公开(公告)号：CN101727969B

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN200910205251.2

申请日：2009-10-21

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 崔相武 ,  金元住 ,  李太熙 ,  车大吉

IPC分类号： G11C11/4063 ,  H01L27/108

CPC分类号： H01L27/10802 ,  G11C11/404 ,  G11C2207/2227 ,  G11C2211/4016 ,  H01L21/84 ,  H01L27/10844 ,  H01L29/7841

摘要： 本发明提供了一种操作半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：在将半导体装置的数据状态改变为第一状态的擦除模式下，将施加到所述漏区的漏极电压脉冲从启用状态转变至停用状态，然后，将施加到所述栅极区的栅极电压脉冲从所述启用状态转变为所述停用状态；在将半导体装置的数据状态改变为第二状态的写入模式下，将所述栅极电压脉冲从所述启用状态转变至所述停用状态，然后，将所述漏极电压脉冲从所述启用状态转变至所述停用状态。

公开(公告)号：CN103777750A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201310504921.7

申请日：2013-10-23

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴允童 ,  金元住 ,  陈暎究 ,  权东旭 ,  金庆溢 ,  金民镐 ,  李起相 ,  李相普 ,  李镇京 ,  崔镇旭

IPC分类号： G06F3/01 ,  G06F3/0487 ,  G06F1/32 ,  H04M1/73

CPC分类号： G06F3/017 ,  G06F1/3262 ,  G06F3/011 ,  G06F3/0416 ,  G06F2203/04101 ,  G06F2203/04106

摘要： 本发明公开了一种移动系统、一种三维图像传感器的操作方法以及一种具有多个深度像素和彩色像素的图像传感器的操作方法。移动系统可以包括：位于所述移动系统的第一表面上的三维图像传感器，所述三维图像传感器构造成进行第一感测以检测对象的接近度并且通过获取对象的距离信息来进行第二感测以识别对象的手势；以及/或者位于所述移动系统的第一表面上的显示装置，所述显示装置用于显示所述第一感测和所述第二感测的结果。移动系统可以包括：光源单元；多个深度像素；以及/或者多个彩色像素。可以基于所述移动系统的操作模式启动光源单元、多个深度像素或多个彩色像素。

公开(公告)号：CN101552287A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200910203994.6

申请日：2009-03-13

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金元住 ,  崔相武 ,  李太熙

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L29/36 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L27/105

CPC分类号： H01L29/7317 ,  H01L29/7841 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78654

摘要： 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。提供的半导体器件包括：衬底区；在衬底区上的有源区；在有源区上的栅极图案；以及第一杂质掺杂区和第二杂质掺杂区，沿有源区的两个边缘且不与栅极图案重叠。第一杂质掺杂区和第二杂质掺杂区在水平方向的长度可以短于在垂直方向上的长度。第一杂质掺杂区和第二杂质掺杂区可以沿有源区的两个边缘形成为狭窄的从而不与栅极图案重叠。

公开(公告)号：CN103777750B

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201310504921.7

申请日：2013-10-23

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴允童 ,  金元住 ,  陈暎究 ,  权东旭 ,  金庆溢 ,  金民镐 ,  李起相 ,  李相普 ,  李镇京 ,  崔镇旭

IPC分类号： G06F3/01 ,  G06F3/0487 ,  G06F1/3293 ,  H04M1/73

摘要： 本发明公开了一种移动系统、一种三维图像传感器的操作方法以及一种具有多个深度像素和彩色像素的图像传感器的操作方法。移动系统可以包括：位于所述移动系统的第一表面上的三维图像传感器，所述三维图像传感器构造成进行第一感测以检测对象的接近度并且通过获取对象的距离信息来进行第二感测以识别对象的手势；以及/或者位于所述移动系统的第一表面上的显示装置，所述显示装置用于显示所述第一感测和所述第二感测的结果。移动系统可以包括：光源单元；多个深度像素；以及/或者多个彩色像素。可以基于所述移动系统的操作模式启动光源单元、多个深度像素或多个彩色像素。

公开(公告)号：CN101727969A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200910205251.2

