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公开(公告)号：CN107210228B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201580075517.X
申请日：2015-06-23
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H01L21/338 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/812
摘要： 一种半导体装置，其具有：大于或等于一根栅极指(20)，其设置于半导体基板(1)之上的有源区域；以及源极指(30)、漏极指(40)，它们设置于所述有源区域，隔着栅极指(20)而交替地配置，该半导体装置具有末端电路(60)，该末端电路(60)在从栅极指(20)的输入端子(21a)输入的信号的频率下成为电感性阻抗，在该栅极指(20)的与该输入端子(21a)的连接位置远离的部位处与该栅极指直接或间接地连接。
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公开(公告)号：CN107068623B
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201610827446.0
申请日：2016-09-14
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H01L23/31 , H01L25/07 , H01L23/498 , H01L23/49 , H03F3/04
摘要： 本发明的目的在于提供一种能够抑制键合线的熔断的放大器。具有：封装件；晶体管芯片，其具有栅极焊盘、和细长地形成的漏极焊盘，该晶体管芯片设置于该封装件中；以及多条漏极键合线，其与该漏极焊盘连接，该多条漏极键合线具有：第1最外键合线，其与该漏极焊盘的一个末端部分连接；第2最外键合线，其与该漏极焊盘的另一个末端部分连接；以及中间键合线，其夹在该第1最外键合线和该第2最外键合线之间，该多条漏极键合线比1mm长，该第1最外键合线和该第2最外键合线的线环高度比该中间键合线的线环高度高。
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公开(公告)号：CN107068623A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201610827446.0
申请日：2016-09-14
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H01L23/31 , H01L25/07 , H01L23/498 , H01L23/49 , H03F3/04
摘要： 本发明的目的在于提供一种能够抑制键合线的熔断的放大器。具有：封装件；晶体管芯片，其具有栅极焊盘、和细长地形成的漏极焊盘，该晶体管芯片设置于该封装件中；以及多条漏极键合线，其与该漏极焊盘连接，该多条漏极键合线具有：第1最外键合线，其与该漏极焊盘的一个末端部分连接；第2最外键合线，其与该漏极焊盘的另一个末端部分连接；以及中间键合线，其夹在该第1最外键合线和该第2最外键合线之间，该多条漏极键合线比1mm长，该第1最外键合线和该第2最外键合线的线环高度比该中间键合线的线环高度高。
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公开(公告)号：CN103887269B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201310604642.8
申请日：2013-11-26
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H01L23/495 , H01L25/07 , H01L23/12
CPC分类号： H01L24/49 , H01L23/66 , H01L24/48 , H01L2223/6655 , H01L2224/05599 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/49 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/19107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099
摘要： 本发明的目的在于通过对高频装置的馈通部附加阻抗的调节功能，从而提供能够容易地进行阻抗匹配的高频装置。具备形成于底座板(10)的主面(10a)的电介质(12)、在该电介质上形成的相互不接触的信号线(14)和岛形图案(16、17、18、19)、通过第一金属线(40)而连接于该信号线的半导体芯片(32)、和连接于该信号线的引线框(42)。
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公开(公告)号：CN109155612B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN201680085698.9
申请日：2016-05-18
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H03F1/07
摘要： 在载波放大器(6)和峰值放大器(8)并联连接的多尔蒂放大器中，构成为，补偿电路(9)连接于峰值放大器(8)和合成器(10)之间，该补偿电路(9)构成为，在峰值放大器(8)停止动作的状态下，将从自身的输出端(9a)观察峰值放大器(8)侧时的阻抗在使用频率内设为开路，并且对从合成器(10)的输出侧观察合成器(10)时的阻抗的频率依赖性进行补偿。由此，不会导致电路的大型化、复杂化，就能够实现宽频带化。
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公开(公告)号：CN109155612A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201680085698.9
申请日：2016-05-18
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H03F1/07
摘要： 在载波放大器(6)和峰值放大器(8)并联连接的多尔蒂放大器中，构成为，补偿电路(9)连接于峰值放大器(8)和合成器(10)之间，该补偿电路(9)构成为，在峰值放大器(8)停止动作的状态下，将从自身的输出端(9a)观察峰值放大器(8)侧时的阻抗在使用频率内设为开路，并且对从合成器(10)的输出侧观察合成器(10)时的阻抗的频率依赖性进行补偿。由此，不会导致电路的大型化、复杂化，就能够实现宽频带化。
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公开(公告)号：CN107070439B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201610946484.8
申请日：2016-11-02
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H03K17/16 , H01L27/06 , H01L29/737 , H01L29/78
摘要： 得到一种半导体装置，其能够实现稳定性和低消耗电力这两者。耗尽型的场效应晶体管(Q1)具有栅极端子、漏极端子以及源极端子。III－V族异质结的双极晶体管(Q2)具有基极端子、与栅极端子电连接的发射极端子、以及连接于与源极端子相同的电位的集电极端子。第1电阻(Rbe)连接在基极端子和发射极端子之间。第2电阻(Rcb)连接在基极端子和集电极端子之间。
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公开(公告)号：CN109417364A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201680086907.1
申请日：2016-07-01
申请人： 三菱电机株式会社
摘要： 利用连接漏极端子(2)和第1金属图案(7a、7b)的第1金属线(8a、8b)以及连接第1金属图案(7a、7b)和第2金属图案(9a、9b)的第2金属线(10a、10b)构成并联电感器。第2金属线(10a、10b)位于第1金属线(8a、8b)与连接漏极端子(2)和第3金属图案(11)的第3金属线(12a、12b)之间。第2金属线(10a、10b)的电流朝向为与第1金属线(8a、8b)和第3金属线(12a、12b)的电流朝向相反的方向。
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公开(公告)号：CN107210228A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201580075517.X
申请日：2015-06-23
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H01L21/338 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/812
摘要： 一种半导体装置，其具有：大于或等于一根栅极指(20)，其设置于半导体基板(1)之上的有源区域；以及源极指(30)、漏极指(40)，它们设置于所述有源区域，隔着栅极指(20)而交替地配置，该半导体装置具有末端电路(60)，该末端电路(60)在从栅极指(20)的输入端子(21a)输入的信号的频率下成为电感性阻抗，在该栅极指(20)的与该输入端子(21a)的连接位置远离的部位处与该栅极指直接或间接地连接。
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公开(公告)号：CN107070439A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201610946484.8
申请日：2016-11-02
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H03K17/16 , H01L27/06 , H01L29/737 , H01L29/78
摘要： 得到一种半导体装置，其能够实现稳定性和低消耗电力这两者。耗尽型的场效应晶体管(Q1)具有栅极端子、漏极端子以及源极端子。III－V族异质结的双极晶体管(Q2)具有基极端子、与栅极端子电连接的发射极端子、以及连接于与源极端子相同的电位的集电极端子。第1电阻(Rbe)连接在基极端子和发射极端子之间。第2电阻(Rcb)连接在基极端子和集电极端子之间。
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