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    半导体装置及其制造方法
    2.
    发明公开
    半导体装置及其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN106783838A

    公开(公告)日：2017-05-31

    申请号：CN201610030780.3

    申请日：2016-01-18

    申请人： 新唐科技股份有限公司

    发明人： 邹安莉 ,  曾玮豪

    IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L21/762 ,  H01L21/768

    CPC分类号： H01L27/0207 ,  H01L21/76227 ,  H01L21/76805

    摘要： 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：基板；第二导电型外延层，设于基板上；第一导电型外延层，设于第二导电型外延层上；第二导电型埋藏层，设于第二导电型外延层中；第一隔离沟槽、第二隔离沟槽及第三隔离沟槽，其中第一隔离沟槽与第二隔离沟槽之间的区域为第一隔离区，第二隔离沟槽与第三隔离沟槽之间的区域为第二隔离区；第一导电型第一重掺杂区，设于第一隔离区中的第二导电型外延层中；以及第二导电型第一重掺杂区，设于第二隔离区中的第一导电型外延层中。

    沟槽的填充方法和成膜系统
    3.
    发明授权
    沟槽的填充方法和成膜系统 有权

    公开(公告)号：CN102347266B

    公开(公告)日：2014-11-12

    申请号：CN201110216875.1

    申请日：2011-07-29

    申请人： 东京毅力科创株式会社

    发明人： 渡边将久 ,  长谷部一秀

    IPC分类号： H01L21/762

    CPC分类号： H01L21/67167 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76227

    摘要： 本发明提供一种沟槽的填充方法和成膜系统。该填充方法和成膜系统用于对形成有沟槽、且至少在上述沟槽的侧壁上形成有氧化膜的半导体基板进行加热，并将氨基硅烷类气体供给到上述半导体基板的表面上而在上述半导体基板上形成晶种层，对形成有上述晶种层的半导体基板进行加热，并将单硅烷气体供给到上述晶种层的表面上而在上述晶种层上形成硅膜，使用经烧制会收缩的填充材料对形成有上述硅膜的半导体基板的上述沟槽进行填充，在含有水及/或羟基的气氛中对涂覆有用于填充上述沟槽的上述填充材料的上述半导体基板进行烧制，并使上述填充材料变化成硅氧化物、使上述硅膜以及上述晶种层分别变化成硅氧化物。

    改善沟槽栅分立功率器件晶圆内应力的方法
    4.
    发明公开
    改善沟槽栅分立功率器件晶圆内应力的方法 有权

    公开(公告)号：CN103854964A

    公开(公告)日：2014-06-11

    申请号：CN201210501626.1

    申请日：2012-11-30

    申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

    发明人： 刘远良 ,  斯海国

    IPC分类号： H01L21/02

    CPC分类号： H01L21/76224 ,  H01L21/76227

    摘要： 本发明公开了一种改善沟槽栅分立功率器件晶圆内应力的方法，步骤一，在硅衬底上形成氧化层；步骤二，在氧化层上涂布光刻胶，用光刻和刻蚀打开沟槽栅分立功率器件用的部分切割道区域；步骤三，根据定义的氧化层刻蚀位置图形刻蚀氧化层；步骤四，去除光刻胶并刻蚀硅衬底，形成沟槽；步骤五，去除氧化层，在沟槽内和硅衬底的端面上，热生长衬垫氧化层；步骤六，在衬垫氧化层的端面淀积氮化硅层；步骤七，去除沟槽底部和硅衬底端面上的氮化硅层；步骤八，在衬垫氧化层上和沟槽内热生长场氧化层；步骤九，光刻并刻蚀场氧化层，打开有源区，并制作沟槽栅分立功率器件。本发明能减小沟槽栅分立功率器件间的相互作用力，改善硅晶片的曲率和内应力。

    用高质量的氧化物填充半导体器件大型深沟槽的方法
    5.
    发明授权
    用高质量的氧化物填充半导体器件大型深沟槽的方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN102130010B

    公开(公告)日：2013-07-31

    申请号：CN201010604279.6

    申请日：2010-12-14

    申请人： 万国半导体股份有限公司

    发明人： 王晓彬 ,  安荷·叭剌 ,  李亦衡

    IPC分类号： H01L21/336

    CPC分类号： H01L29/0657 ,  H01L21/76202 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76227 ,  H01L29/407 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： 本发明提出了一种制备带有填充氧化物的大型深沟槽部分的半导体器件结构的方法，其沟槽尺寸为TCS，沟槽深度为TCD；块状半导体层，其厚度为BSLT＞TCD。在块状半导体层上方设计一个大型沟槽顶部区域，其几何形状与填充氧化物的大型深沟槽相同。将大型沟槽顶部区域分成散置的、互补的临时半导体台面区ITA-A以及临时垂直沟槽区ITA-B。通过除去对应ITA-B的块状半导体材料，在顶部块状半导体层表面内，创建多个深度为TCD的临时的垂直沟槽。将对应ITA-A的剩余的块状半导体材料转化成氧化物。如果转化后的ITA-A之间仍然有剩余空间，就沉积氧化物填满剩余空间。更重要的是，要确保所有分区的ITA-A和ITA-B的几何形状都应设计得简易并且小巧，以便于快速高效地进行氧化物转化和氧化物填充。

    浅沟槽隔离结构的形成方法
    6.
    发明公开
    浅沟槽隔离结构的形成方法 有权

    公开(公告)号：CN104425343A

    公开(公告)日：2015-03-18

    申请号：CN201310382846.1

    申请日：2013-08-28

    申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

    发明人： 何永根

    IPC分类号： H01L21/762

    CPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76227

    摘要： 一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有沟槽；在所述半导体衬底表面形成具有流动性的前驱材料层，所述前驱材料层填充满所述沟槽；对所述前驱材料层进行微波处理或行H2O等离子体处理，使所述前驱材料层转变成介质层。所述浅沟槽隔离结构的形成方法可以提高将前驱材料层转变成介质层的效率，提高介质层的隔离效果。

    半导体结构及方法
    9.
    发明公开
    半导体结构及方法 有权

    公开(公告)号：CN102983137A

    公开(公告)日：2013-03-20

    申请号：CN201110400436.6

    申请日：2011-12-05

    申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

    发明人： 柯俊宏 ,  陈志辉 ,  黄明杰

    IPC分类号： H01L27/11 ,  H01L23/522 ,  H01L21/8244

    CPC分类号： H01L21/76227 ,  H01L21/823437 ,  H01L27/0694 ,  H01L27/11

    摘要： 一个实施例是半导体结构。该半导体结构包括至少两个处于衬底上的栅极结构。该栅极结构限定了处于该栅极结构之间的凹槽，且该凹槽在垂直方向上限定出深度。该深度是从至少一个该栅极结构的顶面到该衬底的顶面下方，且该深度在该衬底的隔离区域内延伸。该半导体结构进一步包括处于该凹槽中的填充材料。该填充材料具有在垂直方向上的第一厚度。该半导体结构还包括处于该凹槽中和该填充材料上方的层间介电层。该层间介电层具有处于至少一个该栅极结构顶面下方在垂直方向上的第二厚度。该第一厚度大于该第二厚度。本发明还涉及半导体结构及方法。