公开(公告)号：CN108018558B

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN201711043223.6

申请日：2017-10-31

申请人： 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

发明人： 梁熙星 ,  朴弘植 ,  郑锺铉 ,  金奎佈 ,  申贤哲 ,  李秉雄 ,  李相赫

IPC分类号： C23F1/20 ,  C09K13/04 ,  C09K13/06 ,  H01L51/56 ,  H01L51/52

摘要： 本发明的一实施例提供一种蚀刻液组合物以及有机发光显示装置的制造方法，所述蚀刻液组合物相对于总重量包括：磷酸，50至70重量％；硝酸，0.5至5重量％；氯化物，0.1至1重量％；磺酸化合物，0.5至5重量％；以及水，20至40重量％。

公开(公告)号：CN108018558A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201711043223.6

申请日：2017-10-31

申请人： 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

发明人： 梁熙星 ,  朴弘植 ,  郑锺铉 ,  金奎佈 ,  申贤哲 ,  李秉雄 ,  李相赫

IPC分类号： C23F1/20 ,  C09K13/04 ,  C09K13/06 ,  H01L51/56 ,  H01L51/52

CPC分类号： C23F1/20 ,  C09K13/04 ,  C09K13/06 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/56

摘要： 本发明的一实施例提供一种蚀刻液组合物以及有机发光显示装置的制造方法，所述蚀刻液组合物相对于总重量包括：磷酸，50至70重量％；硝酸，0.5至5重量％；氯化物，0.1至1重量％；磺酸化合物，0.5至5重量％；以及水，20至40重量％。

公开(公告)号：CN101424888B

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN200810174803.3

申请日：2008-10-31

申请人： 株式会社东进世美肯

发明人： 洪瑄英 ,  朴弘植 ,  郑锺铉 ,  金俸均 ,  李智鲜 ,  李炳珍 ,  金柄郁 ,  尹锡壹 ,  金圣培 ,  辛成健 ,  许舜范

IPC分类号： G03F7/42 ,  H01L21/84

摘要： 本发明提供光致抗蚀剂剥离用组合物、使用该组合物的光致抗蚀剂剥离方法和显示装置的制造方法，该光致抗蚀剂剥离用组合物能够再次使用而剥离性能没有实质性降低并且金属图案没有损伤，从而能够减少照相蚀刻工序的成本。本发明中的光致抗蚀剂剥离用组合物含有80重量％～98.5重量％砜系化合物、1重量％～10重量％内酯系化合物以及0.1重量％～5重量％烷基磺酸。

公开(公告)号：CN101692155A

公开(公告)日：2010-04-07

申请号：CN200810185042.1

申请日：2008-12-26

申请人： 株式会社东进世美肯

发明人： 洪瑄英 ,  朴弘植 ,  郑锺铉 ,  金俸均 ,  李炳珍 ,  金柄郁 ,  郑宗铉 ,  尹锡壹 ,  辛成健 ,  许舜范 ,  郑世桓 ,  张斗瑛

IPC分类号： G03F7/42 ,  G03F7/00

CPC分类号： G03F7/425

摘要： 本发明涉及一种光致抗蚀剂去除用组合物和用其制造阵列基板的方法，所述光致抗蚀剂去除用组合物包含：a)包含环胺和/或二元胺的胺化合物，b)乙二醇醚类化合物，c)缓蚀剂和d)极性溶剂。所述组合物还包含剥离助剂。

公开(公告)号：CN101265579B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN200810085047.7

申请日：2008-03-14

申请人： 株式会社东进世美肯

发明人： 郑锺铉 ,  朴弘植 ,  洪瑄英 ,  金俸均 ,  李智鲜 ,  李炳珍 ,  李骐范 ,  曺三永 ,  具炳秀 ,  申贤哲 ,  徐源国 ,  朴贵弘 ,  河泰成

IPC分类号： C23F1/18

摘要： 本发明涉及薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻液组合物。本发明提供一种优异的蚀刻液，其保障了高的稳定性和工程裕度，能够对含铜的金属层均匀地进行锥角蚀刻。本发明涉及对液晶显示装置的电路图案中使用的铜配线进行蚀刻的蚀刻液组合物。本发明的蚀刻液组合物含有过硫酸铵和吡咯系化合物。本发明的蚀刻液组合物不含有过氧化氢，所以能够确保稳定性和工程上的裕度，具有能够得到优异的锥角蚀刻轮廓的特征。

公开(公告)号：CN116741783A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202310212866.8

申请日：2023-03-06

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 李东敏 ,  成炫阿 ,  姜泰旭 ,  金荣绿 ,  朴圭淳 ,  朴俊龙 ,  申铉亿 ,  郑锺铉

