具有多单元阵列的半导体发光器件

    公开(公告)号:CN103311420A

    公开(公告)日:2013-09-18

    申请号:CN201310067410.3

    申请日:2013-03-04

    IPC分类号: H01L33/62 H01L33/36

    CPC分类号: H01L27/153 H01L33/38

    摘要: 本发明提供了一种半导体发光器件,包括:衬底;多单元阵列,其包括布置在所述衬底的上表面上的多个发光单元;多个第一电极和多个第二电极,其形成在每个发光单元中并且具有相反极性;多个互连单元,其将形成在一个发光单元中的多个第一电极串联连接到形成在相邻发光单元中的多个第二电极;以及绝缘层,其形成在各发光单元的表面上以便防止所述多个互连单元与各发光单元的不期望区域进行连接。

    半导体发光装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106206889A

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201610342174.5

    申请日:2016-05-23

    发明人: 金明河 林璨默

    IPC分类号: H01L33/10

    CPC分类号: H01L33/46 H01L33/10

    摘要: 本发明提供了一种半导体发光装置,其具有通过包括分离层的反射器提供的提高的光提取效率。分离层可介于包括具有不同折射率的一对或多对折射层的第一布拉格层与第二布拉格层之间,第一对堆叠在分离层的一侧上,第二对堆叠在分离层的另一侧上。

    具有多单元阵列的半导体发光器件

    公开(公告)号:CN103311420B

    公开(公告)日:2017-04-12

    申请号:CN201310067410.3

    申请日:2013-03-04

    IPC分类号: H01L33/62 H01L33/36

    CPC分类号: H01L27/153 H01L33/38

    摘要: 本发明提供了一种半导体发光器件,包括:衬底;多单元阵列,其包括布置在所述衬底的上表面上的多个发光单元;多个第一电极和多个第二电极,其形成在每个发光单元中并且具有相反极性;多个互连单元,其将形成在一个发光单元中的多个第一电极串联连接到形成在相邻发光单元中的多个第二电极;以及绝缘层,其形成在各发光单元的表面上以便防止所述多个互连单元与各发光单元的不期望区域进行连接。

    半导体发光器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN104241486A

    公开(公告)日:2014-12-24

    申请号:CN201410267670.X

    申请日:2014-06-16

    IPC分类号: H01L33/38 H01L33/40

    摘要: 本发明提供了一种半导体发光器件及其制造方法。所述半导体发光器件包括发光结构,所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。所述器件还可包括:第一电极,其连接至第一导电类型半导体层;和第二电极,其连接至第二导电类型半导体层并具有焊盘区和在一个方向上从焊盘区延伸的指区。第二电极可包括:透明电极部件,其布置在第二导电类型半导体层上,并在其中包括至少一个开口;至少一个反射部件,其在所述开口中与透明电极部件分隔开,并且设置在焊盘区和指区中;以及接合部件,其布置在反射部件的至少一部分上,并包括在指区中彼此分隔开的多个接合指部件和设置在焊盘区中的接合焊盘部件。

    半导体发光器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN104241486B

    公开(公告)日:2018-05-25

    申请号:CN201410267670.X

    申请日:2014-06-16

    IPC分类号: H01L33/38 H01L33/40

    摘要: 本发明提供了一种半导体发光器件及其制造方法。所述半导体发光器件包括发光结构,所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。所述器件还可包括:第一电极,其连接至第一导电类型半导体层;和第二电极,其连接至第二导电类型半导体层并具有焊盘区和在一个方向上从焊盘区延伸的指区。第二电极可包括:透明电极部件,其布置在第二导电类型半导体层上,并在其中包括至少一个开口;至少一个反射部件,其在所述开口中与透明电极部件分隔开,并且设置在焊盘区和指区中;以及接合部件,其布置在反射部件的至少一部分上,并包括在指区中彼此分隔开的多个接合指部件和设置在焊盘区中的接合焊盘部件。