公开(公告)号：CN109928746B

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN201811220408.4

申请日：2018-10-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文庚奭 ,  朴贤哲 ,  郭灿 ,  金玄植 ,  梁大珍 ,  曹永真

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  H01G4/12 ,  H01G4/10 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明涉及陶瓷电介质、其制造方法、陶瓷电子组件和电子设备。陶瓷电介质包括多个半导体晶粒，所述半导体晶粒包括包含钡(Ba)、钛(Ti)和稀土元素的半导体氧化物。陶瓷电介质还包括位于相邻的半导体晶粒之间且包括受体元素的绝缘性氧化物，所述受体元素包括锰(Mn)、镁(Mg)、铝(Al)、铁(Fe)、钪(Sc)、镓(Ga)、或其组合。

公开(公告)号：CN109928746A

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201811220408.4

申请日：2018-10-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文庚奭 ,  朴贤哲 ,  郭灿 ,  金玄植 ,  梁大珍 ,  曹永真

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  H01G4/12 ,  H01G4/10 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明涉及陶瓷电介质、其制造方法、陶瓷电子组件和电子设备。陶瓷电介质包括多个半导体晶粒，所述半导体晶粒包括包含钡(Ba)、钛(Ti)和稀土元素的半导体氧化物。陶瓷电介质还包括位于相邻的半导体晶粒之间且包括受体元素的绝缘性氧化物，所述受体元素包括锰(Mn)、镁(Mg)、铝(Al)、铁(Fe)、钪(Sc)、镓(Ga)、或其组合。

公开(公告)号：CN108335908B

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN201810052471.5

申请日：2018-01-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭灿 ,  金玄植 ,  卢钟旭 ,  文庚奭 ,  朴贤哲 ,  孙仑喆 ,  梁大珍 ,  丁度源 ,  曹永真

IPC: H01G4/08 ,  H01G4/10 ,  H01G4/30 ,  H01C7/02 ,  H01C7/04 ,  H01C7/105 ,  H01C7/108

Abstract: 公开了介电复合物、以及包括其的多层电容器和电子器件，所述介电复合物包括由具有半导电性或导电性的材料构成的多个晶粒和包围晶粒边界的晶界绝缘层，其中所述晶界绝缘层包括覆盖所述晶粒表面的至少一部分的二维层状材料。

公开(公告)号：CN108335908A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810052471.5

申请日：2018-01-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭灿 ,  金玄植 ,  卢钟旭 ,  文庚奭 ,  朴贤哲 ,  孙仑喆 ,  梁大珍 ,  丁度源 ,  曹永真

IPC: H01G4/08 ,  H01G4/10 ,  H01G4/30 ,  H01C7/02 ,  H01C7/04 ,  H01C7/105 ,  H01C7/108

Abstract: 公开了介电复合物、以及包括其的多层电容器和电子器件，所述介电复合物包括由具有半导电性或导电性的材料构成的多个晶粒和包围晶粒边界的晶界绝缘层，其中所述晶界绝缘层包括覆盖所述晶粒表面的至少一部分的二维层状材料。