圆筒型溅射靶用热挤压原材料及圆筒型溅射靶的制造方法

    公开(公告)号:CN108603285B

    公开(公告)日:2019-08-23

    申请号:CN201780011284.6

    申请日:2017-09-26

    Abstract: 本发明的圆筒型溅射靶用热挤压原材料中,铜的纯度设在99.99质量%以上且99.9995质量%以下的范围内,Al的含量设为0.5质量ppm以下,Si的含量设为1质量ppm以下,C的含量设为1质量ppm以下,O的含量设为2质量ppm以下,H的含量设为1质量ppm以下,S的含量设为5质量ppm以下,在轴线O方向的一端部、中间部及另一端部的与轴线O方向正交的3个截面上,在周向的4个位置的表层部、从表层部向径向的1/4位置、从表层部向径向的1/2位置这3个位置的共36处测定出的平均晶体粒径设在10μm以上且110μm以下的范围内,且维氏硬度设在40Hv以上且100Hv以下的范围内。

    圆筒型溅射靶用热挤压原材料及圆筒型溅射靶的制造方法

    公开(公告)号:CN108603285A

    公开(公告)日:2018-09-28

    申请号:CN201780011284.6

    申请日:2017-09-26

    Abstract: 本发明的圆筒型溅射靶用热挤压原材料中,铜的纯度设在99.99质量%以上且99.9995质量%以下的范围内,Al的含量设为0.5质量ppm以下,Si的含量设为1质量ppm以下,C的含量设为1质量ppm以下,O的含量设为2质量ppm以下,H的含量设为1质量ppm以下,S的含量设为5质量ppm以下,在轴线O方向的一端部、中间部及另一端部的与轴线O方向正交的3个截面上,在周向的4个位置的表层部、从表层部向径向的1/4位置、从表层部向径向的1/2位置这3个位置的共36处测定出的平均晶体粒径设在10μm以上且110μm以下的范围内,且维氏硬度设在40Hv以上且100Hv以下的范围内。

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