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公开(公告)号:CN106145941A
公开(公告)日:2016-11-23
申请号:CN201610645548.0
申请日:2016-08-09
申请人: 上海师范大学 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号: C04B35/491 , C04B35/626 , C04B35/64 , C04B35/634 , C04B41/80 , C04B41/88
CPC分类号: C04B35/491 , C04B35/6261 , C04B35/62645 , C04B35/62695 , C04B35/63416 , C04B35/64 , C04B41/0045 , C04B41/009 , C04B41/5116 , C04B41/88 , C04B2235/3251 , C04B2235/3274 , C04B2235/3298 , C04B2235/6562
摘要: 本发明涉及功能材料领域,具体是一种富锆锆钛酸铅‑铁酸铋多铁性陶瓷材料,其化学组成为:(1‑x)Pb(Zr1‑yTiy)O3+z wt%Nb2O5+xBiFeO3,其中x=0.005~0.10,y=0.01~0.1,z=0.5~2.0。本发明选择了富锆的锆钛酸铅体系将掺铌改性的富锆Pb(Zr,Ti)O3材料与BiFeO3材料进行复合,调节组成和结构以提高材料在室温下的自发极化和磁学性能,实现在室温下铁电和铁磁共存并具有较好的磁电耦合效应。本发明的多铁电性材料所使用的原料成本较低,制备工艺简单且易于保存和使用,可应用于能量转换、敏感探测和现代通信等高技术领域。
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公开(公告)号:CN101286728B
公开(公告)日:2013-11-06
申请号:CN200810038145.5
申请日:2008-05-28
申请人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要: 本发明涉及一种磁电谐振换能器。在换能领域,该换能器能高效的实现磁量到电能的转换,属于电工器件领域。本发明包括压电材料(1、3、4),磁致伸缩材料(2),导线(5)为用于连接压电材料1和4,6为导线(6)为用于连接3和4,电压输出端(7)连接压电材料3和4,公共地端(8)连接压电材料7和1。压电材料(1)、磁致伸缩材料(2)和压电材料(3)三层材料之间用导电胶粘接,三层材料的厚度比例优化为1∶0.5~0.8∶1。本发明能精确的实现磁场强度量向电压量的转换,在谐振频率下,磁电系数高达57.3V/Oe。
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公开(公告)号:CN101286728A
公开(公告)日:2008-10-15
申请号:CN200810038145.5
申请日:2008-05-28
申请人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要: 本发明涉及一种磁电谐振换能器。在换能领域,该换能器能高效的实现磁量到电能的转换,属于电工器件领域。本发明包括压电材料(1、3、4),磁致伸缩材料(2),导线(5)为用于连接压电材料1和4,6为导线(6)为用于连接3和4,电压输出端(7)连接压电材料3和4,公共地端(8)连接压电材料7和1。压电材料(1)、磁致伸缩材料(2)和压电材料(3)三层材料之间用导电胶粘接,三层材料的厚度比例优化为1∶0.5~0.8∶1。本发明能精确的实现磁场强度量向电压量的转换,在谐振频率下,磁电系数高达57.3V/Oe。
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公开(公告)号:CN114171672A
公开(公告)日:2022-03-11
申请号:CN202111461560.3
申请日:2021-12-02
申请人: 上海师范大学
IPC分类号: H01L41/18 , H01L41/187 , H01L41/37
摘要: 本发明涉及一种高频高机电耦合系数的无铅压电单晶复合材料及制备方法,属于复合材料制备技术领域,其特征在于:由无铅压电材料和非压电相材料组成,无铅压电材料为上半部被均匀切割成网格状晶柱的四棱柱,非压电相材料填充在其网格的切割槽中。本发明克服现有复合材料中铅基压电材料在制备、使用、回收和废弃的过程中所带来的对环境与人体的危害,并提供了相应的制备方法以克服无铅压电单晶易碎易裂,切割小尺寸晶柱易倒塌的问题。
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公开(公告)号:CN109868502A
公开(公告)日:2019-06-11
申请号:CN201910320298.7
申请日:2019-04-19
申请人: 上海师范大学
摘要: 本发明一种稀土掺杂铌酸盐单晶上转换发光材料及其制备方法,涉及上转换发光材料技术领域,包括步骤:A按照摩尔比配制理论组分为yEr-KxNa1-xNbO3的多晶料;B按照摩尔比配制晶体生长起始用料;C将晶体生长起始用料放入生长坩埚中,在温度1000~1400℃下用顶部籽晶生长法生长Er-KNN单晶;D对Er-KNN单晶进行退火;E测试制品的上转换发光性能。本发明可以生长大尺寸Er-KNN单晶。特别,制品在温度400~600℃真空退火之后上转换发光特性消失,在温度700~800℃氧气退火后制品上转换发光强度增强近20倍。因此,Er-KNN单晶为氧气传感器、光波导等领域提供坚实的技术物质基础。
