一种高性能GaN控制器及驱动总成安装结构

    公开(公告)号:CN117637638A

    公开(公告)日:2024-03-01

    申请号:CN202210994114.7

    申请日:2022-08-18

    摘要: 本发明涉及一种高性能GaN控制器及驱动总成安装结构,包括:安装载体组件、密封盖、GaN载流板组件、GaN信号解码板和三相动力组件,安装载体组件包含安装载体和设于安装载体上的DC动力插件,GaN载流板组件包括GaN载流板、GaN辐射隔离板和GaN冷却盖板,GaN载流板包括载流PCB板,以及设于PCB板上的GaN半导体和AC载流端子,GaN辐射隔离板固定在GaN载流板上方,GaN冷却盖板固定在GaN载流板下方,GaN载流板组件位于安装载体组件的底部,GaN信号解码板位于GaN载流板组件的上方,三相动力组件位于安装载体组件的一侧,GaN载流板组件与安装载体组件的DC动力插件电气连接,三相动力组件与GaN载流板组件的AC载流端子电气连接。与现有技术相比,本发明具有散热架隔离性能好等优点。

    一种集成化逆变装置
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116260346A

    公开(公告)日:2023-06-13

    申请号:CN202111499221.4

    申请日:2021-12-09

    IPC分类号: H02M7/00

    摘要: 本发明涉及一种集成化逆变装置,包括输入整流组件、霍尔芯片、母排注塑组件、电容芯子和功率模块,母排注塑组件包括母排塑封支架和铜排装配体,铜排装配体包括上下重叠设置正极铜排和负极铜排,正极铜排和负极铜排注塑在母排塑封支架内,输入整流组件安装在母排塑封支架上表面的一端连接铜排装配体,功率模块分布在母排塑封支架的下表面周边且连接铜排装配体,电容芯子安装在母排塑封支架的下表面中央且连接铜排装配体,霍尔芯片集成安装在母排塑封支架的侧边上。与现有技术相比,本发明具对电压波动冲击的承受性能强、可靠性好、使用寿命长等优点。