-
公开(公告)号：CN105319865B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201510455256.6
申请日：2015-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70641 , G03F1/38 , G03F1/44 , H01L21/027 , H01L21/0274
Abstract: 一种光掩模包括焦距测量标记区域，该焦距测量标记区域包括多个焦距监控图案。为了测量形成在基板上的特征图案的焦距变化，使用用于光刻测量的基板对象，该基板对象包括形成在与特征图案相同的水平上的焦距测量标记。一种光刻测量装置包括：投射器件，包括偏振器；检测器件，检测由要被测量的基板的焦距测量标记衍射的输出光束当中的±n级衍射光束的功率；以及确定器件，从±n级衍射光束之间的功率偏差来确定特征图案所经受的散焦。
-
公开(公告)号：CN1655065A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN200510009433.4
申请日：2005-02-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/42
CPC classification number: C11D7/266 , C11D11/0047
Abstract: 一种稀释剂组分包括丙二醇醚乙酸酯、甲基2－羟基－2－丙酸甲酯和酯化合物如乳酸乙酯、乙基3－乙氧基丙酸酯或其混合物。
-
公开(公告)号：CN110600423A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910915589.0
申请日：2016-03-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/8238 , H01L23/485 , H01L23/528 , H01L27/02
Abstract: 提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：基底，包括PMOSFET区和NMOSFET区；第一栅极结构，沿第一方向延伸并且与PMOSFET区和NMOSFET区交叉；栅极接触件，在第一栅极结构上并且连接到第一栅极结构，栅极接触件在PMOSFET区与NMOSFET区之间，栅极接触件包括：第一子接触件，与第一栅极结构的顶表面接触，第一子接触件包括沿第一栅极结构的一个侧壁朝向基底竖直地延伸的竖直延伸部分，第二子接触件，与第一栅极结构分隔开，第二子接触件的顶表面位于与第一子接触件的顶表面的水平面相同的水平面处。
-
公开(公告)号：CN106057807A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610130372.5
申请日：2016-03-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L29/423
Abstract: 提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：基底，包括PMOSFET区和NMOSFET区；第一栅极结构，沿第一方向延伸并且与PMOSFET区和NMOSFET区交叉；栅极接触件，在第一栅极结构上并且连接到第一栅极结构，栅极接触件在PMOSFET区与NMOSFET区之间，栅极接触件包括：第一子接触件，与第一栅极结构的顶表面接触，第一子接触件包括沿第一栅极结构的一个侧壁朝向基底竖直地延伸的竖直延伸部分，第二子接触件，与第一栅极结构分隔开，第二子接触件的顶表面位于与第一子接触件的顶表面的水平面相同的水平面处。
-
公开(公告)号：CN1801476A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200510126956.7
申请日：2005-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8242 , H01L21/8222 , H01L21/82
CPC classification number: H01L28/91 , H01L27/10817 , H01L27/10852
Abstract: 在制造电容器和半导体器件的方法中，在具有接触插塞的衬底上形成模制层。该模制层包括露出接触插塞的开口。在接触插塞、开口的内侧壁以及模制层上形成导电层。形成光致抗蚀剂图形，以基本填充该开口。通过部分去除导电层，形成圆柱形下电极。选择性地去除模制层，同时光致抗蚀剂图形防止破坏下电极、接触插塞和衬底。去除光致抗蚀剂图形，然后，在下电极上形成介质层和上电极。因为存在光致抗蚀剂图形，所以在选择性地去除模制层期间，可以有效防止破坏下电极和接触插塞。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110600423B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201910915589.0
申请日：2016-03-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/8238 , H01L23/485 , H01L23/528 , H01L27/02
Abstract: 提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：基底，包括PMOSFET区和NMOSFET区；第一栅极结构，沿第一方向延伸并且与PMOSFET区和NMOSFET区交叉；栅极接触件，在第一栅极结构上并且连接到第一栅极结构，栅极接触件在PMOSFET区与NMOSFET区之间，栅极接触件包括：第一子接触件，与第一栅极结构的顶表面接触，第一子接触件包括沿第一栅极结构的一个侧壁朝向基底竖直地延伸的竖直延伸部分，第二子接触件，与第一栅极结构分隔开，第二子接触件的顶表面位于与第一子接触件的顶表面的水平面相同的水平面处。
-
公开(公告)号：CN106057807B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201610130372.5
申请日：2016-03-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L29/423
Abstract: 提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：基底，包括PMOSFET区和NMOSFET区；第一栅极结构，沿第一方向延伸并且与PMOSFET区和NMOSFET区交叉；栅极接触件，在第一栅极结构上并且连接到第一栅极结构，栅极接触件在PMOSFET区与NMOSFET区之间，栅极接触件包括：第一子接触件，与第一栅极结构的顶表面接触，第一子接触件包括沿第一栅极结构的一个侧壁朝向基底竖直地延伸的竖直延伸部分，第二子接触件，与第一栅极结构分隔开，第二子接触件的顶表面位于与第一子接触件的顶表面的水平面相同的水平面处。
-
-
公开(公告)号：CN107546122A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710426584.2
申请日：2017-06-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L29/423
CPC classification number: H01L21/28123 , H01L21/0337 , H01L21/823431 , H01L21/823456
Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法包括：堆叠半导体层、第一牺牲层和第二牺牲层；图案化第二牺牲层以形成第二牺牲图案；在第二牺牲图案的两侧上形成间隔物图案，其中间隔物图案的间距是恒定的，并且间隔物图案的宽度是恒定的；去除第二牺牲图案；形成覆盖间隔物图案的掩模层；在掩模层上形成支持图案，其中支持图案的宽度大于间隔物图案的宽度，并且支持图案与间隔物图案交叠；将支持图案和间隔物图案转移到第一牺牲层上以形成栅极图案和支持图案；以及将栅极图案和支持图案转移到半导体层上以形成栅极和支持栅极。
-
公开(公告)号：CN107546122B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201710426584.2
申请日：2017-06-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L29/423
Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法包括：堆叠半导体层、第一牺牲层和第二牺牲层；图案化第二牺牲层以形成第二牺牲图案；在第二牺牲图案的两侧上形成间隔物图案，其中间隔物图案的间距是恒定的，并且间隔物图案的宽度是恒定的；去除第二牺牲图案；形成覆盖间隔物图案的掩模层；在掩模层上形成支持图案，其中支持图案的宽度大于间隔物图案的宽度，并且支持图案与间隔物图案交叠；将支持图案和间隔物图案转移到第一牺牲层上以形成栅极图案和支持图案；以及将栅极图案和支持图案转移到半导体层上以形成栅极和支持栅极。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.024 seconds)
