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公开(公告)号：CN106057890B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201610169618.X
申请日：2016-03-23
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一和第二鳍图案，通过第一沟槽隔开；栅电极，与第一和第二鳍图案交叉；和接触件，在栅电极的至少一侧上，接触件接触第一鳍图案，接触件具有不接触第二鳍图案的底表面，在接触件与第一鳍图案交叉的区域中从第一沟槽的底部到第一鳍图案的最顶端的高度是第一高度，在接触件的沿第二方向延伸的延长线与第二鳍图案交叉的区域中从第一沟槽的底部到第二鳍图案的最顶端的高度是第二高度，第一高度小于第二高度。
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公开(公告)号：CN108695323A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810295185.1
申请日：2018-03-30
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L23/528 , H01L27/11
CPC分类号： H01L29/41775 , H01L21/823425 , H01L21/823475 , H01L27/0207 , H01L27/0886 , H01L27/0924 , H01L27/1104 , H01L27/1211 , H01L29/0649 , H01L29/41791 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L21/823821 , H01L21/823871 , H01L23/5283 , H01L27/1116
摘要： 一种半导体器件包括鳍型有源图案中的源/漏区、与源/漏区相邻的栅结构以及源/漏区和栅结构上的绝缘层。共享接触插塞穿透绝缘层，并且包括连接到源/漏区的第一下部、连接到栅结构的第二下部以及连接到第一下部和第二下部的上表面的上部。插塞间隔物膜位于第一下部和第二下部中的至少一个与绝缘层之间，并且包括与绝缘层的材料不同的材料。
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公开(公告)号：CN106057890A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610169618.X
申请日：2016-03-23
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一和第二鳍图案，通过第一沟槽隔开；栅电极，与第一和第二鳍图案交叉；和接触件，在栅电极的至少一侧上，接触件接触第一鳍图案，接触件具有不接触第二鳍图案的底表面，在接触件与第一鳍图案交叉的区域中从第一沟槽的底部到第一鳍图案的最顶端的高度是第一高度，在接触件的沿第二方向延伸的延长线与第二鳍图案交叉的区域中从第一沟槽的底部到第二鳍图案的最顶端的高度是第二高度，第一高度小于第二高度。
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公开(公告)号：CN109768043B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN201811324302.9
申请日：2018-11-08
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H10B10/00 , H01L27/092
摘要： 一种半导体器件包括：基板，包括有源图案；器件隔离层，填充一对相邻的有源图案之间的沟槽；栅极电极，在有源图案上；以及栅极接触，在栅极电极上。每个有源图案包括在栅极电极的相反两侧的源极/漏极图案。栅极接触包括第一部分以及第二部分，第一部分与栅极电极竖直地交叠，第二部分从第一部分横向地延伸以使得第二部分与器件隔离层竖直交叠而不与栅极电极竖直交叠。第二部分的底表面相对于第一部分的底表面在基板的远端。第二部分的底表面相对于邻近第二部分的源极/漏极图案的顶部在基板的远端。
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公开(公告)号：CN110600423B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201910915589.0
申请日：2016-03-08
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/8238 , H01L23/485 , H01L23/528 , H01L27/02
摘要： 提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：基底，包括PMOSFET区和NMOSFET区；第一栅极结构，沿第一方向延伸并且与PMOSFET区和NMOSFET区交叉；栅极接触件，在第一栅极结构上并且连接到第一栅极结构，栅极接触件在PMOSFET区与NMOSFET区之间，栅极接触件包括：第一子接触件，与第一栅极结构的顶表面接触，第一子接触件包括沿第一栅极结构的一个侧壁朝向基底竖直地延伸的竖直延伸部分，第二子接触件，与第一栅极结构分隔开，第二子接触件的顶表面位于与第一子接触件的顶表面的水平面相同的水平面处。
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公开(公告)号：CN105762148B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201511021210.X
申请日：2015-12-30
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L29/08
摘要： 本发明涉及具有双硅化物的半导体器件及其制造方法。具有双硅化物的半导体器件包括位于衬底上的具有N型杂质的第一鳍和具有P型杂质的第二鳍。第一栅电极和第一源极/漏极区位于第一鳍上。第二栅电极和第二源极/漏极区位于第二鳍上。刻蚀停止层位于第一源极/漏极区和第二源极/漏极区上。绝缘层位于刻蚀停止层上。连接至第一源极/漏极区的第一插件以及连接至第二源极/漏极区的第二插件被形成为穿过绝缘层和刻蚀停止层。第一金属硅化物层位于第一源极/漏极区中。第二金属硅化物层位于第二源极/漏极区中，第二金属硅化物层具有与第一金属硅化物层的材料不同的材料，并且具有比第一金属硅化物层的厚度更小的厚度。
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公开(公告)号：CN106057807B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201610130372.5
申请日：2016-03-08
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L29/423
摘要： 提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：基底，包括PMOSFET区和NMOSFET区；第一栅极结构，沿第一方向延伸并且与PMOSFET区和NMOSFET区交叉；栅极接触件，在第一栅极结构上并且连接到第一栅极结构，栅极接触件在PMOSFET区与NMOSFET区之间，栅极接触件包括：第一子接触件，与第一栅极结构的顶表面接触，第一子接触件包括沿第一栅极结构的一个侧壁朝向基底竖直地延伸的竖直延伸部分，第二子接触件，与第一栅极结构分隔开，第二子接触件的顶表面位于与第一子接触件的顶表面的水平面相同的水平面处。
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公开(公告)号：CN115116953A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210059362.2
申请日：2022-01-19
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L27/092
摘要： 一种半导体器件包括在衬底上的第一有源图案。第一有源图案包括一对第一源极/漏极图案和在该对第一源极/漏极图案之间的第一沟道图案。栅电极设置在第一沟道图案上，第一栅极间隔物设置在栅电极的侧表面上。第一栅极间隔物包括第一间隔物和第二间隔物。第一间隔物的顶表面低于第二间隔物的顶表面。第一阻挡图案设置在第一间隔物上，栅极接触连接到栅电极。第一阻挡图案插置在栅极接触和第二间隔物之间。
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公开(公告)号：CN110600423A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910915589.0
申请日：2016-03-08
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/8238 , H01L23/485 , H01L23/528 , H01L27/02
摘要： 提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：基底，包括PMOSFET区和NMOSFET区；第一栅极结构，沿第一方向延伸并且与PMOSFET区和NMOSFET区交叉；栅极接触件，在第一栅极结构上并且连接到第一栅极结构，栅极接触件在PMOSFET区与NMOSFET区之间，栅极接触件包括：第一子接触件，与第一栅极结构的顶表面接触，第一子接触件包括沿第一栅极结构的一个侧壁朝向基底竖直地延伸的竖直延伸部分，第二子接触件，与第一栅极结构分隔开，第二子接触件的顶表面位于与第一子接触件的顶表面的水平面相同的水平面处。
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公开(公告)号：CN106057887A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610113173.3
申请日：2016-02-29
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 发明构思涉及一种包括场效应晶体管的半导体装置和用于制造该半导体装置的方法。所述半导体装置包括：基板，包括形成在其上的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；栅电极，在第一源极/漏极区和第二源极/漏极区之间且与基板交叉；以及有源接触件，使第一源极/漏极区和第二源极/漏极区彼此电连接。有源接触件与栅电极分隔开。有源接触件包括：第一子接触件，提供在第一源极/漏极区和第二源极/漏极区上以分别连接到第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；第二子接触件，提供在第一子接触件上以使第一子接触件彼此电连接；以及阻挡层，提供在第二子接触件和每个第一子接触件之间。
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