公开(公告)号：CN102034745A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010205314.7

申请日：2010-06-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔永柱 ,  李禹根 ,  柳慧英 ,  金己园

IPC: H01L21/77 ,  H01L21/768 ,  C23F1/18 ,  C23F1/02 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/124 ,  C23F1/02 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/465 ,  H01L27/1225

Abstract: 本发明提供了一种显示装置及制造该显示装置的方法。所述制造显示装置的方法包括：在底基板上形成栅极图案，所述栅极图案包括栅极线和栅电极；通过图案化数据金属层和氧化物半导体层两者来形成半导体图案和源极图案，其中，所述数据金属层和所述氧化物半导体层形成在具有所述栅极图案的所述底基板上，所述数据金属层包括第一铜合金层，并且所述氧化物半导体层包括氧化物半导体，其中，所述源极图案包括数据线、源电极和漏电极；并且在具有所述源极图案的底基板上形成电连接至所述漏电极的像素电极。

公开(公告)号：CN102169904A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201110008745.9

申请日：2011-01-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金己园 ,  尹甲洙 ,  金度贤 ,  李贤贞

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78633

Abstract: 本发明提供一种显示基板。该显示基板包括：设置在基板上的栅互连；设置在该栅互连上且包括氧化物半导体的氧化物半导体图案；以及设置在该氧化物半导体图案上的数据互连。该氧化物半导体图案包括：具有第一氧化物和第一元素的第一氧化物半导体图案；以及具有第二氧化物的第二氧化物半导体图案。

公开(公告)号：CN102544026A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110259413.8

申请日：2011-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔永株 ,  李禹根 ,  尹甲洙 ,  金己园 ,  陈尚完 ,  宋栽沅 ,  朱迅

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板。该薄膜晶体管阵列面板包括：绝缘基板；栅线，设置在绝缘基板上并具有栅电极；第一栅绝缘层，设置在栅线上且由硅氮化物制成；第二栅绝缘层，设置在第一栅绝缘层上且由硅氧化物制成；氧化物半导体，设置在第二栅绝缘层上；数据线，设置在氧化物半导体上且具有源电极；漏电极，设置在氧化物半导体上且面对源电极；以及像素电极，连接到漏电极。第二栅绝缘层的厚度可以在从200至500的范围。

公开(公告)号：CN101447490A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200810173348.5

申请日：2008-11-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金彰洙 ,  宁洪龙 ,  金俸均 ,  朴弘植 ,  金时烈 ,  郑敞午 ,  金湘甲 ,  尹在亨 ,  李禹根 ,  裴良浩 ,  尹弼相 ,  郑钟铉 ,  洪瑄英 ,  金己园 ,  李炳珍 ,  李永旭 ,  金钟仁 ,  金炳范 ,  徐南锡

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768

CPC classification number: G02F1/13458 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

Abstract: 一种阵列基板，其中栅极线包括形成在基部基板上的第一种子层和形成在所述第一种子层上的第一金属层。第一绝缘层形成在所述基部基板上。第二绝缘层形成在所述基部基板上。在这里，线沟槽沿与所述栅极线相交叉的方向穿过所述第二绝缘层形成。数据线包括形成在所述线沟槽下的第二种子层和形成在所述线沟槽中的第二金属层。像素电极形成在所述基部基板的像素区域。因此，使用绝缘层来形成预定深度的沟槽，并且通过电镀方法形成金属层，从而能够形成具有足够厚度的金属线。本发明还提供了一种阵列基板制造方法。