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公开(公告)号：CN112490114A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011360222.6
申请日：2020-11-27
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/331 , H01L29/737
摘要： 一种调整多晶硅沉积速率的方法及一种锗硅HBT器件的制造方法，所述调整多晶硅沉积速率的方法包括：提供基底，所述基底的第一表面包括氧化物材料区域、氮化硅材料区域和硅材料区域中的至少两个；对所述基底的第一表面进行第一处理，以调整多晶硅在所述第一表面不同区域的沉积速率使其接近；在所述基底的第一表面形成多晶硅层。
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公开(公告)号：CN102903660B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201210399291.7
申请日：2012-10-18
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/677
摘要： 一种装载装置，包括：腔室，腔室侧壁具有输入阀门；对应输入阀门设置的机械手，机械手与第一驱动装置连接，用于支撑晶圆自输入阀门外水平传递至腔室内；位于腔室内的基座，基座与第二驱动装置连接，用于带动基座相对于腔室上下移动；固定于基座表面且若干重叠设置的卡槽，卡槽用于将晶圆固定于基座上方；固定于卡槽和输入阀门之间的传感器，传感器低于机械手的标准水平位置，且传感器高于在机械手下一层的晶圆表面，机械手的标准水平位置为机械手未发生偏移时，机械手经过输入阀门进入腔室后的水平位置；传感器与第一驱动装置连接，根据传感器产生的信号控制第一驱动装置停止机械手的运动。所述装载装置能够避免划伤晶圆。
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公开(公告)号：CN102354659B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201110341975.7
申请日：2011-11-02
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC分类号： H01L21/20
摘要： 本发明提供了一种掩膜成核消除方法以及选择性外延生长方法。根据本发明的选择性外延生长中的掩膜成核消除方法包括：利用SiOxNy化合物作为掩膜层材料，其中SiOxNy化合物中参数x和y的选择使得SiOxNy化合物掩膜层材料中的硅含量低于SiON和氮化硅SiN中的硅含量，并且其中参数x和参数y为有理数。通过降低掩膜层材料中的硅含量可以有效地减少成核点，抑制掩膜上的成核，进而有效地控制了硅对掩膜硅化物的选择性。
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公开(公告)号：CN108203076B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201810005643.3
申请日：2018-01-03
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC分类号： B81C3/00
摘要： 提供一种晶圆键合方法，包括：提供第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆包括第一键合面，所述第二晶圆包括第二键合面；在所述第一键合面上形成第一互连层；在所述第一互连层表面形成第二互连层，所述第一互连层位于所述第一键合面和第二互连层之间；在所述第二键合面上形成第三互连层；使所述第三互连层和第二互连层相互贴合，且所述第三互连层位于第二互连层与第二晶圆之间；使所述第三互连层和第二互连层相互贴合之后，对所述第二互连层和第三互连层进行键合处理，使所述第三互连层与第二互连层反应，形成互连部，所述键合处理的温度小于第三互连层与第一互连层的共晶温度。所述晶圆键合方法能够有效控制第一键合面和第二键合面之间的间距。
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公开(公告)号：CN105967140B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201610596473.1
申请日：2016-07-27
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要： 一种利用多晶锗硅通孔形成MEMS晶圆电连接的方法，包括：在MEMS硅晶圆上形成上部硅层；在上部硅层的凹进部中填充氧化物；沉积第一光刻胶层，在凹进部区域上方形成光刻胶开口；刻蚀以形成进入MEMS硅晶圆的盲孔；在暴露的表面上形成第三氧化层；生长掺杂的多晶锗硅层；进行研磨直到露出上部硅层；沉积合金层并形成合金层图案；对MEMS硅晶圆的隔离凹槽上方的上部硅层进行刻蚀；在目标晶圆形成有处于金属互连层的金属互连；使MEMS硅晶圆与目标晶圆相对并接触，使得合金部分接触重布线层；将MEMS硅晶圆的相对面减薄，暴露所述多晶锗硅填充部分；将目标晶圆布置在电路板上，将暴露的所述多晶锗硅填充部分从所述相对面电连接至电路板上露出的连接点。
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公开(公告)号：CN103442324B
