公开(公告)号：CN115497941A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202210485599.7

申请日：2022-05-06

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 崔峻荣 ,  金荣祐 ,  金台勳 ,  韩相然

IPC分类号： H01L27/108

摘要： 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括单元区域和外围电路区域；导电结构，在单元区域和外围电路区域上，导电结构在与基底的上表面平行的第一方向上延伸；栅极结构，在外围电路区域上，栅极结构在第一方向上与导电结构间隔开；间隔件，接触栅极结构的侧壁；以及第一覆盖图案，接触导电结构的在第一方向上的端部的侧壁以及间隔件的侧壁，其中，间隔件和第一覆盖图案包括不同的绝缘材料。

公开(公告)号：CN115020417A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202210194758.8

申请日：2022-03-01

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 崔茂林 ,  成政泰 ,  崔峻荣

IPC分类号： H01L27/11556 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11573

摘要： 提供半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统。所述半导体器件包括：第一半导体结构，所述第一半导体结构包括第一衬底、位于所述第一衬底上的电路器件、位于所述电路器件上的下互连结构和电连接到所述下互连结构的下接合结构；以及第二半导体结构，所述第二半导体结构设置在所述第一半导体结构上，并且包括第二衬底、在与所述第二衬底的下表面垂直的第一方向上堆叠并彼此间隔开的栅电极、穿过所述栅电极并在所述第一方向上延伸的沟道结构以及电连接到所述栅电极和所述沟道结构并接合到所述下接合结构的上接合结构。所述第二半导体结构还包括连接到所述第二衬底的上部的第一通路、与所述第一通路和所述第二衬底间隔开的第二通路以及接触插塞。

公开(公告)号：CN102566897B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201110350731.5

申请日：2011-11-01

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 白盛焕 ,  崔峻荣

IPC分类号： G06F3/0488 ,  G06F3/041

摘要： 公开了一种移动终端和基于移动终端的输入信号的屏幕改变控制方法。所述移动终端包括：显示面板，用于输出分配给用户功能的屏幕；控制单元，用于基于在显示面板上的当前屏幕与分配给用户功能的全屏的比例和通过缩放进行放大或缩小的比率中的至少一个来收集屏幕比率信息，并用于根据屏幕比率信息自动调整针对输入信号的屏幕改变量。

公开(公告)号：CN115643755A

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN202210812817.3

申请日：2022-07-11

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 姜钟仁 ,  崔峻荣 ,  洪润基 ,  金台勋 ,  吕晟溱 ,  韩相然

IPC分类号： H10B12/00

摘要： 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底，包括单元区和核心区；边界元件分隔膜，设置在衬底内部并将单元区和核心区分开；以及位线，设置在单元区和边界元件分隔膜上并沿第一方向延伸，其中边界元件分隔膜包括第一区域和第二区域，以边界元件分隔膜的下侧为基准，边界元件分隔膜的第一区域的上侧的高度与边界元件分隔膜的第二区域的上侧的高度不同，位线设置在边界元件分隔膜的第一区域和第二区域上方。

公开(公告)号：CN117255955A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202280032047.9

申请日：2022-04-29

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 崔峻荣 ,  李旼圭 ,  全海荣

IPC分类号： G01S5/02

摘要： 本公开提供了一种用于通过使用UWB来控制非UWB设备的方法。本公开的第一UWB设备的方法可以包括以下步骤：基于第一UWB设备与第二UWB设备之间的UWB测距基于第二UWB设备的位置来识别非UWB设备的位置；并且基于第一UWB设备的指向方向和非UWB设备的识别的位置来识别非UWB设备。

公开(公告)号：CN114582879A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202111305802.X

申请日：2021-11-05

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 崔茂林 ,  成政泰 ,  尹尚希 ,  全祐用 ,  崔峻荣 ,  黄允照

IPC分类号： H01L27/11529 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L25/18

摘要： 一种非易失性存储器装置包括第一结构和键合到第一结构的第二结构。第二结构包括：低电阻导电层；公共源极线层，其位于低电阻导电层上；堆叠结构，其位于公共源极线层上方；多个沟道结构，其穿过堆叠结构的单元区域，并且接触公共源极线层；虚设沟道结构，其穿过堆叠结构的台阶区域，并且接触公共源极线层；第二绝缘结构，其位于堆叠结构上；多个第二键合焊盘，其位于第二绝缘结构上；以及第二互连结构，其位于第二绝缘结构中。

公开(公告)号：CN114446988A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111260065.6

申请日：2021-10-28

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 黄允照 ,  金志泳 ,  成政泰 ,  崔峻荣

IPC分类号： H01L27/11575

摘要： 提供了一种半导体装置和包括半导体装置的数据存储系统。所述半导体装置包括第一基底结构和第二基底结构，第一基底结构包括第一基底、电路器件、第一互连线、位于第一互连线的上表面上的接合金属层以及位于第一互连线的上表面上且位于接合金属层的横向表面上的第一接合绝缘层，第二基底结构位于第一基底结构上并且包括第二基底、栅电极、沟道结构、第二互连线、接合过孔和第二接合绝缘层，接合过孔连接到第二互连线和接合金属层、并且具有倾斜为使得接合过孔的宽度随着接近第一基底结构而增大的横向表面，第二接合绝缘层与接合过孔的至少下部接触。接合金属层包括虚设接合金属层，虚设接合金属层不连接到接合过孔并且与第二接合绝缘层接触。

公开(公告)号：CN102566897A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110350731.5

申请日：2011-11-01

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 白盛焕 ,  崔峻荣

IPC分类号： G06F3/048 ,  G06F3/041

摘要： 公开了一种移动终端和基于移动终端的输入信号的屏幕改变控制方法。所述移动终端包括：显示面板，用于输出分配给用户功能的屏幕；控制单元，用于基于在显示面板上的当前屏幕与分配给用户功能的全屏的比例和通过缩放进行放大或缩小的比率中的至少一个来收集屏幕比率信息，并用于根据屏幕比率信息自动调整针对输入信号的屏幕改变量。

公开(公告)号：CN116096094A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202211357542.5

申请日：2022-11-01

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 崔茂林 ,  崔峻荣

IPC分类号： H10B43/30 ,  H10B43/40 ,  H10B43/27

摘要： 提供了半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统。该半导体装置包括：第一衬底；电路装置，其设置在第一衬底上；下互连结构，其电连接到电路装置；下接合结构，其连接到下互连结构；上接合结构，其接合到下接合结构；上互连结构，其连接到上接合结构；第二衬底，其设置在上互连结构上；导电板，其设置在第二衬底下方；栅电极，其设置在上互连结构与导电板之间，并且在竖直方向上堆叠；沟道结构，其穿透栅电极；多个导电图案，其分别设置在穿透第二衬底的多个开口中；以及外围接触插塞，其在从导电板起的外部区域中在竖直方向上延伸，并且连接到多个导电图案中的一个。

公开(公告)号：CN115679287A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210841861.7

申请日：2022-07-18

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 黄炳㯙 ,  李尚昱 ,  金圣协 ,  金建佑 ,  崔峻荣 ,  郑相勋

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458

摘要： 一种沉积设备包括其中具有至少一个第一进气口的腔室。固定卡盘安装在腔室中，并且静电卡盘安装在固定卡盘上。边缘环设置在静电卡盘的边缘上。喷头设置在边缘环上方。挡板设置在喷头上方，并且上电极设置在挡板上方。气体引导构件设置在上电极上方，使得设置在上电极中的流动路径与第一进气口连接。气体引导构件具有在朝上方向和朝下方向上穿透的流动路径孔，并且多个引导孔设置在气体引导构件的内表面上。