公开(公告)号：CN1314063C

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN03154570.X

申请日：2003-08-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋寅相 ,  金永一 ,  李文喆 ,  沈东河 ,  弘荣泽 ,  朴仙姬 ,  南光佑

IPC: H01H59/00

CPC classification number: H01P1/127 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006

Abstract: 一种微型开关，包括：形成在基底上的电介质层，该电介质层具有移动区；导电层，形成在移动区的预定部分上；电介质薄膜，形成在导电层上；第一和第二电导体，在电介质薄膜的上方的预定距离形成；一个或两个下电极，形成在移动区上；以及一个或两个上电极，在下电极上方的预定距离形成，当在上电极和下电极之间产生静电力时，两个上电极导致导电层和电介质薄膜向上移动，并且使第一和第二电导体电容联接，以便使电流在第一和第二电导体之间流动。这种微型开关的通断率和隔离度高，结构简单，并且可以以非常简单的加工过程制造。

公开(公告)号：CN1773849A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200510120426.1

申请日：2005-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴允权 ,  金德焕 ,  南光佑 ,  宋寅相 ,  尹锡术 ,  河炳柱 ,  金钟硕

IPC: H03H9/54

CPC classification number: H03H9/0542 ,  H03H9/542 ,  H03H9/564 ,  H03H9/566

Abstract: 一种由薄膜体声谐振器形成的滤波器，其拓扑结构能够实现在与谐振器相同的衬底上制造微调电感器。可以在单个芯片上，仅采用集成电路工艺制造整个滤波器。在示范性实施例中，一对分路谐振器中的每一个均具有一个连接至串联谐振器的电极，所述的两个分路谐振器的另一个电极相互连接。在所述公共电极和地电势之间连接所述微调电感器。在所述串联谐振器和地电势之间连接第三分路谐振器。

公开(公告)号：CN100474773C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200510124880.4

申请日：2005-11-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴允权 ,  宋寅相 ,  尹锡术 ,  洪硕佑 ,  河炳柱 ,  沈东河 ,  朴海锡 ,  南光佑 ,  金德焕

IPC: H03H9/70 ,  H03H9/66

CPC classification number: H03H3/02 ,  H03H9/0571 ,  H03H9/706 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/43 ,  Y10T29/4902 ,  Y10T29/49155

Abstract: 公开了一种超小型的、高性能的单片双工器。该单片双工器包括基片、形成在基片上表面第一区域中的发射端滤波器、形成在基片上表面第二区域中的接收端滤波器、结合在基片上表面的区域上以把发射端滤波器和接收端滤波器封装在密封状态中的封装基片、和移相器，该移相器形成在封装基片一个表面上并分别连接到发射端滤波器和接收端滤波器以拦截发射端滤波器和接收端滤波器之间的信号入流。

公开(公告)号：CN100474770C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200510120426.1

申请日：2005-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴允权 ,  金德焕 ,  南光佑 ,  宋寅相 ,  尹锡术 ,  河炳柱 ,  金钟硕

IPC: H03H9/54

CPC classification number: H03H9/0542 ,  H03H9/542 ,  H03H9/564 ,  H03H9/566

Abstract: 一种由薄膜体声谐振器形成的滤波器，其拓扑结构能够实现在与谐振器相同的衬底的上制造微调电感器。可以在单个芯片上，仅采用集成电路工艺制造整个滤波器。在示范性实施例中，一对分路谐振器中的每一个均具有一个连接至串联谐振器的电极，所述的两个分路谐振器的另一个电极相互连接。在所述公共电极和地电势之间连接所述微调电感器。在所述串联谐振器和地电势之间连接第三分路谐振器。

公开(公告)号：CN1783712A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200510124880.4

申请日：2005-11-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴允权 ,  宋寅相 ,  尹锡术 ,  洪硕佑 ,  河炳柱 ,  沈东河 ,  朴海锡 ,  南光佑 ,  金德焕

IPC: H03H9/70 ,  H03H9/66

CPC classification number: H03H3/02 ,  H03H9/0571 ,  H03H9/706 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/43 ,  Y10T29/4902 ,  Y10T29/49155

Abstract: 公开了一种超小型的、高性能的单片双工器。该单片双工器包括基片、形成在基片上表面第一区域中的发射端滤波器、形成在基片上表面第二区域中的接收端滤波器、结合在基片上表面的区域上以把发射端滤波器和接收端滤波器封装在密封状态中的封装基片、和移相器，该移相器形成在封装基片一个表面上并分别连接到发射端滤波器和接收端滤波器以拦截发射端滤波器和接收端滤波器之间的信号入流。

公开(公告)号：CN1485873A

公开(公告)日：2004-03-31

申请号：CN03154570.X

申请日：2003-08-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋寅相 ,  金永一 ,  李文喆 ,  沈东河 ,  弘荣泽 ,  朴仙姬 ,  南光佑

IPC: H01H59/00

CPC classification number: H01P1/127 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006

Abstract: 一种微型开关，包括：形成在基底上的电介质层，该电介质层具有移动区；导电层，形成在移动区的预定部分上；电介质薄膜，形成在导电层上；第一和第二电导体，在电介质薄膜的上方的预定距离形成；一个或两个下电极，形成在移动区上；以及一个或两个上电极，在下电极上方的预定距离形成，当在上电极和下电极之间产生静电力时，两个上电极导致导电层和电介质薄膜向上移动，并且使第一和第二电导体电容联接，以便使电流在第一和第二电导体之间流动。这种微型开关的通断率和隔离度高，结构简单，并且可以以非常简单的加工过程制造。