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公开(公告)号:CN106328803A
公开(公告)日:2017-01-11
申请号:CN201610889349.4
申请日:2016-10-12
申请人: 上海师范大学
IPC分类号: H01L41/113 , H01L41/187 , H01L41/053 , H01L41/39
CPC分类号: H01L41/113 , H01L41/053 , H01L41/1873 , H01L41/1878 , H01L41/39
摘要: 本发明公开了一种压电能量回收器件,包括压电纳米纤维材料、聚二甲基硅氧烷、输出端电极及导线、金叉指电极和柔性基底板,且金叉指电极镀设于柔性基底板的一侧,且输出端电极及导线与金叉指电极电性连接,压电纳米纤维材料和聚二甲基硅氧烷的混合层设于柔性基底板上设有金叉指电极的一侧,压电纳米纤维材料、柔性基底板上和金叉指电极通过聚二甲基硅氧烷进行封装固定。本发明是一种具有小体积、轻质量、绿色环保、柔韧性好、综合性能优良的压电能量回收器件。可为微型化集成化领域的能源问题提供新的解决方案,也可对整个智能穿戴行业及智能城市的发展产生一定影响,随之将会带来良好的经济和社会效益。
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公开(公告)号:CN102718479A
公开(公告)日:2012-10-10
申请号:CN201210240525.3
申请日:2012-07-12
申请人: 上海师范大学
IPC分类号: C04B35/475 , C04B35/622
摘要: 一种具有高电致伸缩系数的钛酸铋钠基无铅陶瓷,所述的钛酸铋钠基无铅体系的组成成分为(0.935-x)Bi0.5Na0.5TiO3-0.065BaTiO3-xSrTiO3,其中0.26≤x≤0.34。采用两步烧结法制备而成,将烧结后的陶瓷片用磨片机磨至1mm左右,利用丝网印刷双面刷上银电极,在650℃空气中烧银。对烧制电极的陶瓷片测试其XRD、电滞回线和场致应变。这种环境友好的高电致伸缩系数材料应用于位移控制领域。本发明的效果在于:与当前的电致伸缩体系相比,本发明具有环境友好、制备简单、高电致伸缩响应等优点。
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公开(公告)号:CN118646392A
公开(公告)日:2024-09-13
申请号:CN202410778249.9
申请日:2024-06-17
申请人: 上海师范大学
摘要: 本发明公开了一种声学滤波器拓扑结构,属于射频滤波技术领域。所述滤波器拓扑结构包括两组并联谐振器,分别对应正向分支和负向分支;每一组所述并联谐振器由不少于2个的谐振器以横向并联的方式连接组成;两组所述并联谐振器的输入端相连作为所述滤波器拓扑结构的输入,输出端分别与电学平衡支路并联构成BALUN输出的正负向分支输出端口,所述电学平衡支路由电感接地组成。本发明提供的滤波器拓扑结构可以实现大带宽滤波响应,使滤波器的响应不依赖于材料的耦合系数,在不增加成本的基础上,设计更为简洁,应用更为灵活,配置更为方便;同时,基于该拓扑结构,可以实现多频带及多路复用的可调式滤波的高级响应。
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公开(公告)号:CN114520637A
公开(公告)日:2022-05-20
申请号:CN202111635090.8
申请日:2021-12-27
申请人: 上海师范大学
摘要: 本发明公开了一种基于弛豫铁电单晶的声表面波谐振器及制备方法,属于声表面波技术领域。本技术方案声表面波谐振器由叉指电极层和压电基底层依次叠放构成。所述压电基底层的材料为掺杂铌铟酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅的弛豫铁电单晶,简称Mn‑PIMNT,0.5mol%Mn‑xPb(In1/2Nb1/2)O3‑(1‑x‑y)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑yPbTiO3。本发明提出的弛豫铁电单晶的声表面波谐振器结构获得的瑞利波具有高的机电耦合系数,高达24%。而且通过旋转欧拉角优化不同极化方向的Mn‑PIMNT弛豫铁电单晶的取向,优选出具有高性能的声表面波,非常适用于大宽带声表面波器件。
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公开(公告)号:CN113774485A
公开(公告)日:2021-12-10
申请号:CN202110981620.8
申请日:2021-08-25
申请人: 上海师范大学
IPC分类号: C30B29/22
摘要: 本发明涉及一种铌铟酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅铁电薄膜材料及其制备与应用,所述铁电薄膜材料包含自下而上依次设置的衬底、导电缓冲层和薄膜层,所述薄膜层为铌铟酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅,化学组成为(1‑x‑y)Pb(In1/2Nb1/2)O3‑yPb(Mg1/3Nb2/3)O3‑xPbTiO3,其中,x=0.20~0.40,y=0.18~0.60,所述铁电薄膜材料采用溶胶凝胶方法制备。与现有技术相比,本发明制备的薄膜具有纯钙钛矿结构,且具有优异的铁电、压电和热释电性能,以及高的居里温度,适用于新型的压电、热释电集成器件。
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