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201310371355.7
申请日：2013-08-22
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人： 黄锦才
摘要： 本发明提供一种背板及其制造方法，所述制造方法包括：提供第一晶圆；氧化所述第一晶圆，在所述第一晶圆表面形成氧化层；提供第二晶圆；通过所述氧化层使所述第二晶圆与所述第一晶圆贴合在一起；对所述第二晶圆进行背面减薄；图形化所述减薄后的第二晶圆，在所述减薄后的第二晶圆中形成多个贯穿孔，使所述贯穿孔露出所述氧化层；去除所述氧化层和所述第一晶圆。本发明还提供一种背板，所述背板由所述制造方法形成。本发明降低了背板的制造难度。
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公开(公告)号：CN103871901B
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201410098316.9
申请日：2014-03-17
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
摘要： 本发明提供了一种沟槽功率器件及其制作方法，其中，所述制作方法包括：提供半导体衬底；对所述半导体衬底进行热氧化；在所述半导体衬底上形成外延层；在所述外延层内形成栅极沟槽；在所述栅极沟槽的内壁形成栅极氧化层；沉积栅极材料于所述栅极氧化层上。本发明通过在形成外延层之前对半导体衬底进行热氧化，并去除由此产生的热氧化层，减小了因半导体衬底中氧杂质含量升高而降低击穿电压对沟槽功率器件造成的影响，从而达到稳定沟槽功率器件击穿电压的效果，提高沟槽功率器件的性能，同时不会对沟槽功率器件的其他参数造成影响。
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公开(公告)号：CN103839776B
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201410084277.7
申请日：2014-03-07
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/768 , H01L23/48
摘要： 一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构的形成方法包括：提供具有第一表面、与第一表面相对的第二表面的第一晶圆，第一表面具有至少一个半导体器件，半导体器件的顶部为第一导电层；提供具有第三表面、与第三表面相对的第四表面的第二晶圆，第二晶圆的第三表面上具有至少一个图形化的第二导电层，第二导电层与第一导电层的位置相对应；将第一导电层顶部与第二导电层顶部键合连接；键合连接后，减薄第二表面，使第一晶圆的厚度至最终厚度；由第四表面起，在第二晶圆内部形成导电插塞，导电插塞的底部电连接第二导电层；在减薄后的第一晶圆的第二表面形成第三导电层。采用本发明的方法可以提高整个芯片制程效率，并且降低成本。
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公开(公告)号：CN103839844B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201410085891.5
申请日：2014-03-10
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人： 黄锦才
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/83 , H01L2224/83385 , H01L2924/01322 , H01L2924/1461 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种封装方法，包括：在第一晶圆的表面形成第一凹槽，在所述阻挡层的表面形成第一金属层，在所述第一金属层内形成第二凹槽；之后，在第二晶圆表面形成第二金属层，并在加热和加压条件下，位于所述第一金属层及第二金属层表面先被熔化的部分第一金属及第二金属先流入所述第二凹槽内，避免第一金属和第二金属过度流失；此外部分第一金属和第二金属融合后，位于所述第一凹槽内，从而提高所述第一晶圆表面的共晶金属的量，提高第一晶圆和第二晶圆的结合强度。
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公开(公告)号：CN104517804A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410363960.4
申请日：2014-07-29
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/302
CPC分类号： H01L21/02 , H01L21/304
摘要： 本发明公开了一种太鼓减薄工艺的去环方法，包括步骤：使用太鼓减薄工艺方法对晶圆背面进行减薄；在晶圆的背面完成背面工艺；将晶圆贴附在切割胶带上并固定在划片环上；在距离晶圆的中间部分的外侧边缘的内侧2毫米～10毫米处切割形成缓冲沟槽；采用环切工艺将支撑环切除或者磨平。本发明能降低环切步骤中的碎片率或完全防止环切步骤中的碎片。
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