公开(公告)号：CN108074908A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201711119538.4

申请日：2017-11-14

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 秦正起 ,  李来寅 ,  朴点龙 ,  千镇豪 ,  孙成旻 ,  李镐珍

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/528

摘要： 一种半导体芯片包括：半导体衬底，包括其中配置有凸块的凸块区及不包括凸块的非凸块区；以及钝化层，形成在所述半导体衬底的所述凸块区及所述非凸块区上，其中所述凸块区中所述钝化层的厚度厚于所述非凸块区中所述钝化层的厚度，且在所述凸块区与所述非凸块区之间具有台阶。所述半导体芯片具有提高的可靠性。

公开(公告)号：CN113921511A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202110772790.5

申请日：2021-07-08

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李圭夏 ,  蒋妵希 ,  金石镐 ,  罗勋奏 ,  朴宰亨 ,  孙成旻 ,  洪义官

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

摘要： 一种半导体封装件包括第一半导体芯片、第二半导体芯片、第一主连接焊盘结构和第一虚设连接焊盘结构。第一主连接焊盘结构布置在第一半导体芯片与第二半导体芯片之间的界面处，并且被布置为在与第一半导体芯片的顶表面平行的第一方向上彼此间隔开第一主间距，其中，第一主连接焊盘结构中的每一个包括：第一连接焊盘，其电连接至第一半导体芯片；以及第二连接焊盘，其电连接至第二半导体芯片并且接触第一连接焊盘。第一虚设连接焊盘结构布置在第一半导体芯片与第二半导体芯片之间的界面处，被布置为与第一主连接焊盘结构间隔开，并且被布置为在第一方向上彼此间隔开第一虚设间距，第一虚设间距大于第一主间距。

公开(公告)号：CN109962064B

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN201811267757.1

申请日：2018-10-29

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 千镇豪 ,  孙成旻 ,  全炯俊 ,  文光辰 ,  安振镐 ,  李镐珍 ,  藤崎纯史

IPC分类号： H01L25/18 ,  H10B80/00 ,  H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

摘要： 一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包括：延伸穿过衬底的通孔电极结构；通孔电极结构上的再分布层；以及导电焊盘，该导电焊盘包括延伸穿过再分布层的贯穿部分以及贯穿部分上的突出部分，所述突出部分从再分布层的上表面突出，其中突出部分的上表面的中间区平坦，并且不比突出部分的上表面的边缘区更靠近衬底。

公开(公告)号：CN118507452A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410173761.0

申请日：2024-02-07

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 孙成旻 ,  金石镐 ,  朴首玟 ,  李圭夏 ,  蒋妵希

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/78 ,  H10B80/00 ,  H01L23/31

摘要： 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括第一基底结构和堆叠在第一基底结构上的第二基底结构。第一基底结构包括：多个第一键合垫，在第一基底的第一管芯区域中；第一钝化层，在第一基底上，并且暴露第一键合垫；以及多个第一虚设图案，在第一划片区域中位于第一钝化层中。第二基底结构包括：多个第二键合垫，在第二基底的第二管芯区域中；第二钝化层，在第二基底上并暴露第二键合垫；以及多个第二虚设图案，在第二划片区域中位于第二钝化层中。第一键合垫和第二键合垫彼此直接键合。

公开(公告)号：CN109962064A

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201811267757.1

申请日：2018-10-29

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 千镇豪 ,  孙成旻 ,  全炯俊 ,  文光辰 ,  安振镐 ,  李镐珍 ,  藤崎纯史

IPC分类号： H01L25/18 ,  H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

摘要： 一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包括：延伸穿过衬底的通孔电极结构；通孔电极结构上的再分布层；以及导电焊盘，该导电焊盘包括延伸穿过再分布层的贯穿部分以及贯穿部分上的突出部分，所述突出部分从再分布层的上表面突出，其中突出部分的上表面的中间区平坦，并且不比突出部分的上表面的边缘区更靠近衬底。

公开(公告)号：CN108074908B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN201711119538.4

申请日：2017-11-14

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 秦正起 ,  李来寅 ,  朴点龙 ,  千镇豪 ,  孙成旻 ,  李镐珍

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/528

摘要： 一种半导体芯片包括：半导体衬底，包括其中配置有凸块的凸块区及不包括凸块的非凸块区；以及钝化层，形成在所述半导体衬底的所述凸块区及所述非凸块区上，其中所述凸块区中所述钝化层的厚度厚于所述非凸块区中所述钝化层的厚度，且在所述凸块区与所述非凸块区之间具有台阶。所述半导体芯片具有提高的可靠性。

公开(公告)号：CN110931443A

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201910835996.0

申请日：2019-09-05

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 崔朱逸 ,  姜泌圭 ,  金会哲 ,  罗勋奏 ,  朴宰亨 ,  孙成旻

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L25/18

摘要： 本公开提供了半导体装置和包括其的半导体封装件。半导体装置包括第一电介质层上的第一缓冲电介质层；按次序布置在第一缓冲电介质层上的第二电介质层和第二缓冲电介质层，第二缓冲电介质层与第一缓冲电介质层接触；以及焊盘互连结构，其穿过第一缓冲电介质层和第二缓冲电介质层，其中焊盘互连结构包括铜和锡。