公开(公告)号：CN100492623C

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200510129742.5

申请日：2005-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙东佑 ,  赵志虎 ,  金明载 ,  李元柱 ,  崔钟文

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/50 ,  H01L25/00 ,  G11C7/00

CPC classification number: G11C5/04

Abstract: 提供了一种多芯片半导体器件及其芯片使能方法，其能够选择性地激活和去激活该多芯片半导体器件的各个半导体芯片。根据内部芯片使能信号激活和去激活所述器件的各个半导体芯片。

公开(公告)号：CN106409324A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610621144.8

申请日：2016-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳成宪 ,  崔钟贤 ,  孙东佑 ,  吴起硕

IPC: G11C7/10 ,  G11C7/12 ,  G11C8/16

CPC classification number: G11C7/12 ,  G11C5/141 ,  G11C5/145 ,  G11C7/062 ,  G11C7/065 ,  G11C7/08 ,  G11C11/4074 ,  G11C11/4091 ,  G11C11/4094 ,  G11C7/1075 ,  G11C8/16

Abstract: 一种半导体存储器件包括多个存储单元、多条字线和多条位线，其中每个存储单元耦合到各自的字线和位线。半导体存储器件包括多个读出放大器，其中每个读出放大器耦合到两条位线。半导体存储器件被配置为接收第一正供电电压、第二正供电电压和负供电电压，并且在放大存储单元中的数据的操作中基于负供电电压来确定放大电压的低电平。

公开(公告)号：CN106409324B

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN201610621144.8

申请日：2016-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳成宪 ,  崔钟贤 ,  孙东佑 ,  吴起硕

IPC: G11C7/10 ,  G11C7/12 ,  G11C8/16

Abstract: 一种半导体存储器件包括多个存储单元、多条字线和多条位线，其中每个存储单元耦合到各自的字线和位线。半导体存储器件包括多个读出放大器，其中每个读出放大器耦合到两条位线。半导体存储器件被配置为接收第一正供电电压、第二正供电电压和负供电电压，并且在放大存储单元中的数据的操作中基于负供电电压来确定放大电压的低电平。

公开(公告)号：CN1815722A

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN200510129742.5

申请日：2005-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙东佑 ,  赵志虎 ,  金明载 ,  李元柱 ,  崔钟文

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/50 ,  H01L25/00 ,  G11C7/00

CPC classification number: G11C5/04

Abstract: 提供了一种多芯片半导体器件及其芯片使能方法，其能够选择性地激活和去激活该多芯片半导体器件的各个半导体芯片。根据内部芯片使能信号激活和去激活所述器件的各个半导体芯片。