公开(公告)号：CN1144396A

公开(公告)日：1997-03-05

申请号：CN96107789.1

申请日：1996-05-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 元田隆 ,  加藤学

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/70 ,  H01L33/00 ,  H01S3/085 ,  H01S3/103 ,  G02B6/12

CPC classification number: H01L21/02392 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：制备半导体衬底(1)，它有一表面，该表面上有温度彼此不同的局部区；在半导体衬底(1)的表面上生长III-V族化合物半导体层，以使半导体层的局部区有彼此不同的成分。因此能以高精度控制局部区中半导体层的成分。而且，由于生长后的半导体层表面变平坦，能使生长半导体层之后的半导体器件的制造方法成为稳定的方法。进而由于能对各局部区独立地控制有源层的成分，从而能大大地增加设计半导体器件的自由度。

公开(公告)号：CN1138747A

公开(公告)日：1996-12-25

申请号：CN95116817.7

申请日：1995-09-01

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 元田隆 ,  加藤学 ,  竹见政义

IPC: H01L21/306 ,  H01L33/00 ,  H01S3/18

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/30612 ,  H01S5/026 ,  H01S5/12 ,  H01S5/1228 ,  H01S5/2077 ,  H01S5/2081 ,  H01S5/2086 ,  H01S5/2232 ,  H01S5/2237 ,  H01S5/227 ,  H01S5/2275 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/3434 ,  H01S5/4031 ,  H01S2304/04

Abstract: 提供了一种比湿法腐蚀可控性更高的半导体腐蚀方法，包括：用一种含有组成III-V族化合物半导体层中V族材料的腐蚀气体且将上述III-V族化合物半导体层保持在高于其晶体生长温度的温度下，对其进行腐蚀。由于不使用腐蚀液，该腐蚀方法可在晶体生长设备中使用。再者，由于用III-V族化合物半导体层的材料气体作腐蚀气体，故能防止在被腐蚀的表面上出现残留杂质，从而保持了被腐蚀表面的清洁。