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公开(公告)号：CN108074908B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201711119538.4
申请日：2017-11-14
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/528
摘要： 一种半导体芯片包括：半导体衬底，包括其中配置有凸块的凸块区及不包括凸块的非凸块区；以及钝化层，形成在所述半导体衬底的所述凸块区及所述非凸块区上，其中所述凸块区中所述钝化层的厚度厚于所述非凸块区中所述钝化层的厚度，且在所述凸块区与所述非凸块区之间具有台阶。所述半导体芯片具有提高的可靠性。
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公开(公告)号：CN114242683A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202110966811.7
申请日：2021-08-23
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/498
摘要： 一种半导体封装件可包括：再分布衬底，其具有彼此相对的第一表面和第二表面；半导体芯片，其位于再分布衬底的第一表面上；以及焊料图案，其位于再分布衬底的第二表面上。再分布衬底可包括：底部突块图案，其耦接至焊料图案；第一再分布图案，其位于底部突块图案上，第一再分布图案包括第一穿通部分和第一导线部分；以及第一种子图案，其位于底部突块图案与第一再分布图案之间并且位于第一穿通部分的侧表面和第一导线部分的底表面上。第一种子图案的底表面可以位于比底部突块图案的顶表面更低的水平处。
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公开(公告)号：CN113451257A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110249687.2
申请日：2021-03-08
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/538 , H01L25/065
摘要： 一种半导体封装件，包括：半导体芯片；再分布层结构，所述再分布层结构设置在所述半导体芯片下方；凸块焊盘，所述凸块焊盘设置在所述再分布层结构下方，并且具有上部结构和下部结构，所述上部结构具有第一宽度，所述下部结构具有小于所述第一宽度的第二宽度；金属晶种层，所述金属晶种层沿着所述上部结构的下表面和所述下部结构的侧表面设置；绝缘层，所述绝缘层围绕所述再分布层结构和所述凸块焊盘；和凸块结构，所述凸块结构设置在所述凸块焊盘下方。第一底切设置在所述金属晶种层的与所述上部结构接触的一端处，第二底切设置在所述金属晶种层的与所述下部结构接触的另一端处。
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公开(公告)号：CN117729779A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202310566432.8
申请日：2023-05-18
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H10B80/00 , H01L23/488
摘要： 一种半导体封装，包括：第一重分布结构；第一半导体芯片，在第一重分布结构上并包括第一贯通电极；第二半导体芯片，在第一半导体芯片上并包括与第一半导体芯片竖直重叠的中心部分和从第一半导体芯片的侧壁水平偏移的外部部分；模制层，与第一重分布结构、第一半导体芯片和第二半导体芯片接触；第二重分布结构，在第二半导体芯片和模制层上；第一竖直连接布线，延伸穿过模制层并从第一重分布结构延伸到第二重分布结构；以及第二竖直连接布线，延伸穿过模制层并从第一重分布结构延伸到第二半导体芯片的外部部分。
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公开(公告)号：CN113540013A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202011412819.0
申请日：2020-12-04
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/768 , H01L25/18
摘要： 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：过孔钝化层，设置在基底的非活性表面上并且包括凹部；贯穿电极，竖直穿透基底和过孔钝化层；以及过孔保护层，与过孔钝化层和贯穿电极共面并且填充所述凹部。所述凹部形成在过孔钝化层的顶表面中并且设置为与贯穿电极相邻。在水平剖视图中，过孔保护层具有围绕贯穿电极的带状。
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公开(公告)号：CN112310002A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010644781.3
申请日：2020-07-07
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/528 , H01L23/535
摘要： 一种半导体封装包括：包括芯片焊盘的半导体芯片；在半导体芯片上的下再分布结构，该下再分布结构包括下再分布绝缘层和电连接到半导体芯片的芯片焊盘的下再分布图案；在半导体芯片的至少一部分上的模制层；以及在模制层中的导电柱，该导电柱具有底表面和顶表面，该导电柱的底表面与下再分布结构的下再分布图案接触，并且该导电柱的顶表面具有凹入的形状。
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公开(公告)号：CN103021987A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210356842.1
申请日：2012-09-21
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/481 , H01L21/76898 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L25/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/05571 , H01L2224/05599 , H01L2224/13009 , H01L2224/13023 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13184 , H01L2224/13562 , H01L2224/13583 , H01L2224/13644 , H01L2224/13647 , H01L2224/13664 , H01L2224/13666 , H01L2224/13669 , H01L2224/13681 , H01L2224/13686 , H01L2224/14181 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16237 , H01L2224/16503 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2924/01327 , H01L2924/15788 , H01L2924/00 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/01047 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552
摘要： 本发明提供了半导体芯片、半导体器件、半导体封装件及其制造方法，所述半导体器件包括衬底和穿过该衬底的通路。该通路在其第一端具有从所述衬底的第一表面延伸出来的凸出部分，并且该通路的第二端与邻近所述衬底的相对的第二表面的互连线接触。浸润层位于所述通路与所述衬底之间并且在所述通路的凸出部分上延伸。所述浸润层包括这样的材料，该材料选择成在焊球耦接到在所述通路的凸出部分上延伸的所述浸润层时提高所述浸润层与接触所述浸润层的焊球之间的粘合强度。
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公开(公告)号：CN115966553A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211240493.7
申请日：2022-10-11
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/538 , H01L23/535 , H01L23/488 , H01L23/31 , H01L23/12
摘要： 提供了一种半导体封装，其包括：第一再分布基板；在第一再分布基板上的第一半导体芯片；在第一再分布基板和第一半导体芯片之间的第一凸块；在第一再分布基板上并且与第一半导体芯片间隔开的导电结构；在第一半导体芯片上的第二再分布基板；在第一半导体芯片和第二再分布基板之间的第二凸块；在第二再分布基板上的第二半导体芯片；在第一再分布基板和第二再分布基板之间并且在第一半导体芯片上的第一模层；以及在第二再分布基板和第二半导体芯片上并且与第一模层间隔开的第二模层。
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公开(公告)号：CN115831910A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211131604.0
申请日：2022-09-15
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/31
摘要： 一种半导体设备包括：第一重分布基板、位于第一重分布基板的顶表面上的半导体芯片、位于第一重分布基板的顶表面上并与半导体芯片横向隔开的导电结构、以及位于第一重分布基板上并覆盖半导体芯片的侧壁和导电结构的侧壁的模塑层。导电结构包括具有第一侧壁的第一导电结构和位于第一导电结构的顶表面上并具有第二侧壁的第二导电结构。第一导电结构具有第一侧壁的下部的底切。第二导电结构具有第二侧壁的下部的突起。
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