公开(公告)号：CN101853858A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN201010171725.9

申请日：2010-01-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金元住 ,  朴允童 ,  成政宪 ,  庆龙九 ,  崔相武 ,  李太熙

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L27/11578 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/08 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556

Abstract: 提供了具有层叠结构的非易失性存储器件以及包括该非易失性存储器件的存储卡和电子系统。非易失性存储器件可以包括衬底。层叠NAND单元阵列可以具有至少一个NAND组，每个NAND组可以包括垂直层叠在衬底上面的多个NAND串。至少一条信号线可以排列在衬底上从而与所述至少一个NAND组公共耦合。