公开(公告)号：CN106024787B

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201610177197.5

申请日：2016-03-25

申请人： 国际商业机器公司

发明人： V·S·巴斯克 ,  A·雷茨尼采克

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC分类号： H01L27/10826 ,  H01L27/10832 ,  H01L27/10867 ,  H01L27/1087 ,  H01L27/10879 ,  H01L29/7856 ,  H01L2029/7858

摘要： 公开了半导体装置及其制造方法。一种半导体结构包括用于finFET鳍的替代带，该替代带提供存储电容器与鳍之间的连通。存储电容器位于在衬底中形成的深沟槽中，并且鳍被形成在衬底的表面上。替代带允许鳍电连接到存储电容器，并且与存储电容器和鳍直接物理连通。可以通过去除牺牲带并且合并从鳍外延生长的材料和从电容器外延生长的材料来形成替代带。相对于从电容器生长的外延生长材料，以更慢速度生长从鳍生长的外延生长材料。通过在替代带形成之前去除牺牲带，限制了可能导致相邻电容器之间短路的外延过生长。

公开(公告)号：CN107039258A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201610845869.5

申请日：2016-09-23

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 萧宇廷 ,  吴政达 ,  谭伦光 ,  严亮宇 ,  王廷君 ,  吴宗翰 ,  游伟明

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7856 ,  H01L21/3215 ,  H01L23/535 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/401 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/785

摘要： 本发明提供了形成栅极的方法包括：形成伪栅极；横向邻近伪栅极形成层间电介质(ILD)；将掺杂剂掺杂到伪栅极和ILD中，其中，伪栅极的表面掺杂剂浓度低于ILD的表面掺杂剂浓度；在将掺杂剂掺杂到伪栅极和ILD中之后，去除伪栅极以形成腔体；以及在腔体中形成栅极。本发明还提供了鳍式场效应晶体管。

公开(公告)号：CN106992124A

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201611153146.5

申请日：2016-12-14

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈奕升 ,  吴政宪 ,  叶致锴 ,  杨育佳

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/10

CPC分类号： H01L29/1054 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/82385 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/165 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7856 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/42356

摘要： 半导体装置的形成方法包含提供从基底延伸的鳍，且鳍具有源极/漏极区和沟道区，鳍包含第一层、第二层设置于第一层上方及第三层设置于第二层上方，通过从沟道区移除第二层的至少一部分以形成间隙，第一材料形成于沟道区中，以形成第一界面层部分和第二界面层部分，分别至少部分地环绕第一层和第三层，第二材料沉积于沟道区中，以形成第一高介电常数介电层部分和第二高介电常数介电层部分，分别至少部分地环绕第一界面层部分和第二界面层部分，沿沟道区中的第一高介电常数介电层部分和第二高介电常数介电层部分的相对侧壁形成包含清除材料的金属层。

公开(公告)号：CN106711224A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201610994031.2

申请日：2016-11-11

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  刘致为

发明人： 赖德全 ,  潘正圣 ,  沈育诚 ,  李敏鸿 ,  刘致为

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/78391 ,  H01L21/28291 ,  H01L29/16 ,  H01L29/401 ,  H01L29/513 ,  H01L29/516 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/7856 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/42312 ,  H01L29/42364

摘要： 本揭露的一实施例为一种半导体装置。半导体装置包括基板、栅极堆叠，及源极与漏极特征。栅极堆叠位于基板上。栅极堆叠包括铁电层、第一介电层，以及第一导电层。第一介电层与铁电层的其中一者经充电以形成具有固定电荷的带电层。源极与漏极特征位于基板上及位于栅极堆叠的侧面。

公开(公告)号：CN105225961A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201510598790.2

申请日：2012-11-30

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 朱慧珑 ,  许淼 ,  梁擎擎 ,  尹海洲

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/66803 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/7856

摘要： 公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：半导体衬底；在半导体衬底上形成的半导体鳍状结构；以及在鳍状结构侧壁上形成的掺杂剂层，其中，掺杂剂层的顶面低于半导体鳍状结构的顶面；以及在鳍状结构中形成且位置与掺杂剂层相对应的穿通阻止层。

公开(公告)号：CN104347704A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201310315051.9

申请日：2013-07-25

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 朱正勇 ,  朱慧珑 ,  许淼

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7855 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7856

