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公开(公告)号：CN102312218A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110006623.6
申请日：2011-01-10
Applicant: 三星移动显示器株式会社
Inventor： 郑珉在 , 李基龙 , 洪钟元 , 罗兴烈 , 姜有珍 , 张锡洛 , 徐晋旭 , 梁泰勋 , 郑胤谟 , 苏炳洙 , 朴炳建 , 李东炫 , 李吉远 , 白原奉 , 朴钟力 , 崔宝京 , 伊凡·马伊达楚克 , 郑在琓
IPC: C23C16/448 , C23C16/455 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/4481 , C23C16/45525 , C23C16/52
Abstract: 一种用于沉积装置的罐和使用罐的沉积装置，并且更为具体地，一种能够提供包含在供应到沉积室中的反应气体中的均匀量的原材料并且提高原材料供应的安全性的沉积装置的罐，以及使用罐的沉积装置。该沉积装置包括：沉积室；将反应气体供应到该沉积室的罐；以及用于将载气供应到罐的载气供应器，其中该罐包括主体、加热该主体的加热单元以及布置在该主体下方的温度测量单元。
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公开(公告)号：CN102064197A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010287308.0
申请日：2010-09-16
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/10 , H01L21/336 , H01L27/32
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L27/1277 , H01L27/3262
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管、其制造方法和具有该薄膜晶体管的有机发光二极管显示器装置。所述薄膜晶体管包括：基板；缓冲层，位于所述基板上；半导体层，包括在所述缓冲层上的源/漏区和沟道区；栅绝缘层，对应于所述沟道区；栅极，对应于所述沟道区；和源/漏极，与所述半导体层电连接。所述沟道区的多晶硅层可仅包括小角度晶界，且大角度晶界可布置在所述半导体层的除所述沟道区外的区域中。
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公开(公告)号：CN102386090A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110235311.2
申请日：2011-08-16
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L21/324 , H01L29/786 , H01L51/50
CPC classification number: H01L29/78675 , H01L21/3226 , H01L27/1277 , H01L27/3262 , H01L29/66757
Abstract: 一种形成多晶硅层的方法，包括：在基板上形成非晶硅层；在所述非晶硅层上形成金属催化剂；在形成所述金属催化剂的所述非晶硅层的整个表面上形成吸杂金属层；以及执行热处理。一种薄膜晶体管包括所述多晶硅层，并且一种有机发光器件包括所述薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN101942640A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010224415.9
申请日：2010-07-07
Applicant: 三星移动显示器株式会社
Inventor： 罗兴烈 , 李基龙 , 徐晋旭 , 郑珉在 , 洪钟元 , 姜有珍 , 张锡洛 , 梁泰勋 , 郑胤谟 , 苏炳洙 , 朴炳建 , 伊凡·马伊达楚克 , 李东炫 , 李吉远 , 白原奉 , 朴钟力 , 崔宝京 , 郑在琓
IPC: C23C14/24 , C23C16/448 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45525 , C23C16/4481 , C23C16/45544 , C23C16/52 , Y10T137/6416
Abstract: 本发明公开一种用于沉积装置的罐和一种利用该罐的沉积装置和方法，所述罐在原料通过原子层沉积被沉积在基板上时能够保持包含在供应到沉积室的反应气体中的原料的预定量，该罐包括：主体、被配置为存储原料的原料存储器、设置在所述主体的外侧的加热器以及被配置为控制所述原料从所述原料存储器供应到所述主体的第一供给控制器。
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