申请日：2009-10-21

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 崔相武 ,  金元住 ,  李太熙 ,  车大吉

IPC分类号： G11C11/4063 ,  H01L27/108

CPC分类号： H01L27/10802 ,  G11C11/404 ,  G11C2207/2227 ,  G11C2211/4016 ,  H01L21/84 ,  H01L27/10844 ,  H01L29/7841

摘要： 本发明提供了一种操作半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：在将半导体装置的数据状态改变为第一状态的擦除模式下，将施加到所述漏区的漏极电压脉冲从启用状态转变至停用状态，然后，将施加到所述栅极区的栅极电压脉冲从所述启用状态转变为所述停用状态；在将半导体装置的数据状态改变为第二状态的写入模式下，将所述栅极电压脉冲从所述启用状态转变至所述停用状态，然后，将所述漏极电压脉冲从所述启用状态转变至所述停用状态。

公开(公告)号：CN1627503A

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN200410098358.9

申请日：2004-12-08

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 宋仁才 ,  金元住 ,  徐顺爱

IPC分类号： H01L21/8239 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108

CPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/66833

摘要： 提供了一种存储器件及其制造方法。该方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成栅层叠结构，并通过蚀刻所述栅层叠结构的端部，部分地暴露所述半导体衬底的上端部分；将掺杂剂注入到所述半导体衬底的所述暴露部分中以形成源区和漏区，其中蚀刻所述栅层叠结构使得其宽度从顶部至底部增加。因此，可采用简化的制造工艺来制造高集成度的存储器件。

公开(公告)号：CN103531537A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310379108.1

申请日：2009-12-01

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金元住 ,  崔相武 ,  李太熙 ,  朴允童

IPC分类号： H01L21/82 ,  H01L27/02 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L27/1203 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/84 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10802 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/7841

摘要： 本发明公开了包括局部化绝缘体上硅结构的半导体装置。该半导体装置包括：基底区域；在基底区域中的第一导电类型的第一阱；第二导电类型的第二阱；第二导电类型的第三阱；绝缘体上硅结构，在第三阱的上方填充基底区域中的凹陷，其中，第二阱和第三阱通过第一阱隔开，并且第二阱和第三阱形成在第一阱两侧的区域中，使得第二阱和第三阱彼此不相邻，第二阱和第三阱中的至少一个位于第一阱上，其中，第一晶体管的源极和漏极在第二阱中，第二晶体管的源极和漏极在绝缘体上硅结构中，其中，驱动电路包括第一晶体管，存储器单元包括第二晶体管。

公开(公告)号：CN101545771B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200910129834.1

申请日：2009-03-26

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 陈暎究 ,  朴允童 ,  金元住 ,  李承勋 ,  赵寅成

IPC分类号： G01C3/08

CPC分类号： G01C3/08 ,  G01S7/4863 ,  G01S17/89

摘要： 本发明公开了测距传感器及三维彩色图像传感器。测距传感器可以包括：光电转换区；第一电荷存储区和第二电荷存储区；第一沟槽和第二沟槽；和/或第一垂直光栅极和第二垂直光栅极。光电转换区可以在衬底中和/或可以用第一杂质掺杂以便响应接收的光而产生电荷。第一电荷存储区和第二电荷存储区可以在衬底中和/或可以用第二杂质掺杂以便收集电荷。第一沟槽和第二沟槽可以形成为在衬底中分别具有与第一电荷存储区和第二电荷存储区对应的深度。第一垂直光栅极和第二垂直光栅极可以分别在第一沟槽和第二沟槽中。三维彩色图像传感器可以包括多个单元像素。每个单元像素可以包括多个彩色像素和测距传感器。

公开(公告)号：CN101853858A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN201010171725.9

申请日：2010-01-14

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金元住 ,  朴允童 ,  成政宪 ,  庆龙九 ,  崔相武 ,  李太熙

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  G11C16/02

CPC分类号： H01L27/11578 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/08 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556

摘要： 提供了具有层叠结构的非易失性存储器件以及包括该非易失性存储器件的存储卡和电子系统。非易失性存储器件可以包括衬底。层叠NAND单元阵列可以具有至少一个NAND组，每个NAND组可以包括垂直层叠在衬底上面的多个NAND串。至少一条信号线可以排列在衬底上从而与所述至少一个NAND组公共耦合。

公开(公告)号：CN101615617A

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200910150850.9

申请日：2009-06-23

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 车大吉 ,  金元住 ,  李太熙 ,  朴允童

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L29/78 ,  H01L29/73 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8242

CPC分类号： H01L29/7841 ,  H01L21/84 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10802 ,  H01L27/10844 ,  H01L27/1203

摘要： 本发明公开了一种半导体基底、半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：半导体基底；栅极图案，设置在半导体基底上；主体区，设置在栅极图案之上；第一掺杂区和第二掺杂区。栅极图案设置在主体区以及第一掺杂区和第二掺杂区之下。