摘要： 本发明提供了一种遂穿场效应晶体管，衬底，衬底上具有鳍，所述鳍具有相对的第一侧面、第二侧面以及相对的第三侧面、第四侧面；分别形成于第一侧面和第二侧面上的第一栅介质层和第二栅介质层；形成于衬底上、分别与第一栅介质层和第二栅介质层相接的第一栅极和第二栅极；形成于衬底上、分别与第三侧面、第四侧面相接的第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和第二掺杂区具有不同的掺杂类型。本发明通过鳍沟道区的宽度来控制遂穿结的宽窄，并具有更大的有效遂穿面积，因此可提高导通电流。同时，本发明的晶体管结构，其遂穿发生于半导体层中，即沟道中，由于隧穿层是非掺杂或低掺杂的，因此可降低漏电流，从而改善器件的亚阈值特性。此外，由于采用双栅控制，因此能更好控制双极导通特性，实现器件关断。

公开(公告)号：CN104217962A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201410242629.7

申请日：2014-06-03

申请人： 国际商业机器公司 ,  瑞萨电子公司

发明人： V·S·巴斯克 ,  省吾望月 ,  山下典洪 ,  叶俊呈

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10

CPC分类号： H01L29/78696 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3247 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/7856

摘要： 本发明涉及晶体管以及制造晶体管的方法。晶体管及其制造方法包括：在衬底上形成一个或多个半导体鳍；用保护层覆盖所述一个或多个半导体鳍的源极区和漏极区；在气体环境中对所述一个或多个半导体鳍的未覆盖的沟道部分进行退火以减小鳍宽度并且使所述一个或多个半导体鳍的拐角变圆；以及在减薄的鳍之上形成电介质层和栅极。

公开(公告)号：CN102217074A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN200980145755.8

申请日：2009-09-10

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 乔尔本·多恩柏斯 ,  罗伯特·兰德

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7856 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/10826 ,  H01L27/10879 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/105 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7853 ,  H01L29/7854

摘要： 一种鳍式场效应晶体管，它的鳍(12)具有一上部分(30)与一下部分(32)，上部分(30)进行了第一导电类型的掺杂，下部分(32)进行了第二导电类型的掺杂；其中上部分(30)与下部分(32)之间的结(34)作为二极管；鳍式场效应晶体管还包括：至少一层高k介电材料层(26，28)(例如，Si3N4)，相邻于鳍(12)的至少一侧，当上部分(30)连接到一第一电位且下部分(32)连接到一第二电位从而产生穿过结(34)的电位降时，相较于如果不存在该至少一层高k介电材料层的情况，该至少一层高k介电材料层(26，28)用于更均匀地重新分配该二极管上的电位降。高k介电材料的k值例如是k≥5，k≥7.5，与k≥20。

公开(公告)号：CN101443912B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200680028575.8

申请日：2006-07-21

申请人： 国际商业机器公司

发明人： E·J·诺瓦克

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L29/06 ,  H01L29/76 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7856

摘要： 这里公开了改善的鳍片型场效应管(鳍片FET)结构(100)以及制造所述结构的相关方法。在一个实施例中，通过非对称地配置所述鳍片FET(100)来减小栅极(120)与源极区域(101)之间的电阻和减小栅极(120)与漏极区域(102)之间的电容，来优化鳍片FET驱动电流。在另一实施例中，通过镇流鳍片FET(300)，来避免器件在高电压下损坏。具体而言，优化栅极(320)与源极区域(301)和漏极区域(302)两者之间的鳍片(350)的电阻(例如，通过增加鳍片长度(383)，通过使鳍片(350)免受源极/漏极注入，以及通过防止在鳍片的顶表面(395)上形成硅化物)，以便鳍片FET(300)在预定的最大电压下是可操作的。

公开(公告)号：CN101740624A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910222033.X

申请日：2009-11-13

申请人： 恩益禧电子股份有限公司

发明人： 田中圣康

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/823412 ,  H01L21/845 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7856

摘要： 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：三维结构，该三维结构在沟道方向上延伸；应力膜，该应力膜具有作用在三维结构的第一侧表面上的残留应力；栅绝缘膜，该栅绝缘膜形成在该三维结构的第二侧表面上方；以及栅电极，该栅电极覆盖三维结构且在其间插入栅绝缘膜，并且在第一侧表面和第二侧表面彼此相对的方向上延伸。三维结构具有在源电极与漏电极之间的沟道区。