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公开(公告)号：CN109935682B
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN201811398018.6
申请日：2018-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了磁性存储器装置和用于制造其的方法，所述磁性存储器装置包括：基底；隧道势垒图案，位于基底上；第一磁性图案和第二磁性图案，彼此分隔开并且隧道势垒图案位于第一磁性图案和第二磁性图案之间；以及短路防止图案，与隧道势垒图案分隔开并且第二磁性图案位于短路防止图案和隧道势垒图案之间。短路防止图案包括交替堆叠的至少两个氧化物层和至少两个金属层。
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公开(公告)号：CN107689418B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN201710645754.6
申请日：2017-08-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种磁存储器件，其包括具有自由图案、参考图案、以及在自由图案与参考图案之间的隧道势垒图案的磁隧道结图案。自由图案包括第一子自由图案、第二子自由图案和第三子自由图案。第一子自由图案在隧道势垒图案与第三子自由图案之间，第二子自由图案在第一子自由图案与第三子自由图案之间。第二子自由图案包括镍‑钴‑铁‑硼(NiCoFeB)，第三子自由图案包括镍‑铁‑硼(NiFeB)。还提供了相关的制造方法。
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公开(公告)号：CN114824061A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202111596582.0
申请日：2021-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：基板；在基板上的下电极；在下电极上的磁隧道结结构，该磁隧道结结构包括依次堆叠的钉扎层、隧道势垒层和自由层；在磁隧道结结构上的上电极；以及在自由层和上电极之间的氧化控制层，该氧化控制层包括至少一个过滤层和至少一个氧化物层，其中所述至少一个过滤层包括MoCoFe。
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公开(公告)号：CN113270413A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110183995.X
申请日：2021-02-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/11551 , H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L27/11578
Abstract: 一种半导体器件包括在第一方向上延伸的位线、在第二方向上延伸的栅电极、在第三方向上延伸并连接到位线的半导体图案、以及电容器。电容器包括连接到半导体图案的第一电极以及在第一电极和第二电极之间的电介质膜。第一方向或第二方向垂直于衬底的上表面。第一电极包括平行于衬底的上表面的上板区域和下板区域以及连接上板区域和下板区域的连接区域。第一电极的上板区域和下板区域中的每个包括彼此面对的上表面和下表面。电介质膜沿着第一电极的上板区域和下板区域中的每个的上表面和下表面延伸。
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公开(公告)号：CN109755380A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811317780.7
申请日：2018-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了磁存储器件。一种磁存储器件包括：在基板上的第一电极；磁隧道结图案，包括顺序堆叠在第一电极上的第一磁性层、隧道势垒层和第二磁性层；以及在磁隧道结图案上的第二电极。第一电极和/或第二电极关于磁隧道结图案的表面结合能相对低。
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公开(公告)号：CN115768243A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211048369.0
申请日：2022-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁性装置包括种子图案、种子图案上的参考磁性结构、参考磁性结构上的自由磁性图案以及参考磁性结构与自由磁性图案之间的隧道势垒。参考磁性结构包括：合成反铁磁(SAF)结构，其包括与所述种子图案的上表面接触的第一固定图案、与所述第一固定图案的上表面接触的反铁磁耦合图案以及与所述反铁磁耦合图案的上表面接触的第二固定图案；非磁性图案，其与所述第二固定图案的上表面接触；以及极化增强磁性图案，其与所述非磁性图案的上表面接触。
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公开(公告)号：CN110896128A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201910603076.6
申请日：2019-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明构思的示例实施方式提供了包括自旋轨道转矩线的半导体器件以及操作该半导体器件的方法。该半导体器件包括：存储层，包括至少一个第一磁性层；以及参考层，面对存储层并包括至少一个第二磁性层。该器件还包括在存储层和参考层之间的隧道势垒层。该器件还包括与存储层相邻的至少一个自旋轨道转矩线。
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公开(公告)号：CN109935682A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201811398018.6
申请日：2018-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了磁性存储器装置和用于制造其的方法，所述磁性存储器装置包括：基底；隧道势垒图案，位于基底上；第一磁性图案和第二磁性图案，彼此分隔开并且隧道势垒图案位于第一磁性图案和第二磁性图案之间；以及短路防止图案，与隧道势垒图案分隔开并且第二磁性图案位于短路防止图案和隧道势垒图案之间。短路防止图案包括交替堆叠的至少两个氧化物层和至少两个金属层。
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公开(公告)号：CN107689418A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710645754.6
申请日：2017-08-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/222 , G11C11/161 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: 提供了一种磁存储器件，其包括具有自由图案、参考图案、以及在自由图案与参考图案之间的隧道势垒图案的磁隧道结图案。自由图案包括第一子自由图案、第二子自由图案和第三子自由图案。第一子自由图案在隧道势垒图案与第三子自由图案之间，第二子自由图案在第一子自由图案与第三子自由图案之间。第二子自由图案包括镍-钴-铁-硼(NiCoFeB)，第三子自由图案包括镍-铁-硼(NiFeB)。还提供了相关的制造方法。
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