-
公开(公告)号：CN105271280A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510137816.3
申请日：2015-03-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C01B35/04
CPC classification number: C01B35/04 , C01P2004/24 , C01P2006/40 , C01P2006/60 , H01B1/06
Abstract: 本发明提供导电薄膜和包括其的电子器件。所述导电薄膜包括由化学式1表示并且具有层状晶体结构的化合物，其中，Me为Au、Al、Ag、Mg、Ta、Nb、Y、W、V、Mo、Sc、Cr、Mn、Os、Tc、Ru、Fe、Zr、或Ti。化学式1：MeB2。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103631124A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310225924.7
申请日：2013-06-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03G15/2057 , B82Y30/00 , H01C17/02 , H01C17/06 , H01C17/0652 , H01C17/06586 , H05B3/0095 , H05B3/145 , H05B3/46 , H05B2203/013 , H05B2214/04 , Y10T29/49083
Abstract: 一种形成薄膜电阻加热层的方法，该方法包括：通过使用挤压模制操作，通过在圆柱形构件的外圆周表面上挤出导电性填料分散在其中的聚合物膏而形成聚合物层；以及通过使用环刮切操作使所述聚合物层的外径均匀，形成薄膜电阻加热层。
-
公开(公告)号：CN105304158B
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201510259510.5
申请日：2015-05-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及导电薄膜和包括其的电子器件。所述导电薄膜包括由化学式1表示并具有层状晶体结构的化合物，其中，Me为Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、或Lu；Ch为硫、硒、或碲；且a为范围为1‑3的整数。化学式1MeCha。
-
公开(公告)号：CN105304158A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510259510.5
申请日：2015-05-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C01B19/007 , C23C14/0623 , C23C14/28 , C30B29/46 , H01B1/00 , H01B1/06
Abstract: 本发明涉及导电薄膜和包括其的电子器件。所述导电薄膜包括由化学式1表示并具有层状晶体结构的化合物，其中，Me为Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、或Lu；Ch为硫、硒、或碲；且a为范围为1-3的整数。化学式1MeCha。
-
公开(公告)号：CN108335908B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201810052471.5
申请日：2018-01-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了介电复合物、以及包括其的多层电容器和电子器件，所述介电复合物包括由具有半导电性或导电性的材料构成的多个晶粒和包围晶粒边界的晶界绝缘层，其中所述晶界绝缘层包括覆盖所述晶粒表面的至少一部分的二维层状材料。
-
公开(公告)号：CN108335908A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810052471.5
申请日：2018-01-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了介电复合物、以及包括其的多层电容器和电子器件，所述介电复合物包括由具有半导电性或导电性的材料构成的多个晶粒和包围晶粒边界的晶界绝缘层，其中所述晶界绝缘层包括覆盖所述晶粒表面的至少一部分的二维层状材料。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.049 seconds)
