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公开(公告)号：CN109564899A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780048479.8
申请日：2017-08-04
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
Abstract: 一种半导体元件搭载用封装基板的制造方法，其包括如下工序：第1层叠体准备工序，准备第1层叠体，所述第1层叠体具有：树脂层、设置于前述树脂层的至少一面侧并且具备剥离单元的粘接层、和设置于前述粘接层上的第1金属层；第1布线形成工序，对前述第1金属层进行蚀刻，在前述第1层叠体形成第1布线导体；第2层叠体形成工序，在前述第1层叠体的设置有前述第1布线导体的面依次层叠绝缘树脂层和第2金属层，形成第2层叠体；第2布线形成工序，在前述绝缘树脂层形成到达至前述第1布线导体的非贯通孔，对形成有前述非贯通孔的前述绝缘树脂层实施电镀和/或化学镀，在前述绝缘树脂层上形成第2布线导体；和、剥离工序，从形成有前述第2布线导体的前述第2层叠体将至少前述树脂层剥离。
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公开(公告)号：CN106538080A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201580039363.9
申请日：2015-07-15
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
CPC classification number: H01L21/4846 , B32B3/266 , B32B15/20 , B32B37/02 , B32B37/187 , B32B38/04 , B32B38/10 , B32B2260/021 , B32B2305/076 , B32B2307/202 , B32B2307/206 , B32B2311/12 , B32B2457/14 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/4864 , H01L21/6835 , H01L23/12 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/49866 , H01L23/544 , H01L2221/68345 , H01L2221/68359 , H01L2223/54426 , H01L2924/0002 , H05K3/46 , H01L2924/00
Abstract: 一种层叠体，其是通过至少具有如下工序的制造方法制造出的，即：准备第一中间层叠体的工序，该第一中间层叠体具有载体基板和金属层，该载体基板在内部含有支承体，该金属层形成在该载体基板的至少一个面且能够剥离；通过在所述第一中间层叠体的不成为产品的部分形成从所述第一中间层叠体的表面至少到达所述载体基板中的所述支承体的第一孔，制作带有所述第一孔的第二中间层叠体的工序；在所述第二中间层叠体的形成有所述第一孔的所述表面上，自所述表面侧按照绝缘材料和金属箔的顺序层叠配置绝缘材料以及金属箔，一边对所述第二中间层叠体、所述绝缘材料以及所述金属箔进行加热一边沿着它们的层叠方向进行加压，从而制作在所述第一孔中填充有所述绝缘材料的第三中间层叠体的工序；以及使用药液对所述第三中间层叠体进行处理的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109564899B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201780048479.8
申请日：2017-08-04
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
Abstract: 一种半导体元件搭载用封装基板的制造方法，其包括如下工序：第1层叠体准备工序，准备第1层叠体，所述第1层叠体具有：树脂层、设置于前述树脂层的至少一面侧并且具备剥离单元的粘接层、和设置于前述粘接层上的第1金属层；第1布线形成工序，对前述第1金属层进行蚀刻，在前述第1层叠体形成第1布线导体；第2层叠体形成工序，在前述第1层叠体的设置有前述第1布线导体的面依次层叠绝缘树脂层和第2金属层，形成第2层叠体；第2布线形成工序，在前述绝缘树脂层形成到达至前述第1布线导体的非贯通孔，对形成有前述非贯通孔的前述绝缘树脂层实施电镀和/或化学镀，在前述绝缘树脂层上形成第2布线导体；和、剥离工序，从形成有前述第2布线导体的前述第2层叠体将至少前述树脂层剥离。
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公开(公告)号：CN109417055A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780040347.0
申请日：2017-06-23
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
Abstract: 一种半导体元件搭载用封装体基板的制造方法，其包括如下工序：基板形成工序(a)，形成依次含有第1绝缘树脂层、至少包含硅化合物的脱模层和厚度为1μm～5μm的极薄铜箔的电路形成用支撑基板；第1布线导体形成工序(b)，在电路形成用支撑基板的极薄铜箔上通过图形电镀铜形成第1布线导体；层叠工序(c)，以与第1布线导体接触的方式配置第2绝缘树脂层，将第2绝缘树脂层进行加热加压并层叠；第2布线导体形成工序(d)，在第2绝缘树脂层中形成到达第1布线导体的非贯通孔，使非贯通孔的内壁通过电镀铜和/或化学镀铜连接，形成第2布线导体；剥离工序(e)，从形成有第1布线导体和第2布线导体的电路形成用支撑基板剥离第1绝缘树脂层；和去除工序(f)，将脱模层和/或前述极薄铜箔去除。
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公开(公告)号：CN117241501A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311281435.3
申请日：2017-06-23
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
Abstract: 一种半导体元件搭载用封装体基板的制造方法，其包括如下工序：基板形成工序(a)，形成依次含有第1绝缘树脂层、至少包含硅化合物的脱模层和厚度为1μm～5μm的极薄铜箔的电路形成用支撑基板；第1布线导体形成工序(b)，在电路形成用支撑基板的极薄铜箔上通过图形电镀铜形成第1布线导体；层叠工序(c)，以与第1布线导体接触的方式配置第2绝缘树脂层，将第2绝缘树脂层进行加热加压并层叠；第2布线导体形成工序(d)，在第2绝缘树脂层中形成到达第1布线导体的非贯通孔，使非贯通孔的内壁通过电镀铜和/或化学镀铜连接，形成第2布线导体；剥离工序(e)，从形成有第1布线导体和第2布线导体的电路形成用支撑基板剥离第1绝缘树脂层；和去除工序(f)，将脱模层和/或前述极薄铜箔去除。
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公开(公告)号：CN113796169A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202080033797.9
申请日：2020-04-30
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H05K3/06
Abstract: 本发明的印刷电路板的制造方法包括如下工序：准备覆金属箔层叠板的工序，所述覆金属箔层叠板层叠有在3～20μm的范围内具有任意厚度(Db)的金属箔与绝缘性树脂层；在前述金属箔的表面形成抗蚀层的工序；对前述抗蚀层进行曝光显影，形成抗蚀图案的工序；利用喷雾喷射蚀刻液，从而对未形成前述抗蚀图案的部分的前述金属箔进行蚀刻，形成金属布线的工序；和，将前述抗蚀层去除的工序，在前述形成金属布线的工序中，以前述金属布线间的间隙(S)包含15～50μm、且前述金属布线间的间隙(S)与前述金属箔的任意厚度(Db)之比(S/Db)超过1.6的方式形成前述金属布线。
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公开(公告)号：CN106538080B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201580039363.9
申请日：2015-07-15
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
Abstract: 一种层叠体，其是通过至少具有如下工序的制造方法制造出的，即：准备第一中间层叠体的工序，该第一中间层叠体具有载体基板和金属层，该载体基板在内部含有支承体，该金属层形成在该载体基板的至少一个面且能够剥离；通过在所述第一中间层叠体的不成为产品的部分形成从所述第一中间层叠体的表面至少到达所述载体基板中的所述支承体的第一孔，制作带有所述第一孔的第二中间层叠体的工序；在所述第二中间层叠体的形成有所述第一孔的所述表面上，自所述表面侧按照绝缘材料和金属箔的顺序层叠配置绝缘材料以及金属箔，一边对所述第二中间层叠体、所述绝缘材料以及所述金属箔进行加热一边沿着它们的层叠方向进行加压，从而制作在所述第一孔中填充有所述绝缘材料的第三中间层叠体的工序；以及使用药液对所述第三中间层叠体进行处理的工序。
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