公开(公告)号：CN118800788A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410189777.0

申请日：2024-02-20

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 柳成男 ,  卢孝贞 ,  梁民友 ,  李炳训 ,  丁乙芝

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H10B12/00

摘要： 一种栅极结构可以包括：第一导电图案；第二导电图案，所述第二导电图案位于所述第一导电图案上并包括掺杂有杂质的多晶硅；以及栅极绝缘图案，所述栅极绝缘图案位于所述第一导电图案的侧壁和所述第二导电图案的侧壁上。包括半导体材料或绝缘材料的覆盖层可以设置在所述第一导电图案下方。所述第一导电图案可以包括金属颗粒。至少一个所述金属颗粒可以从所述覆盖层的上表面延伸到所述第二导电图案的下表面，并且可以接触所述覆盖层的所述上表面和所述第二导电图案的所述下表面。

公开(公告)号：CN109801918A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201811248928.6

申请日：2018-10-24

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李根 ,  李正吉 ,  金度亨 ,  柳成男 ,  林炫锡

IPC分类号： H01L27/11556 ,  H01L27/11582 ,  H01L21/336

摘要： 一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上交替堆叠牺牲层和层间绝缘层，以形成堆叠结构；形成穿透堆叠结构的沟道；形成穿透堆叠结构的分离区；通过去除穿过分离区的牺牲层来形成横向开口；以及在横向开口中形成栅电极。形成栅电极可以包括：通过供应源气体和第一反应气体在横向开口中形成成核层，以及通过供应源气体和与第一反应气体不同的第二反应气体在成核层上形成体层以填充横向开口。第一反应气体可以从储存在充气单元中并从充气单元供应的第一反应气体源供应。

公开(公告)号：CN118613052A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410230756.9

申请日：2024-02-29

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 柳成男 ,  卢孝贞 ,  李炳训 ,  李将银 ,  丁乙芝

IPC分类号： H10B12/00 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28

摘要： 一种半导体存储器件包括：基板，所述基板具有限定有源区的元件分隔膜；和栅极结构，所述栅极结构位于所述基板上的沟槽中并且与所述有源区相交，其中，每个所述栅极结构包括：栅极绝缘层，所述栅极绝缘层沿着所述沟槽中的相应沟槽的侧壁和底表面延伸；栅电极层，所述栅电极层位于所述栅极绝缘层上，并且包括第一金属层和位于所述第一金属层上的第二金属层；衬膜，所述衬膜位于所述栅极绝缘层和所述第一金属层之间，并且包括与所述第一金属层和所述第二金属层相同的金属材料；和覆盖膜，所述覆盖膜与所述第二金属层接触。

公开(公告)号：CN118398655A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410022844.X

申请日：2024-01-08

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 卢孝贞 ,  柳成男 ,  李炳训 ,  李将银 ,  丁乙芝

IPC分类号： H01L29/423 ,  H10B12/00

摘要： 提供了栅极结构和包括该栅极结构的半导体装置。该栅极结构包括：第一导电图案，包括第一金属或第一金属化合物并且掺杂有第二金属或硅；第二导电图案，在第一导电图案上，第二导电图案包括第三金属；以及栅极绝缘图案，覆盖第一导电图案的下表面和侧壁以及第二导电图案的侧壁；其中，第二金属的功函数小于第一金属的功函数并且小于第一金属化合物的功函数。

公开(公告)号：CN109801918B

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN201811248928.6

申请日：2018-10-24

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李根 ,  李正吉 ,  金度亨 ,  柳成男 ,  林炫锡

IPC分类号： H10B41/27 ,  H10B43/27 ,  H01L21/336

摘要： 一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上交替堆叠牺牲层和层间绝缘层，以形成堆叠结构；形成穿透堆叠结构的沟道；形成穿透堆叠结构的分离区；通过去除穿过分离区的牺牲层来形成横向开口；以及在横向开口中形成栅电极。形成栅电极可以包括：通过供应源气体和第一反应气体在横向开口中形成成核层，以及通过供应源气体和与第一反应气体不同的第二反应气体在成核层上形成体层以填充横向开口。第一反应气体可以从储存在充气单元中并从充气单元供应的第一反应气体源供应。