公开(公告)号：CN101268555B

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200680034006.4

申请日：2006-04-24

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 杉本博司 ,  松野吉德 ,  大塚健一 ,  三上登 ,  黑田研一

IPC: H01L29/161 ,  H01L29/04 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L29/8611 ,  H01L21/0445 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606

Abstract: 在n-型碳化硅倾斜的衬底(2)的主表面上形成通过外延生长的方法由碳化硅制成的n-型电压阻隔层(3)。在n-型电压阻隔层(3)上形成了当从上方观看时是矩形的p-型碳化硅区域(4)。在p-型碳化硅区域(4)的表面上形成了p-型接触电极(5)。在p-型碳化硅区域(4)中，易于引起雪崩击穿的且与碳化硅晶体(11-20)的平面(14a)平行的p-型碳化硅区域(4)的外围位于短边上。这样，能够提高碳化硅半导体器件的电介质强度。

公开(公告)号：CN101268555A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200680034006.4

申请日：2006-04-24

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 杉本博司 ,  松野吉德 ,  大塚健一 ,  三上登 ,  黑田研一

IPC: H01L29/161 ,  H01L29/04 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L29/8611 ,  H01L21/0445 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606

Abstract: 在n－型碳化硅倾斜的衬底(2)的主表面上形成通过外延生长的方法由碳化硅制成的n－型电压阻隔层(3)。在n－型电压阻隔层(3)上形成了当从上方观看时是矩形的p－型碳化硅区域(4)。在p－型碳化硅区域(4)的表面上形成了p－型接触电极(5)。在p－型碳化硅区域(4)中，易于引起雪崩击穿的且与碳化硅晶体(11－20)的平面(14a)平行的p－型碳化硅区域(4)的外围位于短边上。这样，能够提高碳化硅半导体器件的电介质强度。