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公开(公告)号：CN102034745A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010205314.7
申请日：2010-06-13
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L21/77 , H01L21/768 , C23F1/18 , C23F1/02 , G02F1/1362
CPC分类号： H01L27/124 , C23F1/02 , C23F1/18 , C23F1/26 , H01L21/32134 , H01L21/465 , H01L27/1225
摘要： 本发明提供了一种显示装置及制造该显示装置的方法。所述制造显示装置的方法包括：在底基板上形成栅极图案，所述栅极图案包括栅极线和栅电极；通过图案化数据金属层和氧化物半导体层两者来形成半导体图案和源极图案，其中，所述数据金属层和所述氧化物半导体层形成在具有所述栅极图案的所述底基板上，所述数据金属层包括第一铜合金层，并且所述氧化物半导体层包括氧化物半导体，其中，所述源极图案包括数据线、源电极和漏电极；并且在具有所述源极图案的底基板上形成电连接至所述漏电极的像素电极。
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公开(公告)号：CN101750822A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910258383.1
申请日：2009-12-14
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G02F1/1362 , H01L23/528 , H01L21/768
CPC分类号： G02F1/136286 , G02F2001/133302 , G02F2001/136295
摘要： 本发明提供一种显示基板及其制造方法，该显示基板包括：底基板；设置在底基板下表面上的形变防止层，其中形变防止层向底基板施加防止底基板弯曲的力；设置在底基板上表面上的栅极线；设置在底基板上的数据线；以及设置在底基板上的像素电极。
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公开(公告)号：CN101750916A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910253786.7
申请日：2009-12-17
CPC分类号： G03F7/425 , H01L27/124 , H01L27/1288
摘要： 根据一个或多个实施方法提供光刻胶剥离剂用组合物及薄膜晶体管阵列基板的制造方法。在一个或多个实施方式中，所述组合物包括约5-30重量％的链状胺化合物、约0.5-10重量％的环状胺化合物、约10-80重量％的二醇醚化合物、约5-30重量％的蒸馏水和约0.1-5重量％的腐蚀抑制剂。
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公开(公告)号：CN102376721A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110229094.6
申请日：2011-08-11
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1362 , G02F1/1368
CPC分类号： H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/1255
摘要： 本发明提供了薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，该薄膜晶体管阵列基板能够减小由于氧化物半导体图案的退化引起的器件的退化。该薄膜晶体管阵列基板可以包括：绝缘基板，栅极电极形成在其上；栅极绝缘膜，形成在绝缘基板上；氧化物半导体图案，设置在栅极绝缘膜上；抗蚀刻图案，形成在氧化物半导体图案上；以及源极电极和漏极电极，形成在抗蚀刻图案上。氧化物半导体图案可以包括位于源极电极与漏极电极之间的边缘部分，该边缘部分可以包括至少一个导电区域和至少一个不导电区域。
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公开(公告)号：CN102347335A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110208497.2
申请日：2011-07-25
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01L27/1288 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/458
摘要： 本发明公开了一种显示基底及其制造方法。显示基底包括：栅极线，在底基底上沿第一方向延伸；数据线，位于底基底上并沿与第一方向交叉的第二方向延伸；栅极绝缘层，位于栅极线上；薄膜晶体管；以及像素电极。薄膜晶体管包括电连接到栅极线的栅极、氧化物半导体图案以及位于氧化物半导体图案上并且彼此分隔开的源极和漏极。氧化物半导体图案包括包含氧化铟的第一半导体图案以及包含无铟氧化物的第二半导体图案。像素电极电连接到漏极。
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