公开(公告)号：CN104299986B

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201410151913.3

申请日：2014-04-16

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金柱然 ,  张亨淳 ,  尹钟密 ,  河泰元

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L21/336

摘要： 本发明公开了一种半导体器件，其包括：衬底，其包括第一有源区、第二有源区和第一和第二有源区之间的场区；以及栅极结构，其形成在衬底上，以跨越第一有源区、第二有源区和场区。栅极结构包括彼此直接接触的p型金属栅电极和n型金属栅电极，p型金属栅电极从第一有源区朝着第二有源区延伸不到第一有源区与第二有源区之间的距离的一半。

公开(公告)号：CN104299986A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201410151913.3

申请日：2014-04-16

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金柱然 ,  张亨淳 ,  尹钟密 ,  河泰元

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823871 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/20 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/66477

摘要： 本发明公开了一种半导体器件，其包括：衬底，其包括第一有源区、第二有源区和第一和第二有源区之间的场区；以及栅极结构，其形成在衬底上，以跨越第一有源区、第二有源区和场区。栅极结构包括彼此直接接触的p型金属栅电极和n型金属栅电极，p型金属栅电极从第一有源区朝着第二有源区延伸不到第一有源区与第二有源区之间的距离的一半。

公开(公告)号：CN108807280B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN201810677304.X

申请日：2014-04-16

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金柱然 ,  张亨淳 ,  尹钟密 ,  河泰元

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L27/092

摘要： 本发明公开了一种半导体器件，其包括：衬底，其包括第一有源区、第二有源区和第一和第二有源区之间的场区；以及栅极结构，其形成在衬底上，以跨越第一有源区、第二有源区和场区。栅极结构包括彼此直接接触的p型金属栅电极和n型金属栅电极，p型金属栅电极从第一有源区朝着第二有源区延伸不到第一有源区与第二有源区之间的距离的一半。

公开(公告)号：CN116417456A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202310024610.4

申请日：2023-01-09

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李珍铭 ,  张亨淳 ,  金培经 ,  卢贤娥 ,  白种收 ,  李宝璎

IPC分类号： H01L27/02

摘要： 提供了半导体装置。所述半导体装置包括：基底，具有第一区域至第四区域；第一有源区域、第二有源区域、第三有源区域和第一虚设有源区域，分别在第一区域至第四区域上延伸；第一栅极结构，在第一区域上与第一有源区域交叉，并且包括第一栅极导电层；第二栅极结构，在第二区域上与第二有源区域交叉，并且包括第二栅极导电层；第三栅极结构，在第三区域上与第三有源区域交叉，并且包括第三栅极导电层；第一虚设栅极结构，在第四区域上与第一虚设有源区域交叉，并且包括第一虚设栅极导电层；以及源极/漏极区域，位于第一有源区域、第二有源区域和第三有源区域上，并且位于第一栅极结构的两侧、第二栅极结构的两侧和第三栅极结构的两侧。

公开(公告)号：CN108922889B

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN201810678662.2

申请日：2014-04-16

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金柱然 ,  张亨淳 ,  尹钟密 ,  河泰元

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L27/12 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L27/02 ,  H01L21/336

摘要： 本发明公开了一种半导体器件，其包括：衬底，其包括第一有源区、第二有源区和第一和第二有源区之间的场区；以及栅极结构，其形成在衬底上，以跨越第一有源区、第二有源区和场区。栅极结构包括彼此直接接触的p型金属栅电极和n型金属栅电极，p型金属栅电极从第一有源区朝着第二有源区延伸不到第一有源区与第二有源区之间的距离的一半。

公开(公告)号：CN108922889A

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201810678662.2

申请日：2014-04-16

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金柱然 ,  张亨淳 ,  尹钟密 ,  河泰元

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L27/12 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L27/02 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823871 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/20 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： 本发明公开了一种半导体器件，其包括：衬底，其包括第一有源区、第二有源区和第一和第二有源区之间的场区；以及栅极结构，其形成在衬底上，以跨越第一有源区、第二有源区和场区。栅极结构包括彼此直接接触的p型金属栅电极和n型金属栅电极，p型金属栅电极从第一有源区朝着第二有源区延伸不到第一有源区与第二有源区之间的距离的一半。

公开(公告)号：CN108807280A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810677304.X

申请日：2014-04-16

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金柱然 ,  张亨淳 ,  尹钟密 ,  河泰元

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823871 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/20 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： 本发明公开了一种半导体器件，其包括：衬底，其包括第一有源区、第二有源区和第一和第二有源区之间的场区；以及栅极结构，其形成在衬底上，以跨越第一有源区、第二有源区和场区。栅极结构包括彼此直接接触的p型金属栅电极和n型金属栅电极，p型金属栅电极从第一有源区朝着第二有源区延伸不到第一有源区与第二有源区之间的距离的一半。