、源/漏电极和保护膜，该薄膜晶体管构造的主旨在于：上述氧化物半导体层为第1氧化物半导体层和第2氧化物半导体层的层叠体，上述第1氧化物半导体层中的Zn占金属元素整体的含有量为50原子％以上且形成在源/漏电极以及保护膜侧，上述第2氧化物半导体层包括从由In、Ga以及Zn构成的组中选择的至少一种元素和Sn并形成在基板侧，而且上述第1氧化物半导体层、与上述源/漏电极及保护膜直接接触。
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公开(公告)号：CN103493209A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201280019557.9
申请日：2012-04-19
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7869 , G02F1/1368 , H01L27/1222 , H01L29/78693
摘要： 本发明提供一种在有机EL显示器或液晶显示器等显示装置中，在形成保护膜等时无需氧化处理层，就能使薄膜晶体管的电特性稳定的氧化物半导体层。本发明的薄膜晶体管构造在基板上至少从基板侧依次具备氧化物半导体层、源/漏电极和保护膜，该薄膜晶体管构造的主旨在于：上述氧化物半导体层为第1氧化物半导体层和第2氧化物半导体层的层叠体，上述第1氧化物半导体层中的Zn占金属元素整体的含有量为50原子％以上且形成在源/漏电极以及保护膜侧，上述第2氧化物半导体层包括从由In、Ga以及Zn构成的组中选择的至少一种元素和Sn并形成在基板侧，而且上述第1氧化物半导体层、与上述源/漏电极及保护膜直接接触。
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公开(公告)号：CN103972246A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410205558.3
申请日：2010-07-27
申请人： 株式会社神户制钢所
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/49
CPC分类号： H01L29/7869 , G02F2001/136295 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种密接性优良，且能够实现低电阻、低接触电阻的新的布线结构。本发明的布线结构在基板上从基板侧起依次具备布线膜、和薄膜晶体管的半导体层，上述半导体层由氧化物半导体构成。
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公开(公告)号：CN102313849A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110163468.9
申请日：2011-06-17
申请人： 株式会社神户制钢所
IPC分类号： G01R31/00
摘要： 本发明提供一种氧化物半导体薄膜的评价方法及氧化物半导体薄膜的质量管理方法，其为不带电极而是通过非接触型来评价、测定氧化物半导体薄膜的电特性的方法。对形成有氧化物半导体薄膜的试样照射激励光及微波，在测定因上述激励光的照射而发生变化的上述微波的来自上述氧化物半导体薄膜的反射波的最大值之后，停止上述激励光的照射，并测定上述激励光的照射停止后的上述微波的来自上述氧化物半导体薄膜的反射波的反射率的变化，根据上述测定的值算出寿命值，由此判定上述氧化物半导体薄膜的迁移率。
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公开(公告)号：CN103222061B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201180054334.1
申请日：2011-10-11
申请人： 株式会社神户制钢所
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/28
CPC分类号： H01L23/53238 , H01L27/1225 , H01L29/45 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 提供一种布线构造，在有机EL显示器、液晶显示器等显示装置中，即使不设置蚀刻阻挡层，湿法蚀刻时的加工性也优异。本发明涉及一种布线构造，其依次具有基板、薄膜晶体管的半导体层、和金属布线膜，并且在所述半导体层与所述金属布线膜之间具有阻挡层，所述半导体层由氧化物半导体构成，所述阻挡层具有高熔点金属系薄膜和Si薄膜的层叠构造，所述Si薄膜与所述半导体层直接连接。
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公开(公告)号：CN103733310B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201280035317.8
申请日：2012-07-19
申请人： 株式会社神户制钢所
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L23/53223 , H01L21/28525 , H01L21/2855 , H01L21/28556 , H01L21/76841 , H01L21/76867 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/401 , H01L29/456 , H01L29/7395 , H01L29/7802 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 提供一种半导体元件，即使在制造工序等中暴露于高温下的情况下，也能抑制半导体区与电极之间的原子的相互扩散，并且抑制界面电阻上升。本发明的半导体元件具备包含硅的半导体区、包含铝的电极、以及介于所述半导体区与电极之间并且含有锗的防扩散层，所述防扩散层的至少一部分的锗含量为4原子％以上。
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公开(公告)号：CN102315229A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110176290.1
申请日：2011-06-23
申请人： 株式会社神户制钢所
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/786 , G02F1/1368
摘要： 本发明提供一种不会发生金属配线膜的干式蚀刻率的下降或蚀刻残渣，而且抑制该金属配线膜的小丘抗性或电阻率，并且抑制与和该金属配线膜直接连接的氧化物半导体层或透明导电膜的触点电阻率的薄膜晶体管基板及具备该薄膜晶体管基板的显示装置。在薄膜晶体管基板中，金属配线膜是通过干式蚀刻法进行图案化而形成的层叠膜，该层叠膜由Ti膜和含有0.05～1.0原子％的Ni、0.3～1.2原子％的Ge、0.1～0.6原子％的La及/或Nd的Al合金膜所构成，该Ti膜与该氧化物半导体层直接连接，且该Al合金膜与该透明导电膜直接连接。
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