公开(公告)号：CN1138747A

公开(公告)日：1996-12-25

申请号：CN95116817.7

申请日：1995-09-01

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 元田隆 ,  加藤学 ,  竹见政义

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L33/00 ,  H01S3/18

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/30612 ,  H01S5/026 ,  H01S5/12 ,  H01S5/1228 ,  H01S5/2077 ,  H01S5/2081 ,  H01S5/2086 ,  H01S5/2232 ,  H01S5/2237 ,  H01S5/227 ,  H01S5/2275 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/3434 ,  H01S5/4031 ,  H01S2304/04

摘要： 提供了一种比湿法腐蚀可控性更高的半导体腐蚀方法，包括：用一种含有组成III-V族化合物半导体层中V族材料的腐蚀气体且将上述III-V族化合物半导体层保持在高于其晶体生长温度的温度下，对其进行腐蚀。由于不使用腐蚀液，该腐蚀方法可在晶体生长设备中使用。再者，由于用III-V族化合物半导体层的材料气体作腐蚀气体，故能防止在被腐蚀的表面上出现残留杂质，从而保持了被腐蚀表面的清洁。

公开(公告)号：CN101151776B

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN200680010188.1

申请日：2006-03-30

申请人： 奥普拓能量株式会社

发明人： 藤本毅

IPC分类号： H01S5/24 ,  H01S5/323

CPC分类号： H01S5/223 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/2237

摘要： 本发明的目的是提供一种高输出增益波导型半导体激光器件，通过抑制 DLD生成，而具有高可靠性。半导体激光器件具备增益波导型的半导体激光构造部，该半导体激光构造部形成在形成了沿振荡方向延伸的2个沟槽的半导体基板上，电流注入条设置为被该沟槽夹着。优选半导体激光器件的特征为，构成所述半导体激光器件的活性层的量子阱由GaAs形成。

公开(公告)号：CN101151776A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200680010188.1

申请日：2006-03-30

申请人： 奥普拓能量株式会社

发明人： 藤本毅

IPC分类号： H01S5/24 ,  H01S5/323

CPC分类号： H01S5/223 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/2237

摘要： 本发明的目的是提供一种高输出增益波导型半导体激光器件，通过抑制(100)DLD生成，而具有高可靠性。半导体激光器件具备增益波导型的半导体激光构造部，该半导体激光构造部形成在形成了沿振荡方向延伸的2个沟槽的半导体基板上，电流注入条设置为被该沟槽夹着。优选半导体激光器件的特征为，构成所述半导体激光器件的活性层的量子阱由GaAs形成。

公开(公告)号：CN102484182A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080025471.8

申请日：2010-05-14

申请人： 矽光光电科技有限公司

发明人： 潘晓和

IPC分类号： H01L33/20

CPC分类号： H01L33/24 ,  B82Y20/00 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/2237 ,  H01S5/24 ,  H01S5/34333 ,  H01L2924/00

摘要： 一种集成电路器件，其可以是诸如发光二极管(LED)的发光器件，其包括：衬底；形成在衬底的第一表面上的多个器件层，所述器件层包括第一器件层和第二器件层；形成在第一器件层上的第一电极；以及形成在衬底的第二表面上的第二电极，该第二表面平行于第一表面并且与第一表面相对。可以在半导体晶圆上形成大致相同的多个这样的器件，在切割晶圆之前，在该晶圆上由多个器件共用第一电极和第二电极中的一个或两个。在切割之前，能够同时测试晶圆上的所有器件。在衬底的相反侧上形成电极允许器件被直接连接到安装衬底，而不需要使用任何引线接合。

公开(公告)号：CN102217153A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN200980145150.9

申请日：2009-11-10

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 泷泽俊幸 ,  上田哲三

IPC分类号： H01S5/323 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01L21/0262 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02636 ,  H01L33/16 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2237 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

摘要： 本发明的目的在于提供一种既不使发光效率降低又能够使发光波长长波长化的氮化物半导体器件，本发明的氮化物半导体器件包括：具有(0001)面和(0001)面以外的面的GaN层(103)；以及含有铟并与GaN层(103)相接的InGaN层(104)，在InGaN层(104)中，与(0001)面以外的面相接的部分的铟的组成比，比与(0001)面相接的部分的铟的组成比高。