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L27/15

摘要： 公开了显示装置和布线衬底。显示装置包括显示区域和在显示区域的一侧上的焊盘区域、在显示区域和焊盘区域中在第一衬底上并且包括布线和导电图案的多个导电层、在多个导电层上的过孔层、在显示区域中在过孔层上并且彼此间隔开的多个电极以及在多个电极中的至少一个上的发光元件。多个导电层中的至少一个包括第一金属层、在第一金属层上的第二金属层和在第二金属层上的第三金属层。第二金属层包括铜(Cu)，第三金属层包括铝合金，并且第三金属层的晶粒度小于第二金属层的晶粒度。

公开(公告)号：CN116266605A

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202211173826.9

申请日：2022-09-26

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 金荣绿 ,  朴圭淳 ,  郑锺铉 ,  曺雨辰

IPC分类号： H01L27/15

摘要： 公开一种显示装置，所述显示装置包括：过孔层，布置于基板上；第一电极和第二电极，布置于过孔层上且彼此隔开；第一绝缘层，布置于第一电极和第二电极上；发光元件，布置于第一绝缘层上且布置于第一电极和所述第二电极上；堤层，布置于第一绝缘层上且包括布置有发光元件的第一开口部和与第一开口部隔开的第二开口部；第二绝缘层，布置于发光元件上；以及第一接触电极和第二接触电极，第一接触电极和第二接触电极在堤层、发光元件及第二绝缘层上彼此隔开布置，且第一接触电极与发光元件的一端部接触，第二接触电极与发光元件的另一端部接触，其中，在第二开口部，与第一绝缘层重叠的过孔层的厚度大于与第一绝缘层不重叠的过孔层的厚度。

公开(公告)号：CN113257875A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202110187862.X

申请日：2021-02-07

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 金载运 ,  朴弘植 ,  郑锺铉

IPC分类号： H01L27/32

摘要： 公开了制造导电图案的方法、显示装置及制造显示装置的方法。所述制造导电图案的方法包括：在基底上形成导电金属材料层和导电覆盖材料层；在导电覆盖材料层上形成作为蚀刻掩模的光致抗蚀剂图案；通过使用第一蚀刻剂对导电覆盖材料层进行蚀刻来形成第一导电覆盖图案；通过使用第二蚀刻剂对导电金属材料层和第一导电覆盖图案进行蚀刻来形成导电金属层和第二导电覆盖图案；以及通过使用第三蚀刻剂对第二导电覆盖图案进行蚀刻来形成导电覆盖层。第二导电覆盖图案包括与导电金属层叠置的第一区域以及与导电金属层不叠置的第二区域，并且导电覆盖层的形成步骤包括对第二导电覆盖图案的第二区域进行蚀刻以形成导电覆盖层。

公开(公告)号：CN105579618B

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201480052773.2

申请日：2014-09-16

申请人： 三星显示有限公司 ,  东进世美肯科技有限公司

发明人： 金仁培 ,  郑锺铉 ,  文英慜 ,  朴弘植 ,  金奎佈 ,  徐源国 ,  申贤哲 ,  李骐范 ,  曹三永 ,  韩胜然

IPC分类号： C23F1/16 ,  C23F1/18

CPC分类号： H01L21/30604 ,  C23F1/18 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/124 ,  H01L29/45

摘要： 根据本发明的实施例的蚀刻剂组合物包括：基于蚀刻剂组合物的总重量，0.5wt％至20wt％的过硫酸盐、0.01wt％至1wt％的氟化合物、1wt％至大约10wt％的无机酸、0.01wt％至2wt％的吡咯类化合物、0.1wt％至5wt％的氯化合物、0.05wt％至3wt％的铜盐、0.01wt％至5wt％的抗氧化剂或其盐以及水以使蚀刻剂组合物的总重量到100wt％。所述蚀刻剂组合物可以用于通过蚀刻包括铜的金属膜来形成金属布线或制造薄膜晶体管基底。

公开(公告)号：CN115513258A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202210722763.1

申请日：2022-06-21

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 朴俊龙 ,  白炅旼 ,  崔新逸 ,  宋都根 ,  金荣绿 ,  郑锺铉

IPC分类号： H01L27/32

摘要： 本公开涉及布线衬底和包括该布线衬底的显示装置。显示装置具有显示区域和设置在显示区域的一侧上的焊盘区域，显示装置包括：衬底；多个导电层，在衬底上并包括在显示区域和焊盘区域中的布线和导电图案；通路层，在多个导电层上；第一电极和第二电极，在显示区域中在通路层上并且彼此间隔开；第一绝缘层，在第一电极和第二电极上；多个发光元件，在第一电极和第二电极上且在第一绝缘层上彼此间隔开；第一连接电极，在第一电极上并与多个发光元件电接触，以及第二连接电极，在第二电极上并与多个发光元件电接触，多个导电层中的每个包括第一金属层和在第一金属层上的第二金属层，并且第二金属层包括铜且具有约155nm或更小的晶粒尺寸。